Modélisation électrothermique comportementale dynamique d ...

Liste des figures
Fig 4.3 : Echantillonnage temporel du signal d’enveloppe au cours de l’analyse en transitoire
d’enveloppe ......................................................................................................................................165
Fig 4.4 : Paramétrage de la simulation ADS isotherme du modèle de conception de l’amplificateur
de puissance .....................................................................................................................................170
Fig 4.5 : Identification des termes statiques .........................................................................................171
Fig 4.6 : Structure du modèle compilé d’amplificateur.......................................................................174
Fig 4.7 : Modèle comportemental statique intégré sous ADS ...........................................................174
Fig 4.8 : Comparaison des fonctions interpolée (pointillé) partie réelle et imaginaire de S21_stat et
des données de la base (trait continu) ..........................................................................................176
Fig 4.9 : Comparaison de la partie réelle interpolée du gain différentiel thermique α _S21 (pointillé)
8
et des données de la base (trait continu)......................................................................................176
Fig 4.10 : Comparaison de la partie imaginaire interpolée du gain différentiel thermique α_S21 (pointillé) et des données de la base (trait continu)....................................................................177
Fig 4.11 : Comparaison du courant de polarisation collecteur Ico interpolé (pointillé) et des
données de la base (trait continu) .................................................................................................177
Fig 4.12 : Puissance moyenne dissipée pour une impulsion d’enveloppe RF de 96µs...................178
Fig 4.13 : Température maximale pour une impulsion d’enveloppe RF de 96µs ...........................179
Fig 4.14 : Courant RF de sortie pour une impulsion d’enveloppe RF de 96µs...............................179
Fig 4.15 : Puissance de sortie RF pour une impulsion d’enveloppe RF de 96µs............................180
Fig 4.16 : Mise en évidence des plans de référence de mesures et de simulations .........................181
Fig 4.17 : Tension RF d’entrée, impulsion de 96µs : Mise en évidence des fenêtres d’acquisition
de mesure, F1, F2 et F3 et des instants de décision de simulation, t1, t2 et t3 ...........................182
Fig 4.18 : Gain statique à température ambiante et à la fréquence f o , comparaison avec la mesure
............................................................................................................................................................183
Fig 4.19 : Dérive du gain statique à température ambiante et à la fréquence f o , comparaison avec
la mesure...........................................................................................................................................183
Fig 4.20 : Phase du gain statique à température ambiante et à la fréquence f o , comparaison avec
la mesure...........................................................................................................................................184
Fig 4.21 : Dérive de phase du gain statique à température ambiante et à la fréquence f o ,
comparaison avec la mesure ..........................................................................................................185
Fig 4.22 : Mise en évidence de la dispersion fréquentielle de la porteuse sur le courant de
polarisation collecteur invariant dans le temps : mesures en début d’impulsion F1, pas d’effet
d’autoéchauffement.........................................................................................................................188