Dispositivos de las tecnologÃas CMOS - Departamento de ...
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MOSFET en débil inversión / conducción subumbral<br />
1000<br />
Id (uA)<br />
100<br />
10<br />
1<br />
0.1<br />
α exp(Vov)<br />
Débil<br />
inversión<br />
Kp W<br />
L Vov<br />
2<br />
2<br />
Fuerte<br />
inversión<br />
0.01<br />
Conducción<br />
subumbral<br />
0.001<br />
-0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3 0.4<br />
Vov (V)<br />
I D,wi = W L I t exp<br />
(<br />
VOV<br />
nKT/q<br />
) {<br />
n : slope factor (∼ 1,5)<br />
I t : corriente para V OV = 0