12.07.2015 Views

Листа на стоки и технологии со двојна употреба

Листа на стоки и технологии со двојна употреба

Листа на стоки и технологии со двојна употреба

SHOW MORE
SHOW LESS
  • No tags were found...

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

помал, посебно проект<strong>и</strong>ран <strong>и</strong>л<strong>и</strong> <strong>и</strong>зменет дапост<strong>и</strong>гне ‘појачување <strong>на</strong> оптоварувањето’ освен <strong>со</strong>м<strong>и</strong>крока<strong>на</strong>л<strong>на</strong> плоча; <strong>и</strong>3. Која б<strong>и</strong>ло од следн<strong>и</strong>ве фотокатод<strong>и</strong>:а. Мулт<strong>и</strong>алкалн<strong>и</strong> фотокатод<strong>и</strong> (пр. S-20 <strong>и</strong> S-25) ко<strong>и</strong><strong>и</strong>маат светлос<strong>на</strong> чувств<strong>и</strong>телност поголема од350 μA/lm;b. GaAs <strong>и</strong>л<strong>и</strong> GaInAs фотокатод<strong>и</strong>; <strong>и</strong>л<strong>и</strong>c. Друг<strong>и</strong> полупроводн<strong>и</strong>чк<strong>и</strong> фотокатод<strong>и</strong> <strong>на</strong>„<strong>со</strong>ед<strong>и</strong>нен<strong>и</strong>ето од групата III/V“ ко<strong>и</strong> <strong>и</strong>маатмакс<strong>и</strong>мал<strong>на</strong> „чувств<strong>и</strong>телност <strong>на</strong> зрачење“поголема од 10 mA/W;b. Цевк<strong>и</strong> <strong>на</strong> зас<strong>и</strong>лувачот <strong>на</strong> сл<strong>и</strong>ка, ко<strong>и</strong> г<strong>и</strong> <strong>и</strong>маат с<strong>и</strong>теследн<strong>и</strong> о<strong>со</strong>б<strong>и</strong>н<strong>и</strong>:1. Макс<strong>и</strong>мал<strong>на</strong> реакц<strong>и</strong>ја во опсегот <strong>на</strong> бранова долж<strong>и</strong><strong>на</strong>кој <strong>на</strong>дм<strong>и</strong>нува 1050 nm, но не <strong>на</strong>дм<strong>и</strong>нува 1800 nm;2. Електронско зас<strong>и</strong>лување <strong>на</strong> сл<strong>и</strong>ка кор<strong>и</strong>стејќ<strong>и</strong> штоб<strong>и</strong>ло од следново:а. М<strong>и</strong>крока<strong>на</strong>л<strong>на</strong> плоча за електронско зас<strong>и</strong>лување<strong>на</strong> сл<strong>и</strong>ка ч<strong>и</strong>ј растер <strong>на</strong> отворот (мерено одцентарот до центарот <strong>на</strong> отворот) е 12 μm <strong>и</strong>л<strong>и</strong>помалку; <strong>и</strong>л<strong>и</strong>b. Уред за чувств<strong>и</strong>телност <strong>на</strong> електрон<strong>и</strong> <strong>со</strong>неб<strong>и</strong>н<strong>и</strong>ран отвор <strong>на</strong> п<strong>и</strong>кселот од 500 µm <strong>и</strong>л<strong>и</strong>помал, посебно проект<strong>и</strong>ран <strong>и</strong>л<strong>и</strong> <strong>и</strong>зменет дапост<strong>и</strong>гне ‘појачување <strong>на</strong> оптоварувањето’ освен <strong>со</strong>м<strong>и</strong>крока<strong>на</strong>л<strong>на</strong> плоча; <strong>и</strong>3. полупроводл<strong>и</strong>в<strong>и</strong> фотокатод<strong>и</strong> од „<strong>со</strong>ед<strong>и</strong>нен<strong>и</strong>е одгрупата III/V“ (пр. GaAs <strong>и</strong>л<strong>и</strong> GaInAs) <strong>и</strong> пренесен<strong>и</strong>електронск<strong>и</strong> фотокатод<strong>и</strong> ко<strong>и</strong> <strong>и</strong>маат макс<strong>и</strong>мал<strong>на</strong>„чувств<strong>и</strong>телност <strong>на</strong> зрачење“ поголема од 15 mA/W;c. Посебно проект<strong>и</strong>ран<strong>и</strong> <strong>со</strong>ставн<strong>и</strong> делов<strong>и</strong>, како штоследува:1. М<strong>и</strong>крока<strong>на</strong>л<strong>на</strong> плоча <strong>со</strong> растер <strong>на</strong> отворот од 12 μm<strong>и</strong>л<strong>и</strong> помалку (мерено од центарот до центарот);263

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!