Листа на стоки и технологии со двојна употреба
Листа на стоки и технологии со двојна употреба
Листа на стоки и технологии со двојна употреба
- No tags were found...
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
повеќекратн<strong>и</strong> акумулат<strong>и</strong>вн<strong>и</strong> резултат<strong>и</strong> по ц<strong>и</strong>клус (пр.д<strong>и</strong>г<strong>и</strong>тал<strong>на</strong> ман<strong>и</strong>пулац<strong>и</strong>ја <strong>на</strong> а<strong>на</strong>логн<strong>и</strong> <strong>и</strong>нформац<strong>и</strong><strong>и</strong> ко<strong>и</strong> б<strong>и</strong>лепретходно претворен<strong>и</strong> во д<strong>и</strong>г<strong>и</strong>тал<strong>на</strong> форма, <strong>и</strong>сто така поз<strong>на</strong>т<strong>и</strong>како д<strong>и</strong>г<strong>и</strong>тал<strong>на</strong> „обработка <strong>на</strong> с<strong>и</strong>г<strong>на</strong>л<strong>и</strong>“).Забелешка:3E002.c. не контрол<strong>и</strong>ра „технолог<strong>и</strong>ја“ замулт<strong>и</strong>мед<strong>и</strong>ск<strong>и</strong> прош<strong>и</strong>рувања.Забелешка 1:3E002 не контрол<strong>и</strong>ра „технолог<strong>и</strong>ја“ за “развојот“ <strong>и</strong>л<strong>и</strong>за “про<strong>и</strong>зводството“ <strong>на</strong> јадра за м<strong>и</strong>кропроце<strong>со</strong>р<strong>и</strong>,ко<strong>и</strong> г<strong>и</strong> <strong>и</strong>маат с<strong>и</strong>те следн<strong>и</strong> о<strong>со</strong>б<strong>и</strong>н<strong>и</strong>:a. Кор<strong>и</strong>стат „технолог<strong>и</strong>ја“ <strong>на</strong> <strong>и</strong>л<strong>и</strong> повеќе од 0,130 μm; <strong>и</strong>b. Вклопуваат повеќеслојн<strong>и</strong> структур<strong>и</strong> <strong>со</strong> пет <strong>и</strong>л<strong>и</strong>помалку металн<strong>и</strong> слоев<strong>и</strong>.Забелешка 2: 3E002 опфаќа „технолог<strong>и</strong>ја“ за д<strong>и</strong>г<strong>и</strong>талн<strong>и</strong>с<strong>и</strong>г<strong>на</strong>лск<strong>и</strong> проце<strong>со</strong>р<strong>и</strong> <strong>и</strong> д<strong>и</strong>г<strong>и</strong>талн<strong>и</strong> решеткаст<strong>и</strong>проце<strong>со</strong>р<strong>и</strong>.3E003Друга „технолог<strong>и</strong>ја“ за “развојот“ <strong>и</strong>л<strong>и</strong> “про<strong>и</strong>зводството“ <strong>на</strong> следн<strong>и</strong>вео<strong>со</strong>б<strong>и</strong>н<strong>и</strong>:a. Вакуумск<strong>и</strong> м<strong>и</strong>кроелектронск<strong>и</strong> уред<strong>и</strong>;b. Уред<strong>и</strong> <strong>со</strong> полупроводл<strong>и</strong>в<strong>и</strong> хетероструктур<strong>и</strong>, како што сетранз<strong>и</strong>стор<strong>и</strong> <strong>со</strong> в<strong>и</strong><strong>со</strong>ка моб<strong>и</strong>лност <strong>на</strong> електрон<strong>и</strong>те (HEMT),хетероб<strong>и</strong>поларн<strong>и</strong> транз<strong>и</strong>стор<strong>и</strong> (HBT), уред<strong>и</strong> <strong>со</strong> квант<strong>на</strong> јама <strong>и</strong>суперрешетка;Забелешка:3E003.b. не контрол<strong>и</strong>ра „технолог<strong>и</strong>ја“ за транз<strong>и</strong>стор<strong>и</strong><strong>со</strong> в<strong>и</strong><strong>со</strong>ка моб<strong>и</strong>лност <strong>на</strong> екектрон<strong>и</strong>те (HEMT) штоработат <strong>на</strong> фреквенц<strong>и</strong><strong>и</strong> пон<strong>и</strong>ск<strong>и</strong> од 31,8 GHz <strong>и</strong> хетероб<strong>и</strong>поларн<strong>и</strong> транз<strong>и</strong>стор<strong>и</strong> (HBT) што работат <strong>на</strong>фреквенц<strong>и</strong><strong>и</strong> пон<strong>и</strong>ск<strong>и</strong> од 31,8 GHz.c. „Суперпроводл<strong>и</strong>в<strong>и</strong>“ електронск<strong>и</strong> уред<strong>и</strong>;d. Д<strong>и</strong>јамантск<strong>и</strong> ф<strong>и</strong>лмов<strong>и</strong> како подлог<strong>и</strong> за електронск<strong>и</strong> <strong>со</strong>ставн<strong>и</strong>делов<strong>и</strong>;e. Подлог<strong>и</strong> од в<strong>и</strong>дот с<strong>и</strong>л<strong>и</strong>ц<strong>и</strong>ум-<strong>на</strong>-<strong>и</strong>золатор (SOI), за <strong>и</strong>нтегралн<strong>и</strong>кола во ко<strong>и</strong> <strong>и</strong>золатор е с<strong>и</strong>л<strong>и</strong>ц<strong>и</strong>умд<strong>и</strong>окс<strong>и</strong>д;f. Подлог<strong>и</strong> од с<strong>и</strong>л<strong>и</strong>ц<strong>и</strong>умкарб<strong>и</strong>д за електронск<strong>и</strong> <strong>со</strong>ставн<strong>и</strong> делов<strong>и</strong>;g. Електронск<strong>и</strong> вакуумск<strong>и</strong> цевк<strong>и</strong> ко<strong>и</strong> работат <strong>на</strong> фреквенц<strong>и</strong><strong>и</strong> од213
Change language