Untersuchung isolierender Werkstoffe und Teilentladungen
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TU Kaiserslautern<br />
Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />
Vertiefungslabor Energietechnik<br />
<strong>Untersuchung</strong> <strong>isolierender</strong> <strong>Werkstoffe</strong> <strong>und</strong> <strong>Teilentladungen</strong><br />
Versuch :<br />
0. Vorbemerkungen<br />
1. Einleitung<br />
2. Was sind <strong>Teilentladungen</strong> ?<br />
2.1. Innere Teilentladung:<br />
2.2. Äußere Teilentladung:<br />
3. Modellierung der TE<br />
4. Charakteristische Teilentladungsbilder<br />
5.1 Innere TE - Quellen<br />
5.2 Modellierung Innerer TE<br />
5.3 Äußere TE – Quellen<br />
5.4 Modellierung Äußerer TE<br />
6. Polaritätseffekt bei Äußeren – TE<br />
7. Raumladungsfeld<br />
8. Teilentladungsmessung<br />
9. Dielektrische Verluste<br />
10. Scheringmessbrücke<br />
10.1. Zeigerdiagramm der Scheringbrücke<br />
11.Wirkungsweise eines Oszillographischen Nullindikators<br />
12. Versuchsdurchführung <strong>und</strong> –Protokoll<br />
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0. Vorbemerkungen<br />
Vor der Versuchsdurchführung lesen Sie sich bitte nochmals die bei der<br />
Erstbesprechung herausgegebenen Sicherheitsvorschriften aufmerksam durch. Sichere<br />
Kenntnis, Beachtung <strong>und</strong> Anwendung dieser Regeln ist die Gr<strong>und</strong>voraussetzung für<br />
die Durchführung der Versuche in der Hochspannungstechnik. Ohne diese<br />
Kenntnisse (insbesondere der fünf Sicherheitsregeln) kann eine Durchführung<br />
des Laborversuchs nicht verantwortet werden! Weiterhin ist die Versuchsanleitung<br />
so ausgelegt , dass sie ohne Vorkenntnisse <strong>und</strong> ohne zusätzliche Literatur<br />
nachvollziehbar ist. Sollten Sie schon ausreichende Kenntnisse besitzen um die<br />
Testatfragen zu beantworten ist es nicht Notwendig die Vorbereitung<br />
durchzuarbeiten. Im Testat werden nur die in dem Versuchsprotokoll aufgeführten<br />
Testfragen gestellt.<br />
Die fünf Sicherheitsregeln:<br />
1. Allpolig freischalten!<br />
2. Gegen Wiedereinschalten sichern!<br />
3. Auf Spannungsfreiheit prüfen !<br />
4. Erden <strong>und</strong> Kurzschließen !<br />
5. Benachbarte unter Spannung stehende Teile,<br />
abschranken oder abdecken.<br />
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1. Einleitung<br />
Die Isolation spielt eine entscheidende Rolle in sicheren elektrischen Betriebsmitteln.<br />
Mit Hilfe aufwendiger Kontrollen <strong>und</strong> Überwachung der Isolatoren während der<br />
Produktion <strong>und</strong> sind Unregelmäßigkeiten an den Isolierstoffvolumen während der<br />
Herstellung oder im Betrieb nicht auszuschließen. Die Messgrößen die zur Beurteilung<br />
des Isolators herangezogen werden , werden an den Klemmen des Betriebsmittel<br />
gewonnen. Darüber werden die Vorgänge <strong>und</strong> den Zustand im inneren des Isolators<br />
gewonnen. Diese Ergebnisse werden dann durch eine geeignete Modellierung<br />
ausgewertet.<br />
Um die Qualität einer Isolierung zu Beurteilen ist die Teilentladungsmesstechnik eine<br />
bewährte Methode. Ein entscheidender Vorteil dieses Verfahrens ist die Tatsache dass<br />
gegenüber anderen Messmethoden der Prüfling einer zerstörungsfreien Prüfung<br />
unterzogen wird. Somit ist es möglich die Schwächen in der Isolation kostengünstig<br />
<strong>und</strong> schnell zu ermitteln, teilweise sogar während des laufenden Betriebs.<br />
Bei homogenen oder schwach inhomogenen elektrischen Feldern führt der Einssatz<br />
selbstständiger Entladungen sofort zum Durchschlag. Diese Erkenntnis kann mit Hilfe<br />
des Schwaigerischen Ausnutzungsfaktor gewonnen werden.<br />
Bei einer elektrischen Beanspruchung einer Geometrie wo sich ein stark inhomogener<br />
Feldverlauf ausbreitet kommt es nicht sofort zu einem vollständigen Durchschlag,<br />
obwohl die elektrische Durchschlagsfeldstärke örtlich überschritten ist. Es entstehen<br />
<strong>Teilentladungen</strong> ( TE, engl.: partial discharges = PD ). Dabei wird der Übergang<br />
zwischen Isolation <strong>und</strong> Elektrode nur teilweise überbrückt.<br />
Sehr häufig sind <strong>Teilentladungen</strong> durch Geräusche wahrnehmbar. Bei <strong>Teilentladungen</strong><br />
redet man auch von Korona oder Spratzen. Ein gegenwärtiges Beispiel dafür sind die<br />
Geräusche an der Hochspannungsleitung bei hoher Luftfeuchtigkeit oder im Winter.<br />
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Um die Gefahr möglicher Schädigungen an den Isolationen einzuschätzen , die durch<br />
die <strong>Teilentladungen</strong> verursacht werden, ist es nötig die damit verb<strong>und</strong>en<br />
physikalischen <strong>und</strong> chemischen Wirkungen zu kennen. Daraus wird ersichtlich dass es<br />
zwingend notwendig ist , auftretende <strong>Teilentladungen</strong> in Isolatoren messtechnisch zu<br />
ermitteln.<br />
2. Was sind <strong>Teilentladungen</strong> ?<br />
• Lokale elektrische Überbeanspruchung von Isoliermaterialien<br />
• Lokal begrenzte Durchschlagprozesse<br />
• Kurzzeitige Ladungsänderung an externen Anschlüssen<br />
• Teilentladung (TE) ist eine lokale elektrische Entladung, welche in Fehlstellen<br />
oder Inhomogenitäten entsteht. An den Prüflingsanschlüssen wird der<br />
Stromimpuls der TE gemessen.<br />
• Die Maßeinheit für die Teilentladung ist Coloumb [C] (1C enstpricht 1As).<br />
Übliche Messwerte für die <strong>Teilentladungen</strong> liegen zwischen 1 <strong>und</strong> 10000 pC.<br />
• In der Regel geht man davon aus, dass <strong>Teilentladungen</strong> kleiner 10 pC zu keiner<br />
Schädigung des Isolierstoffes führen.<br />
• Bei der Teilentladungsmessung handelt es sich um eine sogenannte<br />
“zerstörungsfreie Prüfung”, d.h. wenn keine hohen TE-Pegel auftreten, so wird<br />
der Prüfling nicht geschädigt. Zudem erhält man mit der<br />
Teilentladungsmessung einen Messwert über die Qualität des Prüflings.<br />
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Erscheinungsformen von TE an einfachen Isolieranordnungen<br />
A - TE im festen Isolierstoff (Treeing-Kanäle)<br />
B - Koronaentladung an Spitzen oder Kanten<br />
C - Oberflächen- oder gleitentladung<br />
