FS15R12YT3 - Infineon

TechnischeInformation/technicalinformation 

IGBT-Module 

IGBT-modules 

IGBT-Wechselrichter/IGBT-inverter 

HöchstzulässigeWerte/maximumratedvalues 

Kollektor-Emitter-Sperrspannung 

collector-emitter voltage 

Kollektor-Dauergleichstrom 

DC-collector current 

Periodischer Kollektor Spitzenstrom 

repetitive peak collector current 

Gesamt-Verlustleistung 

total power dissipation 

Gate-Emitter-Spitzenspannung 

gate-emitter peak voltage 

prepared by: Peter Kanschat 

approved by: Ralf Keggenhoff 

FS15R12YT3 

date of publication: 2003-5-16 

revision: 2.0 

1 

VorläufigeDaten 

preliminarydata 

TÝÎ = 25°C V†Š» 1200 V 

T† = 80°C 

T† = 25°C 

I† ÒÓÑ 

I† 

t« = 1 ms, T† = 80°C I†ç¢ 30 A 

T† = 25°C PÚÓÚ 110 W 

15 

25 

A 

A 

V•Š» +/-20 V 

CharakteristischeWerte/characteristicvalues min. typ. max. 

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung 

collector-emitter saturation voltage 

Gate-Schwellenspannung 

gate threshold voltage 

Gateladung 

gate charge 

Interner Gatewiderstand 

internal gate resistor 

Eingangskapazität 

input capacitance 

Rückwirkungskapazität 

reverse transfer capacitance 

Kollektor-Emitter Reststrom 

collector-emitter cut-off current 

Gate-Emitter Reststrom 

gate-emitter leakage current 

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) 

turn-on delay time (inductive load) 

Anstiegszeit (induktive Last) 

rise time (inductive load) 

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) 

turn-off delay time (inductive load) 

Fallzeit (induktive Last) 

fall time (inductive load) 

Einschaltverlustenergie pro Puls 

turn-on energy loss per pulse 

Abschaltverlustenergie pro Puls 

turn-off energy loss per pulse 

Kurzschlußverhalten 

SC data 

Innerer Wärmewiderstand 

thermal resistance, junction to case 

Übergangs-Wärmewiderstand 

thermal resistance, case to heatsink 

I† = 15 A, V•Š = 15 V, TÝÎ = 25°C 

I† = 15 A, V•Š = 15 V, TÝÎ = 125°C 

V†Š ÙÈÚ 1,70 

1,90 

2,15 V 

V 

I† = 0,60 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C V•ŠÚÌ 5,0 5,8 6,5 V 

V•Š = -15 V ... +15 V Q• 0,15 µC 

TÝÎ = 25°C R•ÍÒÚ 0,0 Â 

f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V CÍþÙ 1,10 nF 

f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V CØþÙ 0,04 nF 

V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C I†Š» 5,0 mA 

V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C I•Š» 400 nA 

I† = 15 A, V†Š = 600 V 

V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 62 Â, TÝÎ = 25°C 

V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 62 Â, TÝÎ = 125°C 

I† = 15 A, V†Š = 600 V 

V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 62 Â, TÝÎ = 25°C 

V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 62 Â, TÝÎ = 125°C 

I† = 15 A, V†Š = 600 V 

V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 62 Â, TÝÎ = 25°C 

V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 62 Â, TÝÎ = 125°C 

I† = 15 A, V†Š = 600 V 

V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 62 Â, TÝÎ = 25°C 

V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 62 Â, TÝÎ = 125°C 

I† = 15 A, V†Š = 600 V, L» = 140 nH 

V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 62 Â, TÝÎ = 25°C 

V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 62 Â, TÝÎ = 125°C 

I† = 15 A, V†Š = 600 V, L» = 140 nH 

V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 62 Â, TÝÎ = 25°C 

V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 62 Â, TÝÎ = 125°C 

t« ù 10 µs, V•Š ù 15 V 

TÝÎù125°C, V†† = 900 V, V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt 

pro IGBT 

per IGBT 

pro IGBT / per IGBT 

ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K) 

