Листа на стоки и технологии со двојна употреба
Листа на стоки и технологии со двојна употреба
Листа на стоки и технологии со двојна употреба
- No tags were found...
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
а. Хем<strong>и</strong>ско таложење од гас<strong>на</strong> фаза (CVD) е процес <strong>на</strong> <strong>на</strong>несување облога<strong>и</strong>л<strong>и</strong> процес <strong>на</strong> <strong>на</strong>несување облога за <strong>и</strong>зменување <strong>на</strong> површ<strong>и</strong><strong>на</strong>та во којаметал, легура, „композ<strong>и</strong>т“, д<strong>и</strong>електр<strong>и</strong>к <strong>и</strong>л<strong>и</strong> керам<strong>и</strong>ка се таложат <strong>на</strong>загреа<strong>на</strong> подлога. Гасн<strong>и</strong> реактант<strong>и</strong> се разложен<strong>и</strong> <strong>и</strong>л<strong>и</strong> комб<strong>и</strong>н<strong>и</strong>ран<strong>и</strong> вобл<strong>и</strong>з<strong>и</strong><strong>на</strong> <strong>на</strong> подлога што резулт<strong>и</strong>ра во таложење <strong>на</strong> сакан<strong>и</strong>от елемент,легура <strong>и</strong>л<strong>и</strong> <strong>со</strong>ед<strong>и</strong>нен<strong>и</strong>е врз подлогата. Енерг<strong>и</strong>ја за овој процес <strong>на</strong>разложување <strong>и</strong>л<strong>и</strong> хем<strong>и</strong>ска реакц<strong>и</strong>ја може да се обезбед<strong>и</strong> <strong>со</strong> загревање<strong>на</strong> подлогата, празнење <strong>на</strong> вжаре<strong>на</strong> плазма <strong>и</strong>л<strong>и</strong> <strong>со</strong> „ласерско“ зрачење.Напоме<strong>на</strong> 1: CVD г<strong>и</strong> вклучува следн<strong>и</strong>ве процес<strong>и</strong>: <strong>на</strong><strong>со</strong>чено струење <strong>на</strong> гас<strong>на</strong>двор од пакувањето-таложењето, пулс<strong>и</strong>рачко CVD,контрол<strong>и</strong>рано топлотно таложење <strong>на</strong> јадро <strong>на</strong>кр<strong>и</strong>стал<strong>и</strong>зц<strong>и</strong>ја (CNTD), CVD - процес<strong>и</strong> зас<strong>и</strong>лен<strong>и</strong> <strong>и</strong>л<strong>и</strong>помог<strong>на</strong>т<strong>и</strong> <strong>со</strong> плазма.Напоме<strong>на</strong> 2: Пакување оз<strong>на</strong>чува дека подлогата е <strong>на</strong>топе<strong>на</strong> во смеса одправ.Напоме<strong>на</strong> 3: Гасн<strong>и</strong>те реактант<strong>и</strong> ко<strong>и</strong> се кор<strong>и</strong>стат <strong>на</strong>двор од проце<strong>со</strong>т <strong>на</strong>пакување се доб<strong>и</strong>ен<strong>и</strong> <strong>со</strong> <strong>употреба</strong> <strong>на</strong> <strong>и</strong>ст<strong>и</strong>те основн<strong>и</strong> реакц<strong>и</strong><strong>и</strong> <strong>и</strong>параметр<strong>и</strong> како во проце<strong>со</strong>т <strong>на</strong> цементно пакување, разл<strong>и</strong>чн<strong>и</strong>од тоа што подлогата која треба да се облож<strong>и</strong> нема контакт <strong>со</strong>смесата од прав.b. Ф<strong>и</strong>з<strong>и</strong>чко таложење од гас<strong>на</strong> фаза <strong>со</strong> терм<strong>и</strong>чко <strong>и</strong>спарување (TE-PVD) епроцес <strong>на</strong> премачкување што се врш<strong>и</strong> во вакуум <strong>со</strong> пр<strong>и</strong>т<strong>и</strong><strong>со</strong>к помал од0,1 Ра <strong>и</strong> пр<strong>и</strong>тоа се кор<strong>и</strong>ст<strong>и</strong> <strong>и</strong>звор <strong>на</strong> топл<strong>и</strong>нска енерг<strong>и</strong>ја за матер<strong>и</strong>јалотза премачкување да се доведе до пареа. Резултатот од овој процес екондензац<strong>и</strong>ја <strong>и</strong>л<strong>и</strong> таложење <strong>на</strong> <strong>и</strong>спарен<strong>и</strong>те чест<strong>и</strong>чк<strong>и</strong> <strong>на</strong> <strong>со</strong>одветнопоставен<strong>и</strong>те подлог<strong>и</strong>.Додавањето га<strong>со</strong>в<strong>и</strong> во вакуум-комората во текот <strong>на</strong> проце<strong>со</strong>т <strong>на</strong>премачкување за да се с<strong>и</strong>нтет<strong>и</strong>з<strong>и</strong>раат сложен<strong>и</strong> премаз<strong>и</strong> е вооб<strong>и</strong>чаено<strong>и</strong>зменување <strong>на</strong> проце<strong>со</strong>т.Употребата <strong>на</strong> јонск<strong>и</strong> <strong>и</strong> електронск<strong>и</strong> снопов<strong>и</strong> <strong>и</strong>л<strong>и</strong> плазма за да сеакт<strong>и</strong>в<strong>и</strong>ра <strong>и</strong>л<strong>и</strong> помогне таложењето <strong>на</strong> премазот, <strong>и</strong>сто така, евооб<strong>и</strong>чаено <strong>и</strong>зменување <strong>на</strong> ова техн<strong>и</strong>ка. Употребата <strong>на</strong> мон<strong>и</strong>тор<strong>и</strong> за дасе обезбед<strong>и</strong> мерење <strong>на</strong> опт<strong>и</strong>чк<strong>и</strong>те о<strong>со</strong>б<strong>и</strong>н<strong>и</strong> <strong>и</strong> дебел<strong>и</strong><strong>на</strong>та <strong>на</strong> облогата вотекот <strong>на</strong> проце<strong>со</strong>т, <strong>и</strong>сто така, може да б<strong>и</strong>де карактер<strong>и</strong>ст<strong>и</strong>ка <strong>на</strong> ов<strong>и</strong>епроцес<strong>и</strong>.Посебн<strong>и</strong> TE-PVD -процес<strong>и</strong> се следн<strong>и</strong>ве:1. За ф<strong>и</strong>з<strong>и</strong>чко таложење од гас<strong>на</strong> фаза (PVD) <strong>со</strong> електронск<strong>и</strong> сноп секор<strong>и</strong>ст<strong>и</strong> електронск<strong>и</strong> сноп за загревање <strong>и</strong> <strong>и</strong>спарување <strong>на</strong>матер<strong>и</strong>јалот што го форм<strong>и</strong>ра премазот;170
Change language