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Erstarren - Werkstoffwissenschaften

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Erstarrung<br />

1. Keimbildung → 2. Keimwachstum<br />

Institut für <strong>Werkstoffwissenschaften</strong> und –technologien / FG Keramische Werkstoffe


Institut für <strong>Werkstoffwissenschaften</strong> und –technologien / FG Keramische Werkstoffe


Homogene Keimbildung<br />

Institut für <strong>Werkstoffwissenschaften</strong> und –technologien / FG Keramische Werkstoffe


Heterogene Keimbildung<br />

Schmelze<br />

Institut für <strong>Werkstoffwissenschaften</strong> und –technologien / FG Keramische Werkstoffe<br />

x<br />

Fremdpartikel<br />

R<br />

r<br />

Adsorptionsschicht


Vergleich Homogene / Heterogene Keimbildung<br />

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1. spezifische Wärme↑ bis T E → 2. latente Wärme↑ : fest→fl.<br />

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Erstarrungsarten bzw. -morphologien<br />

Institut für <strong>Werkstoffwissenschaften</strong> und –technologien / FG Keramische Werkstoffe


Planare Erstarrung<br />

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Stabilität der Erstarrungsfront<br />

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Erscheinungsformen einphasiger Erstarrungen<br />

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Gussstrukturen<br />

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Gussarten:<br />

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Kornfeinung von Al-Guss mit Ti<br />

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Lunkerbildung<br />

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© www.ifb.ethz.de


Gerichtete Erstarrung<br />

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Experimentelle Möglichkeiten v Er und G [grad(T)] einzustellen<br />

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•Form auf T>T L<br />

•fl. Legierung einfüllen<br />

•Legierung erstarrt auf<br />

Kühlplatte<br />

•Verringerung der Heizleistung<br />

Prozesse zur gerichteten Erstarrung<br />

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•Form auf T>T L<br />

•fl. Legierung einfüllen<br />

•Legierung erstarrt auf<br />

Kühlplatte (Cu)<br />

•Form aus Heizer gezogen<br />

•Kühlen durch Wärmestrahlung


[001] Textur in einem Kornselektor zur Einkristallzucht<br />

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Schmelzvorrichtungen<br />

Mikrowellen Mikrowellen<br />

(micro<br />

(micro<br />

wafe)<br />

wafe)<br />

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Strahlung Strahlung<br />

(IR-radiation)<br />

(IR-radiation)<br />

© R. Völkl: Schmelze Erstarrung Grenzflächen


Glasschmelzwanne:<br />

• Drehrohrofen<br />

• Hochofen<br />

• …<br />

Brennstoffbeheizte Öfen<br />

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Tunnelofen/Herdwagenofen/Rollenofen (Keramik):


Dreiphasenelektrolichtbogenofen<br />

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© R. Völkl: Schmelze Erstarrung Grenzflächen


Gleichstromlichtbogenofen<br />

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Vakuuminduktionsschmelzen – Vacuum Induction Melting<br />

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© R. Völkl: Schmelze Erstarrung Grenzflächen


Eigenschaften von VIM<br />

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© R. Völkl: Schmelze Erstarrung Grenzflächen


VIM Anlagentechnik<br />

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Elektroschlackeumschmelzen – ElectroSlag Remelting<br />

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© R. Völkl: Schmelze Erstarrung Grenzflächen


Elektronenstrahlschmelzen – Electron Beam Melting<br />

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© R. Völkl: Schmelze Erstarrung Grenzflächen


Widerstandsbeheizte Öfen<br />

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Mikrowellenöfen<br />

• Beim Mikrowellensintern wird die für das Sintern<br />

benötigte Wärme im Inneren des Werkstücks<br />

erzeugt, deshalb können wesentlich kürzere<br />

Prozesszeiten erzielt werden.<br />

• → das Kornwachstum kann verringert werden (z.B.<br />

bei der Herstellung von Siliziumnitridkeramiken)<br />

• Temperaturwerte in einem Messbereich von 150 °C<br />

bis 1900 °C.<br />

• Vorrangig für Glas und Keramiken<br />

• Die Erwärmung durch das von Mikrowellen<br />

verursachte elektromagnetische Wechselfeld<br />

beruht auf Anregung der Rotationsschwingungen<br />

dipolarer Molekühle bzw. Elektronenanregung.<br />

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Ort<br />

Konvektion /<br />

IR-Temperung<br />

Coating<br />

Substrat<br />

Temperatur<br />

hohe Aufheizraten<br />

hohe Temperaturen (>1200°C)<br />

abgeschlossener Probenraum<br />

flexible Partialdrücke einstellbar<br />

einseitiger Energieeintrag<br />

Ellipsoidspiegelofen<br />

Reflektor<br />

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N 2<br />

Lampe<br />

SiO 2 -Scheibe<br />

Substrat<br />

Kühlung<br />

Erweiterung des Substrat-Spektrums<br />

In-situ-Erwärmung an Bauteiloberflächen


Gesamt-Bestrahlungsstärke:<br />

E ges<br />

= ∫<br />

λ<br />

λ<br />

1<br />

2<br />

( α ⋅ E<br />

λ<br />

λ<br />

) ⋅ dλ<br />

Strahlungsöfen<br />

T [°C]<br />

Strahlungsleistung:<br />

Φ = σ ⋅ε<br />

⋅<br />

A ⋅T<br />

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4<br />

Überhitzungsphase<br />

Wirksamste Bereich/<br />

Optimum<br />

Erwärmungs-/<br />

Verdampfungsphase<br />

σ (Stefan-Boltzmann-Konst.)=5,67*10 -8 W/m 2 K 4<br />

ε (Wolfram)=0,32 (bei 2400 K)<br />

T=Wendeltemperatur<br />

A=strahlende Oberfläche


Strahlungsofen<br />

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© www.dlr.de

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