07.Diferencijalni i viÅ¡estepeni pojaÄavaÄi (pdf)

More documents

Recommendations

Info

Realizacija sa MOST Realizacija sa MOST R S Za R D1 =R D2 =R D i identične tranzistore: A c A c = − r o = − R + R D g m ro R D + 2 ( g r + 1) R μR m o D i + R D + 2 (μμ + 1) R S S ⎛ g = ⎞ m S ⎜ ⎟ ⎜ro = Ri ⎟ ⎜ ⎟ ⎝ g m r o = μ ⎠ pojačanje srednje vrednosti jednako je pojačanju ZS sa otpornikom 2R 0 u sorsu (degeneracija u sorsu). R 0 Za R D1 =R D2 =R D i identične tranzistore: 2( g mro + 1) R ρ = 1+ + r + o R D 2( μ + 1) R ρ = 1+ + R + R CMRR veće za veće R S izvor konstantne struje umesto R S . i D S S S 22. novembar 2011. Višestepeni pojačavači 13 22. novembar 2011. Višestepeni pojačavači 14 Realizacija sa MOST Realizacija sa MOST izvor konstantne struje umesto R 0 . R 0 Za simetrični č izlaz izvor konstantne struje umesto R 0. A c =0. A d =-g m R D . 22. novembar 2011. Višestepeni pojačavači 15 22. novembar 2011. Višestepeni pojačavači ρ→∞ 16
Domaći 1.7: Realizacija sa MOST U kolu sa slike upotrebljeni su identični tranzistori sa V t =0.5V, μ ’W/L=2A=4mA/V n C ox 2 , λ=0. Poznato je I=0.4mA, V DD =VV SS =15ViR 1.5V i D =25kΩ 2.5kΩ. v US Realizacija sa BJT Primer BJT pojačavač: a) Za v US =0V odrediti v S , i D1 , i D2 , v D1 i v D2 . (v S =-0.82V, i D1 =i D2 =0.2mA, v D1 =v D2 =1V) b) Ponoviti postupak pod a) za v US =-0.2V. (v S =-1.02V, i D1 =i D2 =0.2mA, v D1 =v D2 =1V) c) Ponoviti postupak pod a) za v US =0.9V. (v S =0.08V, i D1 =i D2 =0.2mA, v D1 =v D2 =1V) d) Koliko iznosi najveći napon v US pri kome je I=0.4mA, , a tranzistori rade u oblasti zasićećnja (v USmax =1.V) e) Odrediti A d , A c i CMMR. (g m =1.25mA/V, A d =-3.125V/V, A c =0, CMRR →∞) 22. novembar 2011. Višestepeni pojačavači E7.1 17 22. novembar 2011. Višestepeni pojačavači R E 18 Realizacija sa BJT Za potpuno simetrično kolo sa velikim R E (izvor konstantne struje). Za h 12E =0 i h 22E =0. Smatra se da su R g1 =R g2 =0. A A c h 21E d = − h11E R C = − g m R C h 21 E R C R = − C ≈ − Pojačanje sa ZE h 2R (1 11E E h11E + h21E + ) 2RE 2R E pojačanje srednje vrednosti jednako pojačanju ZE sa otpornikom 2R 0 u emitoru (degeneracija u emitoru). R E ρ = Realizacija sa BJT 2RE h11E (1 + h21E + h11E 2 RE 2R ρ = 1 21 ) ≈ 2 g 1 + E (1 + h21 E h11E ) Za tipične vrednosti h-parametara kao što su h 11E=2 kΩ h 21E=150 i h 22E=1/R 0=25 μA/V, , dobija se ρ = 6000. m R E Faktor potiskivanja ne zavisi od R C nego od R E . Manja I c ili bolji strujni izvor (Wilsonov) → veće R E. 20 R E 22. novembar 2011. Višestepeni pojačavači 19 22. novembar 2011. Višestepeni pojačavači
Page 1 and 2: Da se podsetimo Simbol nMOSFET tran
Page 3: Realizacija sa MOST Primer MOS poja
Page 7 and 8: Realizacija sa BJT MOS v.s. BJT R u
Page 9 and 10: Statička prenosna karakteristika s
Page 11 and 12: Diferencijalni pojačavači Paramet
Page 13 and 14: Diferencijalni pojačavač Faktor p
Page 15 and 16: Zašto višestepeni pojačavači Je
Page 17 and 18: Realni: Osobine višestepenih poja
Page 19 and 20: Realni: Osobine višestepenih poja
Page 21 and 22: Primer: RC sprega Dvostepeni MOSFET
Page 23 and 24: RC sprega Dvostepeni MOSFET pojača
Page 25 and 26: Direktna sprega Direktnom spregom m
Page 27 and 28: Višestepeni pojačavači Realni: D
Page 29 and 30: Dodatak #88 Dvostepeni iZE Direktna
Page 31: Dodatak #96 Direktna sprega Izvori

07.Diferencijalni i viÅ¡estepeni pojaÄavaÄi (pdf)

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?

07.Diferencijalni i viÅ¡estepeni pojaÄavaÄi (pdf)