Modélisation électrothermique comportementale dynamique d ...

Chapitre 1 - Modélisation système d’amplificateur de puissance RF pour des applications radars
Lorsqu’il s’agit de minimiser le fonctionnement par rapport à la consommation du transistor, le
cycle de charge est adapté en rendement ajouté, Figure 1.15.
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Fig 1.15 : Cycle de charge adaptée en rendement ajouté (classe AB)
Ces critères sont principalement induits par les transistors de puissance composant
l’amplificateur. Les matériaux semi-conducteurs et le type de transistor imposent les
performances de l’amplificateur.
Technologie des semi-conducteurs
Le choix des transistors dépend de l’application, c’est à dire, de la bande de fréquence de
fonctionnement et de la puissance à générer. L’étude des différentes technologies de transistor
n’est pas l’objet de ces travaux. Différents travaux ont permis de trouver dans la littérature un
panel complet des caractéristiques des semi-conducteurs [10]-[12]. Quelques caractéristiques
principales sont récapitulées dans le Tableau 1.2 afin de saisir les enjeux du choix de la
technologie de l’amplificateur de puissance.
Matériaux Si GaAs 4H-SiC GaN
Gap (eV) 1.1 1.43 3.2 3.4
µn (cm²/V.s) 1350 8500 700 900
k (W/cm.K) à 300K 1.5 0.5 4.5 1.5
Ec (V/Cm) 0.3 0.4 3 3.3
Tab 1.2 : Caractéristiques de matériau semi-conducteur