D - Entladung in einem Schichtmaterial<br />
E - Hohlraumentladung in gasgefüllten Hohlräumen<br />
Unter dem Begriff „Teilentladung“ versteht man eine Vielzahl von<br />
phänomenologischen Entladungserscheinungen, dabei wird unterschieden zwischen<br />
innerer <strong>und</strong> äußerer Teilentladung.<br />
Es wird unterschieden zwischen “äußerer TE” außerhalb <strong>und</strong> “innerer TE” innerhalb<br />
des Prüflings.<br />
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2.1. Innere Teilentladung:<br />
Entladungen in gasgefüllten Hohlräumen in festen oder flüssigen Isolierstoffen. Der<br />
Gasraum kann dabei vollkommen vom Isolierstoff umgeben sein oder teilweise an<br />
eine Elektrode grenzen.<br />
Entladungen in festen Isolierstoffen, deren Struktur bereits durch vorhergehende<br />
Teildurchschläge aufgebrochen ist (treeing).<br />
2.2. Äußere Teilentladung:<br />
Oberflächen- oder Gleitentladungen an den Grenzschichten unterschiedlicher<br />
Isolierstoffe, wie z. B. an der Grenzfläche Gas/Feststoff oder Feststoff/Feststoff.<br />
Koronaentladungen an Spitzen, Kanten oder zylindrischen Leitern in Gasen, z. B. in<br />
Luft, gasisolierten Anlagen oder flüssigen Isolierstoffen.<br />
3. Modellierung der TE<br />
Entsprechend der dem Elektroingenieur geläufigen Vorgehensweise zur Erklärung<br />
elektrischer Phänomene möglichst auf Netzwerke mit konzentrierten Elementen<br />
zurückzugreifen, ist schon frühzeitig der Weg beschritten worden, Ersatzschaltbilder<br />
(ESB) für Anordnungen mit <strong>Teilentladungen</strong> zu entwickeln.<br />
Somit ist es möglich in den meisten Fällen auf Ort <strong>und</strong> Art des Fehlers zu schließen.<br />
Für die Messung der Intensität von <strong>Teilentladungen</strong> ist für eine Diagnose wenig<br />
hilfreich, weil an den Ladungsklemmen nur die „scheinbare Ladung“ gemessen wird<br />
<strong>und</strong> nicht die „wirkliche Ladung“ eines Teilentladungsimpuls.<br />
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Darum hat man ein Konzept entwickelt um mit aussagekräftigen Kenngrößen die an<br />
den äußeren Messklemmen auftreten <strong>und</strong> mit einem Oszilloskop darstellbar sind, die<br />
<strong>Teilentladungen</strong> zu beurteilen.<br />
• Phasenlage der <strong>Teilentladungen</strong><br />
• Polaritätseffekte<br />
• Impulshäufigkeit <strong>und</strong> –Regelmäßigkeit<br />
• Verhältnis von TE-Einsetzspannung zu TE-Aussetzspannung<br />
4. Charakteristische Teilentladungsbilder<br />
Mit einem empfindlichen Teilentladungsmessgerät werden die in einem<br />
Teilentladungsmesskreis Ströme an den Messklemmen verstärkt <strong>und</strong> am Oszilloskop<br />
dargestellt. Am Oszilloskop sind somit die charakteristischen Teilentladungsbilder mit<br />
ihrem Bezug zur anliegenden Wechselspannung zu erkennen. Die Amplitude der<br />
Impulse am Oszilloskop stellt ein Maß für die Impulsladung dar. Die<br />
charakteristischen Teilentladungsbilder stellen den Zustand kurz nach dem<br />
Teilentladungseinsatz dar. Bei weiterem erhöhen der Spannung , werden die<br />
Entladungsbilder sich erheblich verändern. Zu Beachten ist dass in den<br />
Oszilloskopbilder die positive Halbwelle der Wechselspannung oben <strong>und</strong> die negative<br />
Halbwelle der Wechselspannung unten dargestellt ist. Zwei Darstellungen für die<br />
charakteristische Teilentladungsbilder befinden sich im Anhang.<br />
Um im folgendem einige Begriffe zu Verstehen werden diese wie folgt definiert :<br />
Teilentladungseinsetzspannung (TEES) : Dies ist die niedrigste Spannung , bei der im<br />
Prüfkreis <strong>Teilentladungen</strong> beobachtet werden, wenn die an Prüfling angelegte<br />
Spannung langsam gesteigert wird.<br />
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Teilentladungsaussetzspannung (TEAS) : Dies ist die niedrigste Spannung, bei der<br />
noch im Prüfkreis <strong>Teilentladungen</strong> beobachtet werden können, wenn die am Prüfling<br />
angelegte Spannung, bei welcher noch <strong>Teilentladungen</strong> auftreten, abgesenkt wird.<br />
In einem Hystereseversuch, der nicht sehr weit über die Teilentladungseinsatzspannung<br />
hinausgeführt werden muss, wird das Verhältnis von TE - Einsetzspannung<br />
zu TE -Aussetzspannung bestimmt. Dabei kann in der Regel zwischen<br />
Koronaentladungen einerseits <strong>und</strong> Hohlraum- bzw. Oberflächenentladungen<br />
andererseits unterschieden werden.<br />
Scheinbare Ladung q : Die scheinbare Ladung q einer Teilentladung ist die Ladung,<br />
kurzzeitig zwischen den Klemmen des Prüflings eingespeist, die Spannung zwischen<br />
diesen Klemmen vorübergehendem den selben Wert ändert wie die Teilentladung<br />
selbst. Die scheinbare Ladung wird in Picocoulomb ausgedrückt.<br />
Die wahre Ladung ist die Summe der Oberflächenentladungen auf einer<br />
Isolierstoffbarriere. Diese Ladung kann nicht gemessen werden. Allerdings stoßen die<br />
negativen Oberflächenentladungen Elektronen der Elektrode ab. Dann ist es möglich<br />
über einen über einen Kapazitiven Messkreis, diesen Verschiebungsstrom zu messen.<br />
Dann resultiert aus dem Strom – Zeit – Integral die scheinbare Ladung q.<br />
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Phasenlage der <strong>Teilentladungen</strong> : Ein weiteres wichtiges Kriterium zur Beurteilung der<br />
Teilentladungsintensität über der Spannung , dabei wird die Intensität der scheinbaren<br />
Ladung logarithmisch über die Spannung aufgetragen. Bei einer gegebenen Geometrie<br />
ist die Phasenlage der Teilentladungsimpulse charakteristisch für den Ort der<br />
Teilentladung. Je nach Anordnung ergeben sich charakteristische Bilder , mit welchen<br />
eine Aussage auf den möglichen Ort der Teilentladung rückgeschlossen werden kann.<br />
5.1. Innere TE - Quellen<br />
Innere Te – Quellen entstehen wenn an Leitern <strong>und</strong> Spitzen kleine Krümmungsradien<br />
vorhanden sind , wodurch die Feldstärke an dem Punkt erhöht wird oder an leitfähige<br />
Partikel wobei die Flüssigkeit als Isolator dient. (Bild1)<br />
Diese erhöhte Feldstärken sind in Flüssigkeiten weniger kritisch als in Gasen weil die<br />
Flüssigkeiten eine erhöhte Festigkeit besitzen. Falls das Gas in den Flüssigkeiten sich<br />
