ÖZEL TRİSTÖRLER - 320Volt

Bu elemanların avantajları , yüksek bir ileri iletme akım yoğunluğu (GTO ‘dakine benzer
olarak) ve bir yenileyici 4 tabakalı yapının bulunmayışıdır.Bu yapının bulunmayışı , SİT ‘in
GTO ‘nun dv/dt ‘sinden daha fazla (yaklaşık 10 kat ) dv/dt ‘de çalışmasına izin verir.Bu
elemanlar , daha yüksek sıcaklıklarda çalışabilirler ve daha iyi bir radyasyon toleransı
sergilerler.Bunların güç anahtarlama uygulamalarındaki kullanımı , onların normal geçirme
karakteristikleri tarafından azaltılmıştır.
SİT , endüksiyonla ısıtma , yüksek frekans ara devreli DC-DC konverterler , aktif güç şebeke
düzenleyicileri , statik VAR kompanzatörleri ve gürültüsüz PWM inverterli tahrik sistemleri
gibi uygulamalarda kullanılır.
FET KONTROLLÜ TRİSTÖR
FET kontrollü tristör , normal bir tristörün anot ve kapı uçları arasına bir MOSFET ‘in paralel
bağlanmasından meydana gelir .MOSFET ’in kapısına bir gerilim uygulanmasıyla FET-CTH
iletime geçirilir.MOSFET’in kapısına tipik değeri 3 V olan bir gerilim uygulandığında , anot ve
katot arasındaki gerilim tristörün kapı devresinden akım geçmesine neden olur ve FET CTH
tetiklenir .GTO ‘daki gibi kapıdan kesime sokulma yeteneği yoktur .Anahtarlama hızı,kritik
akım ve gerilim yükselme hızları yüksek değerdedir.Giriş empedansı bakımından bir MOSFET
, iletimdeki gerilim düşümü bakımından da bir tristör gibi davranır . Bu eleman , bir entegre
devre vasıtasıyla optik olarak da tetiklenebilir.Böylece kontrol devresi ve yüksek gerilimli an
akım devresi arasında tam bir elektriksel izolasyon sağlanmış olur.
Şekil 6.1. FET Kontrollü Tristörün Eşdeğer Devresi .
MOS KONTROLLÜ TRİSTÖR (MCT)
MCT , güç elemanlarını yeni bir sınıfıdır . MOS ve tristör elemanlarının optimal bir şekilde
birleştirilmesine dayanır .Birbirinin aynı binlerce mikro hücrenin aynı çip üzerinde paralel
bağlanmasıyla oluşturulur. Davranışı bakımından GTO ‘ya benzer . Bu sınıftaki elemanlar
,yapılarındaki tristör nedeniyle kilitlenme özelliğine sahiptir ve tristörden ayırt edilemez bir
36