tÁ ÓÒ 0,085 

0,09 

tØ 0,02 

0,03 

tÁ ÓËË 0,42 

0,52 

tË 0,075 

0,12 

EÓÒ 1,15 

1,50 

EÓËË 1,15 

1,75 

µs 

µs 

µs 

µs 

µs 

µs 

µs 

µs 

mJ 

mJ 

mJ 

mJ 

I»† 60 A 

RÚÌœ† 1,15 1,30 K/W 

RÚÌ† 0,55 K/W


IGBT-Module 

IGBT-modules 

Diode-Wechselrichter/diode-inverter 

HöchstzulässigeWerte/maximumratedvalues 

Periodische Spitzensperrspannung 

repetitive peak reverse voltage 

Dauergleichstrom 

DC forward current 

Periodischer Spitzenstrom 

repetitive peak forward current 

Grenzlastintegral 

I²t - value 





revision: 2.0 

2 



TÝÎ = 25°C Vçç¢ 1200 V 

IŒ 15 A 

t« = 1 ms IŒç¢ 30 A 

Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C I²t 75,0 A²s 


Durchlassspannung 

forward voltage 

Rückstromspitze 

peak reverse recovery current 

Sperrverzögerungsladung 

recovered charge 

Abschaltenergie pro Puls 

reverse recovery energy 

Innerer Wärmewiderstand 

thermal resistance, junction to case 

Übergangs-Wärmewiderstand 

thermal resistance, case to heatsink 

IŒ = 15 A, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C 

IŒ = 15 A, V•Š = 0 V, TÝÎ = 125°C 

IŒ = 15 A, - diŒ/dt = 900 A/µs 

Vç = 600 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 25°C 

Vç = 600 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 125°C 

IŒ = 15 A, -diŒ/dt = 900 A/µs 

Vç = 600 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 25°C 

Vç = 600 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 125°C 

IŒ = 15 A, -diŒ/dt = 900 A/µs 

Vç = 600 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 25°C 

Vç = 600 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 125°C 

pro Diode 

per diode 

pro Diode / per diode 

ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K) 

VŒ 1,65 

1,65 

Iç¢ 28,0 

27,0 

QØ 1,60 

2,90 

EØþÊ 0,60 

1,15 

2,10 V 

V 

A 

A 

µC 

µC 

mJ 

mJ 

RÚÌœ† 1,70 1,90 K/W 

RÚÌ† 0,70 K/W 

NTC-Widerstand/NTC-thermistor 


Nennwiderstand 

rated resistance 

T† = 25°C Rèë 5,00 kÂ 

Abweichung von Ræåå 

deviation of Ræåå 

Verlustleistung 

power dissipation 

B-Wert 

B-value 

T† = 100°C, Ræåå = 493 Â ÆR/R -5 5 % 

T† = 25°C Pèë 20,0 mW 

Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298, 15K))] Bèëõëå 3375 K


IGBT-Module 

IGBT-modules 

Modul/module 

Isolations-Prüfspannung 

insulation test voltage 

Material für innere Isolation 

material for internal insulation 

Kriechstrecke 

creepage distance 

Luftstrecke 

clearance distance 

Vergleichszahl der Kriechwegbildung 

comparative tracking index 

Modulinduktivität 

stray inductance module 

Modulleitungswiderstand, 

Anschlüsse - Chip 

module lead resistance, 

terminals - chip 

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur 

maximum junction temperature 

Temperatur im Schaltbetrieb 

temperature under switching conditions 

Lagertemperatur 

storage temperature 

Anpreßkraft für mech. Bef. pro Feder 

mountig force per clamp 

Gewicht 

weight 





revision: 2.0 

3 



RMS, f = 50 Hz, t = 1 min Vš»¥¡ 2,5 kV 

Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink 

Kontakt - Kontakt / terminal to terminal 

Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink 

Kontakt - Kontakt / terminal to terminal 

AIè0é 

13,5 

7,50 

12,0 

7,50 

CTI > 225 

min. typ. max. 

mm 

mm 

LÙ†Š 35 nH 

T† = 25°C, pro Zweig / per arm R††óôŠŠó 4,00 mÂ 

TÝÎ ÑÈà 150 °C 

TÝÎ ÓÔ -40 125 °C 

TÙÚÃ -40 125 °C 

F 40 - 80 N 

G 36 g 

MitdiesertechnischenInformationwerdenHalbleiterbauelementespezifiziert,jedochkeine 

Eigenschaftenzugesichert.SiegiltinVerbindungmitdenzugehörigentechnischenErläuterungen. 

Thistechnicalinformationspecifiessemiconductordevicesbutguaranteesnocharacteristics. 

Itisvalidwiththeappropriatetechnicalexplanations.