in Form von Gasschichten oder Bläschen ausbreitet , stellt das eine besondere Gefahr<br />
dar. Die Festigkeit des Isolators nimmt somit drastisch ab , wodurch bei kleinerer<br />
Feldstärke <strong>Teilentladungen</strong> auftreten, weil die ohnehin schon elektrisch schwache<br />
Gasblase durch die Feldverdrängung stärker beansprucht wird. (Bild 2)<br />
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Insbesondere werden isolierende Flüssigkeiten wie Öl durch die umgebende<br />
Feuchtigkeit sehr stark beeinflusst. Diese Feuchtigkeit führet dazu dass die elektrische<br />
Festigkeit sehr stark abgesenkt wird. Der schlimmste Fall tritt dann ein , wenn sich<br />
tröpfchenförmiges Wasser aus dem Öl ausscheidet. Um diesen Feuchtigkeitseinfluss<br />
zu verhindern müssen ölisolierte Geräte mit entgastem <strong>und</strong> getrocknetem Öl unter<br />
Vakuum gefüllt werden.<br />
Tangentiale Überbeanspruchungen von den Isolierstoffübergängen wie sie an den<br />
Rändern Kondensatordielektrika auftreten , können durchaus zu<br />
Oberflächenentladungen führen.<br />
(Bild 3)<br />
Weiterhin können in Pressspannbarrierensystem bei Transformatoren innere TE<br />
auftreten wenn sich sogenannte Faserbrücken ausbilden.(Bild 4)<br />
Bei festen Isolierstoffen ist wegen der hohen elektrischen Festigkeit der Isolierstoffe<br />
die Verhältnisse anders. Anders als in Flüssigen Isolierstoffen treten dort die<br />
<strong>Teilentladungen</strong> praktisch nur durch innere Fehlstellen im Dielektrikum auf. Es<br />
handelt sich dabei meistens immer um Hohlräume , wobei man davon ausgeht dass<br />
diese Hohlräume mit Luft gefüllt sind. Durch die eingeschlossene Luft wird die<br />
elektrische Festigkeit im Dielektrikum herabgesetzt aufgr<strong>und</strong> der erhöhten<br />
Feldverdrängung. In diesem Fall spricht man auch von sogenannten Lunker. (Bild 5)<br />
Im Dielektrikum können Spalten entstehen durch Ablösung zwischen Dielektrikum<br />
<strong>und</strong> Elektrode. Mechanische Beanspruchungen <strong>und</strong> Versprödungen führen dazu dass<br />
Risse im Dielektrikum entstehen. (Bild 6)<br />
Ein erheblicher Nachteil nach einer Entladung in festen Isolierstoffen besteht darin ,<br />
dass die festen Dielektrika nicht die Fähigkeit der Regeneration besitzen. Anders als<br />
bei den Flüssigkeiten <strong>und</strong> Gasen. Dadurch kommt es zur fortschreitenden Erosion<br />
wodurch sich extreme Anforderungen an die Fertigungsqualität fester Isolierstoffe<br />
ergeben.<br />
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In Gasen entstehen Koronaentladungen ebenfalls wie in Flüssigkeiten durch eng<br />
verr<strong>und</strong>ete Spitzen oder Kanten, wodurch eine lokale Felderhöhung auftritt. Leiter mit<br />
zu geringem Durchmesser stellen ebenfalls eine Spitze dar , ebenso wie schafkantige<br />
Partikel. Elektroden die sich in Gasisolierstrecken befinden <strong>und</strong> auf denen durch<br />
Herstellungseinflüsse Oberflächenfehler entstehen sowie Kratzer,<br />
Schmutzablagerungen <strong>und</strong> Rauhigkeiten entstehen führen ebenfalls zu<br />
<strong>Teilentladungen</strong>. Leitfähige Partikel in einer Gasisolierstrecke z.B.: in Form von<br />
metallischer Späne sind besonders kritisch für <strong>Teilentladungen</strong>. Deshalb bedürfen<br />
Montage <strong>und</strong> Fertigung von gasisolierten Strecken besonderer Sorgfalt.<br />
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5.2. Modellierung Innerer TE<br />
Durch eine Fehlstelle im Dielektrikum entstehen innere TE. Die <strong>Teilentladungen</strong><br />
werden durch ein geeignetes Model durch ein Ersatzschaltbild dargestellt. Im<br />
kapazitivem Ersatzschaltbild ist der gasförmige Einschluss in einem festen oder<br />
flüssigen Isolierstoff durch C 1 symbolisiert. (Hohlraum, Lunker, Fehlstelle).<br />
Die in Reihe mit dem gasförmigen Einschluss liegende Kapazität des ges<strong>und</strong>en<br />
Dielektrikums stellt C 2 dar. Die parallel liegende Kapazität C 3 zu Reihenschaltung C 1<br />
<strong>und</strong> C 2 symbolisiert das intakte Dielektrikum. C 3 entspricht nahezu der<br />
Gesamtkapazität der Anordnung.<br />
Bei Wechselspannung erfolgt die Nachladung durch den kapazitiven<br />
Verschiebungsstrom der über die Teilkapazität C 2 fließt. Es gilt also dass C 3 >>C 2 .<br />
Außerdem ist auch C 1 >>C 2 <strong>und</strong> meistens kann man auch C 3 >C 1 annehmen.<br />
Der gasförmige Einschluss schlägt beim erreichen einer ausreichend hohen<br />
Zündspannung u z durch. Dies wird durch die Funkenstrecke F parallel zu C 1<br />
veranschaulicht. Der eingezeichnete Wiederstand R in Reihe zu der Funkenstrecke<br />
deutet den Widerstand des Entladungskanal nach Ansprechen der gedachten<br />
Funkenstrecke an .<br />
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Wird an die Klemmen der Ersatzschaltung eine sinusförmige Wechselspannung u(t)<br />
angelegt, so erscheint an der Fehlstellenkapazität C 1 für den Fall, dass keine Zündung<br />
der Funkenstrecke erfolgt, die Hohlraumspannung u10(t) = u1 . Entsprechend gilt dann<br />
das kapazitive Teilerverhältnis zwischen C 2 <strong>und</strong> C 3 ohne eine Phasenverschiebung<br />
von u(t) <strong>und</strong> u 1 .<br />
u10 t = C2 / C1 + C2<br />
u t<br />
( ) ( ) ⋅<br />
Überschreitet die Hohlraumspannung die Zündspannung u z der Gasstrecke kommt es<br />
zu einer selbstständigen Entladung im Hohlraum unter der Voraussetzung, dass die<br />
Funkenstrecke F bei einer konstanten <strong>und</strong> polaritätsunabhängigen Zündspannung u z<br />
durchzündet <strong>und</strong> ihre Löschspannung u Null ist, ergibt sich an C der dargestellte<br />
1 1<br />
Spannungsverlauf u 1 (t). Als Folge der Funkenstreckendurchschläge zu den<br />
Zeitpunkten t 1 ,t 2 ,t 3 ,…,t m einsetzenden Ausgleichsvorgänge fließen Impulsartige<br />
Ströme I TE in den Zuleitungen. Diese Impulsströme werden sich dem netzfrequenten<br />
Verschiebungsstrom überlagern <strong>und</strong> somit das Netz zusätzlich belasten.<br />
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Beim Absenken der Wechselspannung können <strong>Teilentladungen</strong> weiter existieren, auch<br />
wenn der Scheitelwert der Hohlraumspannung ohne <strong>Teilentladungen</strong> den Wert der<br />
