I componenti optoelettronici a semiconduttore

More documents

Recommendations

Info

Ricombinazione non radiativa • Nei SC a bandgap indiretta: τ nr ~ 10 -5 τ rr : il SC si dice indiretto se il minimo della banda di conduzione e il massimo della banda di valenza NON sono ottenuti per lo stesso valore del vettore d’onda elettronico e’ necessaria l’intermediazione di un fonone per conservare l’energia e l’impulso η int R stim • Tipicamente, R spont ~R stim η int ~50%; in un laser a SC, si ha che R spont
I materiali semiconduttori Dispositivi del tipo a eterostruttura: la loro prestazione dipende dalla qualita’ dell’interfaccia fra i due SC con bandgap diverso per evitare i difetti, la costante di reticolo dei due SC deve coincidere con una precisione pari allo 0.1%! Per ottenere questo, bisogna fabbricare il materiale in maniera artificiale, rimpiazzando una frazione x dei siti Ga del reticolo in un SC binario (GaAs) con x atomi di Al Al x Ga 1-x As stessa costante di reticolo, ma il bandgap aumenta: approssimativamente si ha ( x) = 1,424 + 1,247x (0 < x < 0,45) E g Relazione fra bandgap e passo del reticolo detto « a »: Punti: SC binario Linee: SC ternario Bandgap Indiretto Superficie Di un poligono: SC quaternario SC con In, Ga, As, P
Page 1 and 2: I componenti optoelettronici a semi
Page 7 and 8: Bande di energia e distribuzione de
Page 9 and 10: Bande di energia e distribuzione de
Page 11 and 12: Equilibrio della giunzione PN non p
Page 13 and 14: Giunzione PN a polarizzazione DIRET
Page 15 and 16: Bande d’energia delle omogiunzion
Page 17: Ricombinazione non radiativa La ric
Page 21 and 22: I materiali semiconduttori Fabbrica
Page 23 and 24: Il diodo a elettroluminescenza (LED
Page 31: I componenti optoelettronici a semi

I componenti optoelettronici a semiconduttore

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?