IGBT-Module 

IGBT-modules 

Ausgangskennlinie Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. IGBT-Wechselr. (typisch) (typisch) 

(typisch) 

output output characteristic characteristic IGBT-inverter IGBT-inverter (typical) 

(typical) 

I† I† = = f f (V†Š) (V†Š) 

(V†Š) 

V•Š V•Š = = 15 15 V 

V 

I† [A] 

30 

27 

24 

21 

18 

15 

12 

9 

6 

3 

TÝÎ = 25°C 

TÝÎ = 125°C 




0 

0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 2,7 3,0 

V†Š [V] 

Übertragungscharakteristik Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. IGBT-Wechselr. (typisch) 

(typisch) 

transfer transfer characteristic characteristic IGBT-inverter IGBT-inverter (typical) (typical) 

(typical) 

I† I† = = f f (V•Š) 

(V•Š) 

V†Š V†Š = = = 20 20 V 

V 

I† [A] 

30 

27 

24 

21 

18 

15 

12 

9 

6 

3 

TÝÎ = 25°C 

TÝÎ = 125°C 

0 

5 6 7 8 9 10 11 12 

V•Š [V] 


revision: 2.0 

4 



Ausgangskennlinienfeld Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. IGBT-Wechselr. (typisch) 

(typisch) 

output output output characteristic characteristic characteristic IGBT-inverter IGBT-inverter (typical) 

(typical) 

I† I† = = f f (V†Š) 

(V†Š) 

TÝÎ TÝÎ = = 125°C 

125°C 

I† [A] 

30 

27 

24 

21 

18 

15 

12 

9 

6 

3 

V•Š = 19V 

V•Š = 17V 

V•Š = 15V 

V•Š = 13V 

V•Š = 11V 

V•Š = 9V 

0 

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 

V†Š [V] 

Schaltverluste Schaltverluste IGBT-Wechselr. IGBT-Wechselr. (typisch) (typisch) 

(typisch) 

switching switching losses losses IGBT-inverter IGBT-inverter (typical) (typical) 

(typical) 

EÓÒ EÓÒ EÓÒ = = f f (I†), (I†), EÓËË EÓËË = = = f f (I†) 

(I†) 

V•Š V•Š = = ±15 ±15 V, V, R•ÓÒ R•ÓÒ = = 62 62 62 Â, Â, Â, R•ÓËË R•ÓËË = = 62 62 Â, Â, Â, V†Š V†Š = = 600 600 V, 

V, 

TÝÎ TÝÎ = = 125°C 

125°C 

E [mJ] 

3,5 

3,0 

2,5 

2,0 

1,5 

1,0 

0,5 

EÓÒ 

EÓËË 

0,0 

0 5 10 15 

I† [A] 

20 25 30


IGBT-Module 

IGBT-modules 

Schaltverluste Schaltverluste IGBT-Wechselr. IGBT-Wechselr. (typisch) (typisch) 

(typisch) 

switching switching losses losses IGBT-Inverter IGBT-Inverter (typical) 

(typical) 

EÓÒ EÓÒ EÓÒ = = f f (R•), (R•), (R•), EÓËË EÓËË EÓËË = = f f (R•) 

(R•) 

V•Š V•Š = = ±15 ±15 V, V, I† I† = = 15 15 A, A, V†Š V†Š = = 600 600 V, V, V, TÝÎ TÝÎ TÝÎ = = 125°C 

125°C 

E [mJ] 

6 

5 

5 

4 

4 

3 

2 

2 

1 

1 

EÓÒ 

EÓËË 




0 

50 100 150 200 

R• [Â] 

250 300 350 

Sicherer Sicherer Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. IGBT-Wr. (RBSOA) 

(RBSOA) 

reverse reverse bias bias safe safe safe operating operating area area IGBT-inv. IGBT-inv. (RBSOA) 

(RBSOA) 

I† I† = = f f (V†Š) 

(V†Š) 

V•Š V•Š = = ±15 ±15 V, V, R•ÓËË R•ÓËË = = 62 62 Â, Â, TÝÎ TÝÎ TÝÎ = = 125°C 

125°C 

I† [A] 

33 

30 

27 

24 

21 

18 

15 

12 

9 

6 

3 

I†, Modul 

I†, Chip 

0 

0 200 400 600 800 1000 1200 1400 

V†Š [V] 


revision: 2.0 

5 



Transienter Transienter Transienter Wärmewiderstand Wärmewiderstand IGBT-Wechselr. 