Zündspannung nicht mehr erreicht. Wird die Löschspannung erreicht können keine TE<br />
mehr zünden. Die Teilentladungsaussetzspannung ist erreicht.<br />
Theoretisch kann die TE - Aussetzspannung um 50% unter der TE - Einsetzspannung<br />
liegen. Im Praktischen werden aber tatsächlich Absenkungen von 10%-35%<br />
festgestellt. Geräte müssen folglich demnach so konstruiert werden dass die<br />
Betriebsspannung auf jeden Fall unter de TE - Aussetzspannung liegt. Dadurch wird<br />
sichergestellt, dass vorübergehende Überspannungen die TE zünden werden auch<br />
wieder sicher während des Betriebs bei Betriebsspannung auch wieder löschen.<br />
5.3 Äußere TE – Quellen<br />
Die äußeren <strong>Teilentladungen</strong> beschränken sich auf Teilbereiche der Isolation <strong>und</strong><br />
führen somit nicht zu einem sofortigen Durchschlag oder Überschlag. Wie bei den<br />
Inneren TE ist auch hier die Ursache auf inhomogene Felder zurückzuführen.<br />
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Bei einem dünnen Leiter wird sich unmittelbar in seiner näheren äußeren Umgebung<br />
eine hohe Feldstärke einstellen aufgr<strong>und</strong> der Inhomogenität. In der direkten Nähe des<br />
dünnen Leiters werden sich somit selbstständige Gasentladungen z.B. in Luft<br />
ausbreiten. Wegen der starke Abnahme des elektrischen Feldes in Richtung Erdboden<br />
hin , also zur Gegenelektrode.<br />
Diese Anordnung ist typisch für eine Vielzahl von technischen Produkten, die mit<br />
möglichst geringem Aufwand die erforderliche Spannungsfestigkeit erreichen. Äußere<br />
<strong>Teilentladungen</strong> können bei einer Vielzahl von hochspannungstechnischen<br />
Anordnungen auftreten <strong>und</strong> daher nahezu jedes Betriebsmittel oder jede Anlage in der<br />
elektrischen Energietechnik betreffen.<br />
Die zweite wichtigste Klasse von Anwendungen , bei denen äußere <strong>Teilentladungen</strong><br />
entstehen können , sind die Isolierstoffe an deren Oberfläche hohe elektrische<br />
Feldstärke konstruktionsbedingt auftreten.<br />
Diese Form der <strong>Teilentladungen</strong> werden auch Oberflächenentladungen genannt. Eine<br />
besondere Herausforderung bei der Konstruktion ist es ,diese Entladungen zu<br />
Vermeiden.<br />
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Die Oberflächenentladungen in Gasen bzw. Luft stellen in der Hochspannungstechnik<br />
somit eine besonderes Gr<strong>und</strong>problem dar. In der Praxis wird versucht mit Hilfe von<br />
kapazitive Potential-Steuerungen sogenannte Durchführungen z.B.: bei<br />
Transformatoren oder durch geometrische Feldsteuerung bei Kabelendverschlüsse die<br />
Oberflächenentladung zu unterdrücken. Bei den Hochspannungsisolatoren versucht<br />
man den Kriechweg der Oberflächenentladung zu verlängern indem der Isolator nicht<br />
einen vollen Zylinder darstellt, sondern mit radialen Vertiefungen versehen ist.<br />
5.4. Modellierung äußerer TE<br />
Zur Veranschaulichung der äußeren TE wird oft die Spitze – Platte Anordnung<br />
bevorzugt. Zudem lässt sich dafür ein einfaches „klassisches“ Ersatzschaltbild<br />
darstellen. In der Umgebung der Spitze ist durch das starke inhomogene Feld ein<br />
ausreichend hohes elektrisches Feld. Dieser Feldbereich wird als Kondensator C<br />
modelliert. Nur in diesem Bereich können die für die Gasentladung ionisierende<br />
Prozesse ablaufen. Die Funkenstrecke F simuliert die Entladung des Kondensators ,<br />
somit also die Gasentladung im Bereich der Spitze. Die danach verbleibenden Ionen<br />
im Gasraum fließen dann über die Elektrode ab. Dies wird mit dem Wiederstand R<br />
dargestellt.<br />
Dieses Ersatzschaltbild erklärt die Tatsache, dass äußere <strong>Teilentladungen</strong> weitgehend<br />
abhängig vom Augenblickswert der Hochspannung auftreten, Bereiche mit geringeren<br />
Augenblickswerten der Hochspannung unterhalb der Zündspannung u z dagegen<br />
teilentladungsfrei bleiben. An Spitzenelektroden in Luft können jedoch je nach<br />
Augenblickswert der Feldstärke sehr unterschiedliche Entladungsformen auftreten.<br />
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Die sinusförmige Prüfspannung ist die Gesamtspannung der Spitze – Platte<br />
Anordnung. Die Spannung UC am Kondensator folgt dem sinusförmigen Verlauf.<br />
Beim erreichen der Zündspannung wird der Kondensator über die Funkenstrecke<br />
entladen. Nach dem Löschen der Funkenstrecke wird der Kondensator über den<br />
Wiederstand geladen. Dies stellt ein Reihenglied mit einer Zeitkonstante R/C dar.<br />
Diese Zeitkonstante bestimmt die Folgefrequenz der Entladungen. Charakteristisch für<br />
äußere <strong>Teilentladungen</strong> ist das Auftreten der äußeren <strong>Teilentladungen</strong> um die<br />
Scheitelwerte der anliegenden Wechselspannung. Die Höhe der Wechselspannung hat<br />
auch einen Einfluss auf die pro Halbwelle auftretenden Entladungen.<br />
Die Modellierung der äußeren TE <strong>und</strong> der daraus resultierende Verlauf der Spannung<br />
wird zudem auch noch über die Physik der Gasentladungsprozesse ermöglicht. Dies ist<br />
in der Literatur nachzuschlagen. Ein tieferes Verständnis der Mechanismen kann<br />
allerdings erst durch die Betrachtung der physikalischen Vorgänge der<br />
Gasentladungsprozesse gewonnen werden.<br />
6. Polaritätseffekt bei Äußeren – TE<br />
An einer Spitze – Platte Anordnung wird die Wechselspannung kontinuierlich<br />
gesteigert. Die ersten äußeren <strong>Teilentladungen</strong> entstehen bei negativer Polarität der<br />
Spitze im Scheitelwert der Wechselspannungen. Die Elektronenlawinen laufen von der<br />
Spitze in den Gasraum hinein. Mit der räumlich abnehmenden Feldstärke lagern sich<br />
die Elektronen an <strong>und</strong> bilden negative Ionen.<br />
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Zusammen mit den vor der Spitze verbleibenden positiven Ionen bildet sich ein<br />
Raumladungsfeld, das den Entladungsprozess beendet. Erst wenn die negativen Ionen<br />
weit genug abgewandert sind, <strong>und</strong> die Zündfeldstärke wieder erreicht wird , kann es<br />
zum nächsten Entladungsimpuls kommen. Die positiven Ionen erhöhen die Feldstärke<br />
der negativen Spitze, dies führt zu der niedrigen Einsatzfeldstärke bei negativer Spitze.<br />
