Скачать оригинальный документ PDF (8739.6 КБ)

В общем случае гетероструктурой называют полупроводниковуюструктуру с несколькими гетеропереходами. Гетеропереходом называетсяконтакт двух различных по химическому составу полупроводников.Если привести в тесный контакт два различных по химическому составуполупроводника, отличающихся шириной запрещенных зон, постояннымикристаллической решетки и другими параметрами, то схематическая зоннаядиаграмма образующейся структуры будет напоминать картинку с «ямой»,заполненной носителями заряда (электронами или дырками) (рис. I.12). Приэтом в силу квантово-размерных эффектов, которые проявляются при размерах«ямы», т.е. толщины среднего слоя, от нескольких до ста параметровкристаллической решетки или от 1 до 50 нм, носители заряда будутрасполагаться на дискретных уровнях, подобно электронам и дыркам вквантовых точках. Меняя размер «ямы», можно изменять расстояние междууровнями и, соответственно, длину волны поглощаемого или излучаемогосистемой света.Рис. I.12. Зонная диаграмма структуры, образованной плотноконтактирующими слоями полупроводников различного химического составаГетероструктуру на основе соединений А и В принято обозначать А/В,при этом соединения А и В называют гетеропарой. Для получениягетероструктур используют различные методы, включая молекулярно-лучевую22