RaÄunarom integrisana laboratorija za elektroniku - LEDA
RaÄunarom integrisana laboratorija za elektroniku - LEDA
RaÄunarom integrisana laboratorija za elektroniku - LEDA
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
2 Određivanje karakteristika i parametara<br />
poluprovodničkih komponenti<br />
Osobine svih elektronskih kola <strong>za</strong>vise od karakteristika poluprovodničkih komponenata ugrađenih<br />
u njih. Poznavanje karakteristika poluprovodničkih elemenata i njihovih karakterističnih statičkih<br />
i dinamičkih parametara je iz tog razloga važno. Statičke osobine komponenti se određuju<br />
merenjem jednosmernih struja i napona. Dinamičke osobine ovih komponenti se određuju pobudom<br />
naizmeničnim signalima malih amplituda, kao i merenjem odgovarajućih naizmeničnih<br />
struja i napona.<br />
U okviru ovog poglavlja predstavljeni su metodi i virtuelni instrumenti <strong>za</strong> određivanje karakteristika<br />
dioda i tranzistora [2]. Prvo se razmatraju karakteristike osnovnih poluprovodničkih<br />
elemenata – dioda. Moguće je meriti i upoređivati parametre i karakteristike različitih tipova dioda:<br />
silicijumske diode, germanijumske diode, Schottky diode, Zener diode i LED diode. Mere se<br />
naponi i struje na direktno i inverzno polarisanom p-n spoju.<br />
Određuju se parametri i karakteristike bipolarnog tranzistora, JFET-a i MOSFET-a u aktivnom<br />
režimu rada. Ove komponente karakterišu tri terminala – priključaka od kojih se jedan bira <strong>za</strong><br />
<strong>za</strong>jednički, tako da se ove komponente analiziraju kao četvoropoli. Analiziraju se u praksi najčešće<br />
korišćene konfiguracije aktivnih elemenata, konfiguracija sa <strong>za</strong>jedničkim emitorom kod<br />
bipolarnog tranzistora, odnosno konfiguracija sa <strong>za</strong>jedničkim sorsom kod JFET i MOSFET tranzistora.<br />
Snimaju se statičke prenosne i izlazne karakteristike ovih tranzistora. Određuje se uticaj<br />
temperature na statičke karakteristike bipolarnog tranzistora, kao i temperaturska stabili<strong>za</strong>cija<br />
radne tačke povezivanjem emitorskog otpornika.<br />
Prilikom određivanja karakteristika i parametara neophodno je istaći razliku između karakteristika<br />
koju različite poluprovodničke komponente imaju u odnosu na jednosmerne napone i<br />
struje i osobina koje ispoljavaju u odnosu na naizmenične signale malih amplituda, kao i način<br />
polari<strong>za</strong>cije pojedinih poluprovodničkih elemenata.<br />
Prethodno postavljeni <strong>za</strong>htevi se mogu ispuniti upotrebom računara, akvizicione kartice i<br />
implementacijom odgovarajućih virtuelnih instrumenata. Na ovaj način je u prvi plan postavljeno<br />
određivanje karakteristika elemenata i komponenti, tako da ova grupa instrumenata čini virtuelni<br />
traser karakteristika poluprovodničkih i nelinearnih komponenti [8, 9].<br />
2.1 Fizička reali<strong>za</strong>cija trasera karakteristika komponenti<br />
Za reali<strong>za</strong>ciju trasera karakteristika poluprovodničkih komponenti korišćene su akvizicione kartice<br />
National Instruments NIDAQ PCI-6014 [18]. Kartice imaju 16 analogna ula<strong>za</strong>, brzine semplovanja<br />
200kSampl/s, dva analogna izla<strong>za</strong> brzine semplovanja 10kSampl/s, 8 digitalnih I/O kanala i dva<br />
7