Bei positiver Spitze starten die Elektronen im Gasvolumen vor der Spitze, wo<br />
aufgr<strong>und</strong> der inhomogenen Feldverteilung die Feldstärke noch ausreichend hoch ist.<br />
Bei positiver Spitze erfordert der Einsatz der äußeren <strong>Teilentladungen</strong> je nach<br />
inhomogenität des Feldes eine etwas höhere Feldstärke. Die Elektronenlawinen<br />
können sich mit Hilfe des Raumladungsfeldes der positiven Ionen vor der positiven<br />
Spitze weiter in das Gasvolumen hinein ausbilden. Dadurch werden die gemessenen<br />
Scheinladungen erheblich größer als bei negativer Spitze.<br />
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7. Raumladungsfeld<br />
Das Verhältnis zwischen den influenzierten Oberflächenladungsdichten an der<br />
positiven Spitze (Q1) <strong>und</strong> an der negativen Platte (Q2) an der negativen Platte wird<br />
durch das eindimensionale Raumladungsfeld dargestellt. Die negative <strong>und</strong> positive<br />
Differenzfläche bei den beiden Kurven heben sich bei einem Raumladungsfeld auf. In<br />
einer einfachen Näherung verhält sich die scheinbare Ladung umgekehrt proportional<br />
zu Schlagweite der inhomogenen Anordnung.<br />
8. Teilentladungsmessung<br />
Für TE-Prüfungen sind in der IEC-Norm 60270 zwei Gr<strong>und</strong>schaltungen angegeben.<br />
Für die Position der Messimpedanz (Ankopplungsvierpol) im Prüfkreis gibt es drei<br />
Möglichkeiten, die aus der Schaltung ersichtlich sind. Prinzipiell besteht ein TE-<br />
Prüfkreis aus folgenden Bestandteilen:<br />
• einem Prüfling C a<br />
• einem Koppelkondensator C K<br />
• einem Messsystem MI mit einer Messimpedanz CD<br />
• einer Hochspannungsquelle<br />
• Hochspannungsverbindungen<br />
• einer Impedanz oder einem Filter Z<br />
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Um die Teilentladungsstärke bei einer festgelegten Prüfspannung messen zu können,<br />
ist Voraussetzung, dass alle Komponenten des TE - Prüfkreises bis deutlich über der<br />
Prüfspannung teilentladungsfrei sind.<br />
Die hochfrequenten TE - Impulse sind der Prüfspannung überlagert <strong>und</strong> müssen zur<br />
Messung in geeigneter Weise aus dem Prüfkreis ausgekoppelt werden.<br />
Eine sehr häufig verwendete Schaltung ist unten wiedergegeben. Hierin ist der<br />
Prüfling vereinfacht als Kondensator C a dargestellt. Die TE - Impulse gelangen von C a<br />
über einen Koppelkondensator C K zur Messimpedanz CD.<br />
Prinzipiell ist ihre Aufgabe, die niederfrequenten Anteile (50 Hz -Netzkomponente)<br />
des über den Koppelkondensator fließenden Stroms herauszufiltern <strong>und</strong> das<br />
höherfrequente Spektrum möglichst breitbandig an das Messgerät MI zu übertragen.<br />
Die Kapazität des Koppelkondensators C K sollte möglichst groß sein gegenüber der<br />
Kapazität C a des Prüflings. Nur dadurch wird eine hohe TE - Messempfindlichkeit<br />
erzielt. Eine zu kleine Kapazität C K kann die TE - Impulse so abschwächen, dass sie<br />
von äußeren Störungen überdeckt werden.<br />
Für die Empfindlichkeit ε des TE - Messkreises gilt somit folgender Zusammenhang:<br />
ε = C / C + C<br />
k k a<br />
Ein Filter Z zwischen Prüfling <strong>und</strong> Hochspannungsversorgung dient dazu, Störungen<br />
aus dem Bereich der Spannungsquelle abzublocken <strong>und</strong> ein Abfließen der TE -<br />
Impulse über die Spannungsquelle zu verhindern.<br />
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Die Abbildung zeigt einen Prüfkreis, in dem der Ankopplungsvierpol CD direkt im<br />
Erdkreis des Prüflings liegt. Dies setzt voraus, dass der Prüfling vom Erdpotential<br />
isoliert aufgestellt werden kann. Der Rückschluss der TE - Impulse erfolgt über den<br />
Koppelkondensator C K . Äußere Störungen bei TE - Messungen können bis zu einem<br />
bestimmten Grad durch eine Brückenschaltung eliminiert werden, deren<br />
Funktionsweise u. a. in [DIN EN 60270 (VDE 0434)] beschrieben wird.<br />
TE-Prüfkreis – Messimpedanz CD in Reihe mit Koppelkondensator C K<br />
TE - Prüfkreis – Messimpedanz CD in Reihe mit dem Prüfling C a<br />
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U~ Hochspannungsversorgung<br />
Z mi<br />
Eingangsimpedanz des Messsystems<br />
CC Verbindungsleitung<br />
OL Lichtwellenleiterstrecke<br />
C a<br />
Prüfling<br />
C K<br />
Koppelkondensator<br />
CD Messimpedanz<br />
MI Messgerät<br />
Z Filter<br />
Innere <strong>Teilentladungen</strong> werden durch Entladung einer Hohlraumkapazität C 1 bei<br />
Überschreiten der Durchschlagspannung U d beschrieben. Der tatsächliche<br />
Ladungsumsatz<br />
ΔQ = C 1 * Δu h = C 1 * Du<br />
kann an den Klemmen des Prüflings nicht erfasst werden. uh = U d wirkt sich jedoch<br />
aufgr<strong>und</strong> der Spannungsaufteilung an C 2 <strong>und</strong> C 3 als Spannungseinbruch aus:<br />
Δu = Δu h * C 2 / (C 2 + C 3 ) = U d * C 2 / C a<br />
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Wenn angenommen wird, dass der Prüfling innerhalb mehrerer Nanosek<strong>und</strong>en<br />
induktiv vom übrigen Messkreis entkoppelt ist. Als Maß für diesen nicht direkt<br />
messbaren Spannungseinbruch wird die aus dem Koppelkondensator nachfließende<br />
Ladung erfasst, indem der Ankopplungsvierpol als Strommesswiderstand aufgefasst<br />
<strong>und</strong> das Signal im Teilentladungsmessgerät integriert wird.<br />
Dabei spielt es keine Rolle, ob die Strommessung im Zweig des Koppelkondensators<br />
oder im Zweig des Prüflings erfolgt. Diese messtechnisch erfassbare nachfließende<br />
Ladung wird als "scheinbare Ladung" bezeichnet, wie bereits oben erläutert.<br />
q S = Cp * Δu = Δu h * C 2 = ΔQ * C 2 / C 1<br />
bezeichnet, wobei angenommen wird, daß eine starre Quelle den Spannungseinbruch<br />
u voll-ständig ausgleichen kann. Da aber der Koppelkondensator keine starre<br />
Spannungsquelle bildet, verbleibt ein Spannungseinbruch u*. D.h. es wird nicht die<br />
gesamte scheinbare Ladung ausgeglichen, sondern nur die messbare Ladung<br />
q M = Ck * Δu*<br />
Für den Ladungsausgleich gilt<br />
Δu * (C k + C a ) = q S = C a * Δu.<br />
Aus den beiden letzten Gleichungen ergibt sich der Zusammenhang zwischen<br />
messbarer <strong>und</strong> scheinbarer Ladung:<br />
q M = q S C k / (C k + C a )<br />
