Laboratoriya iÅi â 2. Skanedici tunel mikroskopu vasitÉsilÉ bÉrk ...
Laboratoriya iÅi â 2. Skanedici tunel mikroskopu vasitÉsilÉ bÉrk ...
Laboratoriya iÅi â 2. Skanedici tunel mikroskopu vasitÉsilÉ bÉrk ...
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
“Nanotexnologiyadan laboratoriya işləri”. Dərs vəsaiti<br />
Şəkil 2-4. a) Metal-yarımkeçirici <strong>tunel</strong> kontaktın VAX-nin<br />
sxematik şəkli<br />
b) elektronların <strong>tunel</strong>ləşməsinin istiqamətinin təsiri<br />
a) b)<br />
Şəkil 2-5. Nümunədə səthin 2D və 3D STM şəkilləri a) 2D, b) 3D<br />
V-modulyasiya<br />
V-modulyasiya üsulunda sabit gərginlik V = həm də <strong>tunel</strong><br />
kontaktında kiçik dəyişən V ~ gərginlik tətbiq olunur. Bu zaman<br />
<strong>tunel</strong> cərəyanının dəyişən hissəsi üçün<br />
dI<br />
I ~ = ~ ρ ( x,<br />
y,<br />
E f , + eV<br />
)<br />
dV<br />
= olar.<br />
Bu zaman əks əlaqə sabit siqnalda saxlanılır, <strong>tunel</strong><br />
cərəyanın dəyişən hissəsi spektroskopik şəklin alınması zamanı<br />
istifadə olunur. Beləliklə, topoqrafiyanın ölçülməsi(alınması)<br />
ilə lokal hal sıxlığının topoqrafiyasının alınması eyni zamanda<br />
46
Change language