IGBT-Wechselr. 

transient transient thermal thermal impedance impedance IGBT-inverter 

IGBT-inverter 

ZÚÌœ ZÚÌœ = = f f (t) 

(t) 

ZÚÌœ [K/W] 

10 

1 

0,1 

i: 

rÍ[K/W]: 

τÍ[s]: 

ZÚÌœ : IGBT 

1 

0,102 

0,0004493 

2 

0,34 

0,0100034 

3 

0,952 

0,1198125 

4 

0,306 

0,1781562 

0,01 

0,001 0,01 0,1 

t [s] 

1 10 

Durchlaßkennlinie Durchlaßkennlinie der der Diode-Wechselr. Diode-Wechselr. (typisch) 

(typisch) 

forward forward characteristic characteristic of of diode-inverter diode-inverter (typical) 

(typical) 

IŒ IŒ = = f f (VŒ) 

(VŒ) 

I† [A] 

30 

25 

20 

15 

10 

5 

TÝÎ = 25°C 

TÝÎ = 125°C 

0 

0,0 0,5 1,0 1,5 

VŒ [V] 

2,0 2,5


IGBT-Module 

IGBT-modules 

Schaltverluste Schaltverluste Diode-Wechselr. Diode-Wechselr. (typisch) (typisch) 

(typisch) 

switching switching losses losses diode-inverter diode-inverter (typical) 

(typical) 

EØþÊ EØþÊ = = f f (IŒ) 

(IŒ) 

R•ÓÒ R•ÓÒ = = = 62 62 62 Â, Â, V†Š V†Š = = 600 600 V, V, TÝÎ TÝÎ = = 125°C 

125°C 

E [mJ] 

1,50 

1,25 

1,00 

0,75 

0,50 

0,25 

EØþÊ 




0,00 

0 3 6 9 12 15 

IŒ [A] 

18 21 24 27 30 

Transienter Transienter Wärmewiderstand Wärmewiderstand Diode-Wechselr. 

Diode-Wechselr. 

transient transient thermal thermal impedance impedance impedance diode-inverter 

diode-inverter 

ZÚÌœ ZÚÌœ = = f f (t) 

(t) 

ZÚÌœ [K/W] 

10 

1 

0,1 

i: 

rÍ[K/W]: 

τÍ[s]: 

ZÚÌœ : Diode 

1 

0,144 

0,0002733 

2 

0,48 

0,0036366 

3 

1,344 

0,1033125 

4 

0,432 

0,1335842 

0,01 

0,001 0,01 0,1 

t [s] 

1 10 


revision: 2.0 

6 



Schaltverluste Schaltverluste Diode-Wechselr. Diode-Wechselr. Diode-Wechselr. (typisch) 

(typisch) 

switching switching losses losses diode-inverter diode-inverter (typical) 

(typical) 

EØþÊ EØþÊ = = f f (R•) 

(R•) 

IŒ IŒ = = 15 15 A, A, V†Š V†Š = = 600 600 V, V, TÝÎ TÝÎ = = 125°C 

125°C 

E [mJ] 

1,50 

1,25 

1,00 

0,75 

0,50 

0,25 

EØþÊ 

0,00 

50 100 150 200 

R• [Â] 

250 300 350 

NTC-Temperaturkennlinie NTC-Temperaturkennlinie NTC-Temperaturkennlinie (typisch) 

(typisch) 

NTC-temperature NTC-temperature characteristic characteristic (typical) 

(typical) 

R R R = = f f (T) 

(T) 

R[Â] 

100000 

10000 

1000 

RÚáÔ 

100 

0 20 40 60 80 

T† [°C] 

100 120 140 160


IGBT-Module 

IGBT-modules 

Schaltplan/circuitdiagram 




Gehäuseabmessungen/packageoutlines 

ϑ 


revision: 2.0 

7 


preliminarydata

Nutzungsbedingungen 

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die 

Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der 

bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. 

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung 

übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen 

Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. 

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere 

eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen 

Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. 

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu 

den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in 

Verbindung. 

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder 

lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle 

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; 

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; 

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend 

empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig 

machen. 

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. 

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. 

Terms & Conditions of usage 

The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments 

will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect 

to such application. 

This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted 

exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its 

characteristics. 

Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific 

application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For 

those that are specifically interested we may provide application notes. 

Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please 

contact the sales office, which is responsible for you. 

Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. 

Please note, that for any such applications we urgently recommend 

- to perform joint Risk and Quality Assessments; 

- the conclusion of Quality Agreements; 

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on 

the realization of any such measures. 

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. 

Changes of this product data sheet are reserved.

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