Für C k >> C a ist q M gleich q S . Für kleinere Werte von C k nimmt q M ab. Insbesondere<br />
bei großen Prüflingskapazitäten (z.B. bei Kondensatoren, Kabeln oder<br />
Lagenwicklungen von Transformatoren) ist deshalb mit einer erheblich reduzierten<br />
Empfindlichkeit des TE - Messkreises zu rechnen.<br />
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9. Dielektrische Verluste<br />
Als dielektrischer Verlustfaktor tanδ eines Isolierstoffes gilt der Tangens des<br />
Fehlwinkels δ um den die Phasenverschiebung zwischen Strom <strong>und</strong> Spannung im<br />
Kondensator um Π/2 abweicht, wenn das Dielektrikum ausschließlich aus dem<br />
Isolierstoff besteht.<br />
Die Messungen der dielektrischen Verluste bei Wechselspannung erfolgen in der<br />
Hochspannung meistens mit der Brückenschaltung von Schering.<br />
Der Verlustfaktor tanδ ist das Verhältnis von Wirkleistung zu Blindleistung. Der<br />
Kehrwert wird als Güte Q bezeichnet (Nicht mit der Blindleistung Q b zu verwechseln)<br />
.<br />
Wirkleistung Pdiel U ⋅ I ⋅cosϕ<br />
Iw<br />
tanδ<br />
= = = =<br />
Blindleistung Qb U ⋅I ⋅ sinϕ<br />
Ib<br />
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Die am Isolator erzeugten Wirkleistungsverluste (Wärmeverluste) berechnen sich zu :<br />
2<br />
Pdiel<br />
= Qb<br />
⋅ tanδ = U ⋅ω⋅tanδ<br />
Aus dieser Gleichung geht hervor, dass die dielektrischen Verluste direkt proportional<br />
dem Verlustfaktor ansteigen. Demnach kann der Verlustfaktor als ein Maß für die im<br />
Betrieb zu erwartenden dielektrischen Verluste <strong>und</strong> die damit verb<strong>und</strong>ene Erwärmung<br />
des Isolierstoffes angesehen werden. Die Höhe des Verlustfaktors <strong>und</strong> seine<br />
Abhängigkeit von Temperatur, Frequenz <strong>und</strong> Feldstärke sind maßgebend für Güte <strong>und</strong><br />
Reinheitsgrad der Isolierung.<br />
Der Strom I durch das Dielektrikum ergibt sich unter Verwendung eines<br />
Parallelersatzschaltbildes aus R <strong>und</strong> C in komplexer Schreibweise zu:<br />
I = U / R+ j ⋅ω<br />
⋅CU<br />
⋅<br />
Durch Trennung von Real- <strong>und</strong> Imaginärteil des komplexen Stromes I erhält man den<br />
Wirkstrom Iw <strong>und</strong> den Blindstrom Ib zu :<br />
<strong>und</strong> den Verlustfaktor zu :<br />
Ib<br />
j ω CU<br />
= ⋅ ⋅ ⋅ Iw = U / R<br />
Iw U / R 1<br />
tanδ<br />
= = =<br />
Ib ω ⋅C⋅U ω ⋅R⋅<br />
C<br />
Der Verlustfaktor lässt sich entsprechenden den auftretenden Verlustarten im<br />
Dielektrikum in drei Komponenten aufspalten.<br />
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tan δ = tan δ L<br />
+ tan δ P<br />
+ tan δ I<br />
tan δ Gesamtverlustfaktor<br />
tan δ L<br />
Verlustfaktor durch Leitungsverluste<br />
tan δ P<br />
Verlustfaktor durch Polarisationsverluste<br />
tan δ I<br />
Verlustfaktor durch Ionisationsverluste (<strong>Teilentladungen</strong>)<br />
In den beiden untenstehenden Bildern ist die Abhängigkeit des Verlustfaktors tan δ<br />
von der Frequenz <strong>und</strong> der Feldstärke bei unterschiedlichen Temperaturen dargestellt.<br />
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10. Scheringmessbrücke<br />
Die Scheringmessbrücke ist eine aus Kapazitäten <strong>und</strong> Wiederständen gebildete<br />
Wechselstrombrücke. Dabei soll die Wellenlänge sehr viel größer sein als die<br />
Ausdehnung der Anordnung sein, sowohl beim Prüfling als auch bei der<br />
Messanordnung .<br />
Die zu bedienenden Abgleichelemente sind in einem geerdetem Gehäuse<br />
untergebracht, während der Prüfling Cx <strong>und</strong> ein möglichst verlustfreier Kondensator<br />
C2=C N an Hochspannung liegen. Das Nullinstrument darf nur für die<br />
Gr<strong>und</strong>schwingung der im allgemeinen von der Sinusform abweichendem<br />
Prüfspannung empfindlich sein. Die Brückeneckpunkte müssen durch<br />
Überspannungsschutzvorrichtungen gesichert werden, um bei einem Durchschlag des<br />
Prüflings Überspannungen im Niederspannungskreis zu verhindern.<br />
Die Kapazität <strong>und</strong> der Verlustfaktor des Prüfkörpers bestimmen sich aus der<br />
Einstellung des Widerstandes R3 <strong>und</strong> des Kondensator C4.<br />
Bei der Messung des dielektrischen Verlustfaktors werden Strom <strong>und</strong> Spannung als<br />
sinusförmig vorausgesetzt. Ihre Oberwellengehalt darf 1% nicht überschreiten um<br />
einen Einfluss auf den Prüfling <strong>und</strong> den Abgleichkondensator C4 zu verhindern<br />
andernfalls würden falsche Abgleichwerte ermittelt werden.<br />
Die Abschirmung:<br />
Da Messungen mit Wechselstrombrücken nach Schering sehr empfindlich sind,<br />
machen sich die Einflüsse von Teilkapazitäten gegen Erde, sowie induktive <strong>und</strong><br />
kapazitive Kopplungen zwischen den einzelnen Brückenzweigen stark bemerkbar.<br />
Um diese Einflüsse zu vermeiden werden doppelt geschirmte Messleitungen <strong>und</strong> ein<br />
automatischer Potentialregler verwendet, der das Wechselstrompotential der<br />
Schirmung auf dem Potential der Brückenpunkte „a“ <strong>und</strong> „b“ hält.<br />
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Der Abgleich:<br />
Der Abgleich erfolgt mittels R 3 <strong>und</strong> C 4 . Abgleich heißt dabei, dass die Brückenpunkte<br />
„a“ <strong>und</strong> „b“ identisches Potential haben. Dann fließt im Brückenzweig kein Strom. Der<br />
Nullindikator zeigt keinen Ausschlag an.<br />
Bei abgeglichener Brücke gilt für die Admittanzen der Brückenzweige<br />
Die Bedingung für den Abgleich der Brücke lautet:<br />
Zx Z2 Z 2<br />
= ⇔ Zx=<br />
Z 3<br />
Z3 Z4 Z3<br />
mit :<br />
Zx = Rx +<br />
1<br />
jωCx<br />
1<br />
Z 2 =<br />
jωC2<br />
Z3=<br />
R3<br />
R4<br />
Z 4 = 1+<br />
jωR 4 C 4<br />
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erhält man :<br />
1 R 3 ⎛ 1 ⎞ 3 4<br />
Rx + = ⎜ + jωC4⎟= R + R3<br />
C<br />
jωCx jωC2⎝R4 ⎠ jωC2 C2<br />
Vergleich von Real- <strong>und</strong> Imaginärteil liefert :<br />
C4<br />
R4<br />
Rx = R3 Cx = C2 C2<br />
R3<br />
Für den Verlustfaktor ergibt sich damit :<br />
UR<br />
I⋅<br />
Rx<br />
tanδ<br />
= = = ωRxCx<br />
UC<br />
I⋅(1/ ωCx)<br />
Nach Einsetzen von Rx <strong>und</strong> Cx erhält man schließlich :<br />
tanδ = ωR4C4<br />
