You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Şekil 4.2. 1200 V Asimetrik ve Simetrik Tristör İçin Tipik İleri İletme Geriliminin Serbest Kalma<br />
Zamanına Oranı.<br />
Normal tristörler tıkama yönünde zorlanmazlar fakat ASCR’lerin diğer özellikleri daha iyidir.<br />
Asimetrik tristörlerin özel bir tipi RCT ‘dir.RCT , bir p-n-p-n yapısına sahiptir (şekil 4.3).<br />
Şekil 4.3.Ters Paralel Diyot ile Bir RCT Yapısı.<br />
Eleman genelde aynı yarı iletken yapı içindeki ters paralel bağlı n1p2 diyodu ile tasarlanır.<br />
Böylece normal tristörün ters tutma özelliği kaybettirilmiştir , soğutucu elemanları miktarı<br />
azalmıştır ve bulunduğu devre daha az elemandan oluşmuş olacaktır.Ayrıca bu şekilde bir<br />
kullanımla ,tristörle diyodun oluşturduğu kapalı devrenin kaçak endüktansının istenmeyen<br />
etkisi ortadan kaldırılmıştır.<br />
J1 ve J3 jonksiyonlarının her ikisinin de geri tutma yeteneği yoktur.<br />
STATİK ENDÜKSİYON TRİSTÖRÜ (SİTH)<br />
Statik endüksiyon tristörü , güç alan tristörü (Field Controlled Thyristor) olarak da anılır.GTO<br />
gibi kontrol edilerek iletime sokulup çıkarılabilir.Bu elemanın yapısı şekil 5.1’de<br />
gösterilmiştir.Bu elemanın tasarımı, fabrikasyonu ve karakteristiği , onu yüksek akımların<br />
yüksek hızdaki anahtarlanmasında kullanılması maksadıyla yapılmıştır. (Normalde kapalı tip<br />
statik endüksiyon tristörü için)Eleman çipinin büyüklüğü 7 ve 10 mm 2 ‘ dir ; 9000 kanal içerir<br />
ve bu kanalların her biri 1,5μm genişliğinde ve 250μm uzunluğundadır . Bu tip elemanın<br />
fabrikasyonunda çift LOCOS tekniği kullanılmıştır.100 A gibi bir değerde 1,2 V değerinde bir<br />
34
Change language