Mémoire Saidi

Chapitre I
Généralités
essentiellement radiatives. La structure type d’une diode électroluminescente et son principe
de fonctionnement sont représentés sur la figure 1-8
Fig. 1-8: Principe de la diode électroluminescente
Une tension de polarisation directe fixe la séparation des niveaux de Fermi. Les
recombinaisons des porteurs excédentaires se manifestent dans trois régions différentes qui
sont d’une part la zone de charge d’espace, et d’autre part les régions neutres n et p. Dans
chacune de ces dernières, la zone émettrice est limitée à la longueur de diffusion des porteurs
minoritaires. La zone de charge d’espace joue un rôle mineur dans la mesure où elle est très
étroite en raison du fait que la jonction est fortement polarisée dans le sens directe.
La mobilité des électrons étant beaucoup plus grande que celle des trous, le taux
d’injection d’électrons dans la région de type p est plus important que le taux d’injection de
trous dans la région de type p. C’est la raison pour laquelle cette région constitue la face
émettrice dans la structure. Il faut ajouter que pour des raisons d’intensité d’émission, les
régions n et p de la diode sont très dopées. Ces dopages importants se traduisent par une
diminution du gap que l’on peut montrer qu’elle est plus importante dans la région p que dans
Etude d’une structure de liaison par fibre optique caractérisation de la propagation et bilan énergétique 19