Eine hochspannungstechnische Besonderheit stellt die Verwirklichung des<br />
Vergleichskondensators C 2 bzw. des Normalkondensators C N dar. Bei der Ableitung<br />
der Abgleichbedingung war vorausgesetzt worden, dass der Verlustfaktor des<br />
Vergleichskondensators gegenüber dem des Prüflings vernachlässigbar klein sein<br />
muss. Man verwendet daher Ausführungen mit Gas als besonders verlustarmem<br />
Dielektrikum. Besonders bewährt hat sich bei hohen Spannungen die 1928 von H.<br />
Schering <strong>und</strong> R. Vieweg angegebene Anordnung mit koaxialen Zylinderelektroden<br />
<strong>und</strong> Druckgasisolierung. Für Messungen der Kapazität C X ist eine genaue Kenntnis der<br />
Kapazität C 2 des Vergleichskondensators erforderlich. C 2 muss daher von<br />
Fremdeinflüssen möglichst unabhängig sein, was durch Schirmelektroden erreicht<br />
wird<br />
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10.1. Zeigerdiagramm der Scheringbrücke<br />
Die Abbildung zeigt für die Scheringbrücke das Strom- <strong>und</strong><br />
Spannungszeigerdiagramm für den abgeglichenen Zustand ( UAB = 0 ), ohne<br />
Berücksichtigung der Störgrößen.<br />
11.Wirkungsweise eines Oszillographischen Nullindikators<br />
Der oszillographische Nullindikator ist ein messempfindliches, selektiv arbeitendes<br />
<strong>und</strong> erschütterungsunempfindliches Nullinstrument zum Abgleich von<br />
Wechselstrombrücken <strong>und</strong> komplexen Kompensationseinrichtungen bei<br />
Niederfrequenz. Der Hauptvorteil des Geräts liegt darin, dass am Schirmbild erkannt<br />
werden kann, welche Abgleichelemente der Messeinrichtung zum Erzielen des<br />
Nullabgleichs zu bedienen sind. Hierdurch wird der Abgleichvorgang wesentlich<br />
vereinfacht <strong>und</strong> beschleunigt.<br />
30
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Die verstärkte <strong>und</strong> durch einen Tiefpass von Oberwellen gereinigte Messspanung wird<br />
den vertikalen Ablenkplatten einer Braun’schen Röhre zugeführt, so dass auf dem<br />
Bildschirm ein senkrechter Strich entsteht. An die horizontalen Ablenkplatten wird<br />
eine Spannung (Bezugsspannung) gleicher Frequenz <strong>und</strong> veränderbarer Phasenlage<br />
angelegt. Dadurch entstehen auf dem Bildschirm Lissajous-Figuren in Form von<br />
Ellipsen oder Strichen. Durch Verändern der Phasenlage von der Bezugsspannung<br />
kann man erreichen, dass bei Verstellen eines Abgleichelements der Messeinrichtung<br />
nur die Fläche der Ellipse, bei Verstellen des anderen nur die Neigung ihrer großen<br />
Halbachse geändert wird.<br />
Um möglichst schnell einen Phasenabgleich zwischen Messspannung <strong>und</strong><br />
Bezugsspannung herzustellen, wird der oszilloskopische Nullanzeiger auf die<br />
geringste Empfindlichkeitsstufe eingestellt. Auf dem Bildschirm erscheint eine<br />
schrägliegende Ellipse. Durch Betätigen der Abgleichelemente ist die Auslenkung in<br />
y-Richtung auf null zu verringern. Der waagrechte Strich ist auf die Bezugsspannung<br />
zurückzuführen. Die Brücke kann also innerhalb dieser Empfindlichkeitsstufe, als<br />
abgeglichen betrachtet werden. Nun wird die Messbrücke mit einer der beiden<br />
Abgleichelemente verstimmt, sodass wieder eine schrägliegende Ellipse erscheint. Mit<br />
dem Phasenregler (Aufschrift PHASE) wird nun die Ellipse so verändert, dass ein<br />
schrägliegender Strich erscheint. Anschließend wird die Messbrücke wieder in den<br />
vorabgeglichenen Zustand gebracht. Durch diesen Phasenabgleich ist eine<br />
Zugehörigkeit der Brückenelemente zu voneinander unabhängigen Figurenänderungen<br />
entstanden: Beim Verstellen eines Abgleichelements (z. B. 3 R ) verschiebt sich die<br />
Lage der großen Halbachse der Ellipse. Beim Verstellen des anderen<br />
Abgleichelements ( 4 C ) verändert sich die von der Ellipse eingeschlossene Fläche.<br />
Nun kann bei erhöhter Empfindlichkeit – mit dem Vorteil getrennter Ablesbarkeit der<br />
Abgleichelemente – der Schlussabgleich durchgeführt werden. Bis zum Erreichen der<br />
größten Empfindlichkeit kann ein weiterer Phasenabgleich notwendig werden.<br />
31
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Anschlussschema der Scheringmessbrücke mit automatischem Potentialregler <strong>und</strong><br />
oszilloskopischem Nullindikator.<br />
13. Literatur<br />
Küchler, A.: Hochspannungstechnik: Gr<strong>und</strong>lagen – Technologie – Anwendung.<br />
Kind, D.: Einführung in die Hochspannungs-Versuchstechnik.<br />
Weis, P.: Script Hochspannungstechnik 1<br />
Weis, P.: Script Hochspannungstechnik 2<br />
Temmen, K.: Gr<strong>und</strong>lagen der physikalischen Vorgängen 1 – Innere <strong>Teilentladungen</strong><br />
Kurrat, M.: Gr<strong>und</strong>lagen der physikalischen Vorgängen 2 – äußere <strong>Teilentladungen</strong><br />
Patsch, R.: Teilentladungsauswirkungen auf elektrische Isolierstoffe<br />
Welsch, A.: Hochspannungstechnik<br />
Schwab, A. Hochspannungsmesstechnik<br />
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Versuchsdurchführung <strong>und</strong> –Protokoll<br />
0. Fragen zum Themenkreis<br />
1. Was ändert sich gr<strong>und</strong>sätzlich am Teilentladungsbild für innere <strong>Teilentladungen</strong>,<br />
wenn u(t) gesteigert wird?<br />
2. Warum liegen die inneren <strong>Teilentladungen</strong> i.d.R. nicht symmetrisch um den<br />
Spannungsnulldurchgang?<br />
3. Nennen Sie wesentliche Kenngrößen zur Beschreibung von TE - Vorgängen!<br />
4. Welche Gesichtspunkte müssen beim Aufbau eines Versuchsstandes für TE -<br />
Messungen besonders berücksichtigt werden?<br />
5. Erläutern Sie anhand des vereinfachten Ersatzschaltbildes die Entstehung von<br />
<strong>Teilentladungen</strong> in Hohlräumen im Dielektrikum!<br />
6. Erklären Sie qualitativ die Entstehung von Entladungsimpulsen in Luft vor einer<br />
positiven <strong>und</strong> negativen Spitze!<br />
7.Geben Sie den Spannungsverlauf <strong>und</strong> das Ersatzschaltbild für äußere<br />
<strong>Teilentladungen</strong> an <strong>und</strong> erklären Sie ihre Entstehung!<br />
8.Was sind Gleitentladungen <strong>und</strong> wo treten sie auf!<br />
9. Durch welche physikalischen Vorgänge wird die Polarisation verursacht ? Welche<br />
Polarisationsarten kennen Sie ?<br />
