Curs 2 - Circuite rezistive - derivat

F. Constantinescu, M. Nitescu Teoria Circuitelor – Curs pentru Facultatea de Automatica si Calculatoare
Aceste elemente se utilizeaza pentru modelarea dispozitivelor cu mai multe borne de
acces.De exemplu tranzistorul bipolar sau tranzistorul MOS se modeleaza cu un element tripolar
(cu 3 borne), amplificatorul operational sau transformatorul se modeleaza cu un element
cuadripolar (cu 4 borne).
Tranzistorul bipolar (fabricat in tehnologia “bipolara”, care nu are nici o legatura cu
numarul de borne sau poli) poate fi modelat, pentru semnale lent variabile in timp, printr-un
rezistor tripolar cu bornele denumite baza (B), emitor (E) si colector (C). Tripolul poate fi
considerat ca diport deoarece intotdeauna se pot evidentia doua porti ca in figura (fiecare poarta
avand doua terminale parcurse de acelasi curent). In figura s-a reprezentat tranzistorul in
conexiunea emitor
comun (EC) pentru care poarta de intrare (B-E) si poarta de iesire (C-E) au borna de emitor
comuna. Un diport rezistiv poate fi caracterizat prin doua familii de curbe: caracteristicile de
intrare si caracteristicile de iesire. In conexiunea EC caracteristicile de intrare sunt iB=f1 (uBE, uCE)
iar cele de iesire sunt iC=f2 (uCE, iB). Desi ambele caracteristici sunt familii de curbe depinzand de
un parametru (parametrul este o marime asociata celeilate porti si anume pentru f1 este tensiunea
de iesire uCE, iar pentru f2 este curentul de intrare iB), caracteristicile de intrare nu depind practic
de uCE . Reprezentarea liniara pe portiuni a acestor caracteristici poate fi utila in multe situatii.
Si celelalte tipuri de tranzistoare pot fi modelate, in conditii asemanatoare, prin cuadripoli
diporti rezistivi.
Similar cu tripolul, pentru n-pol se pot determina n-1 porti care au borna n comuna.
20