10. Wie ist der tanδ eines Isolierstoffs definiert ? Zeichen Sie Ersatzschaltbild <strong>und</strong><br />
Zeigerdiagramm.<br />
11. Leiten sie aus den Abgleichbedingungen der klassischen Verlustfaktormessbrücke<br />
(Shering-Brücke) <strong>und</strong> die Beziehungen zur Berechnungen der Verlustleistung her.<br />
12. Erläutern sie am Ersatzschaltbild die Frequenzabhängigkeit des Verlustfaktors <strong>und</strong><br />
der Dielektrizitätszahl für einen Isolierstoff.<br />
13. Wie wirken sich Lufteinschlüsse (Hohlräume) im Isolierstoff auf den Verlustfaktor<br />
aus?<br />
14. Erklären Sie die entstehen von Entladungsimpulsen in Luft vor einer positiven <strong>und</strong><br />
negativen Spitze.<br />
15. Wie lassen sich innere <strong>Teilentladungen</strong> erklären <strong>und</strong> wo treten sie auf ? Wodurch<br />
unterscheiden sie sich von äußeren <strong>Teilentladungen</strong> ?<br />
16. Erklären Sie die Funktionsweise der Scheringmessbrücke<br />
33
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1. Spannungsabhängigkeit des Verlustfaktors<br />
Die Spannungsabhängigkeit des Verlustfaktors wird an 2 Prüflingen <strong>und</strong> an einem<br />
Radialfeldkabel bestimmt, die mögliche Modelle der Isolierung einer<br />
Hochspannungsisolierung darstellen. Dazu wird der Messaufbau wie in folgender<br />
Abbildung aufgebaut. C X ist der zu untersuchende Prüfling , wobei dieser in ein<br />
Schutzringkondensator eingebracht wird , um die Messung mit dem rein homogenen<br />
elektrischen Feld durchzuführen. Der Hochspannungs- bzw. Versorgungstransformator<br />
wird mit einem Stelltransformator (0V-220V) angesteuert .<br />
Bestimmen sie das Übersetzungsverhältnis des Versorgungstransformator : Ü = _____<br />
Bestimmen sie die Kapazität des Normal- bzw. Vergleichskondensators : C N = ______<br />
34
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Die gewünschte Spannung wird mit Hilfe eines DSO an der Hochspannungselektrode<br />
gemessen <strong>und</strong> eingestellt. Dazu muss die Spannung heruntergeteilt werden. Zur<br />
Verfügung steht ein kapazitiver Teiler mit einem Übersetzungsverhältnis Ü= 1/10.000.<br />
Stellen sie das Teilerverhältnis am DSO so ein , dass die Anzeige in KV/Div<br />
dargestellt wird. Teilerverhältnis DSO = _______<br />
Zur Messung der Leerlaufkapazität <strong>und</strong> des tanδ verbinden Sie die Messbrücke mit<br />
dem Normalkondensator <strong>und</strong> stellen sie am Plattenkondensator einen Abstand von<br />
5mm ein. Vor Anlegen der Hochspannung muss der Empfindlichkeitsregler des<br />
Oszilloskopischem Nullanzeigers bis zum linken Anschlag zurückgedreht sein<br />
(unempfindlichste Einstellung). Zur Bestimmung der gesuchten Kapazität C X ist es<br />
vorteilhaft, R4 möglichst groß, bei der Bestimmung des tanδ dagegen R4 möglichst<br />
klein zu wählen.<br />
Sollten während der Messung innere <strong>Teilentladungen</strong> auftreten , erkennbar am<br />
gezappel des Nullindikators , ist dies entsprechen in den Kästchen mit TE zu<br />
kennzeichnen.<br />
2. Leerlaufmessung<br />
Messen Sie den tanδ ohne Prüfling. Dazu wird die Brücke mit R3 <strong>und</strong> C4 abgeglichen.<br />
Nach jeder abgeglichener Stufe wird die Spannung auf den vorgegebenen Wert<br />
eingestellt <strong>und</strong> neu abgeglichen.<br />
U DSO<br />
[KV] R3 [Ω] R4 [Ω] C4 [nF] C 0 [nF] tan δ 0<br />
1,3<br />
5<br />
7<br />
35
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Benötigte Formeln : tanδ 0 = R4 * ω * C4<br />
C 0 = C N * R4/R3<br />
Was können sie bei der Messung feststellen?<br />
_____________________________________________________________________<br />
_____________________________________________________________________<br />
_____________________________________________________________________<br />
3. Probenmessung<br />
Befestigen Sie die 150 X 150 X 5 mm PVDF - Platte am Schutzringkondensator.<br />
Führen sie die gleiche Messung wie unter Punkt 2 durch.<br />
U_oszi<br />
[KV] R3 [Ω] R4 [Ω] C4 [nF] CX [nF] tan δ x<br />
1,3<br />
5<br />
7<br />
10<br />
13<br />
Weshalb ist diese Messung etwas umständlicher ? Wie wird dieses Problem in der<br />
Praxis gelöst ?<br />
_____________________________________________________________________<br />
_____________________________________________________________________<br />
_____________________________________________________________________<br />
Befestigen Sie die 150 X 150 X 5 mm 2. – Platte am Schutzringkondensator.<br />
Führen sie die gleiche Messung wie unter Punkt 2,3 durch.<br />
36
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U_oszi<br />
[KV] R3 [Ω] R4 [Ω] C4 [nF] CX [nF] tan δ x<br />
1,3<br />
5<br />
7<br />
10<br />
13<br />
Bestimmen sie den Verlustfaktor tanδ r der Probekörper sowie die relative<br />
Permittivitätszahl ε r der Prüflinge.<br />
PVDF<br />
U DSO 1,3 5 7 10 13<br />
tan δr<br />
ε r<br />
2.<br />
U DSO 1,3 5 7 10 13<br />
tan δr<br />
ε r<br />
Benötigte Formeln : tan δr = tan δx - tan δ 0<br />
ε r = C X / C 0<br />
Was können Sie über tan δr in Folge steigender Spannung aussagen ?<br />
_____________________________________________________________________<br />
_____________________________________________________________________<br />
_____________________________________________________________________<br />
_____________________________________________________________________<br />
_____________________________________________________________________<br />
37
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4. Radialfeldkabel<br />
Ersetzen Sie den Prüfling <strong>und</strong> schließen sie das Radialfeldkabel der Länge 1,55m an<br />
die Schering-Brücke.<br />
Bei Radialfeldkabeln bilden die Leiter nur Teilkapazitäten gegen Erde, da sie<br />
gegenseitig durch einen Metallmantel abgeschirmt sind. Im Folgendem wird für eine<br />
symmetrische Drehstromleitung die Betriebskapazität CB = C10 in [μF/Km] einer<br />
Phase bestimmt.<br />
38
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Bestimmen sie zuerst wie das Kabel an die Brücke angeschlossen werden muss.<br />
Ermitteln Sie dann das C X , C B <strong>und</strong> tanδ bei einer fester Spannung von 5 KV. Messen<br />
sie den Verlustfaktor indem sie unterschiedliche Empfindlichkeitsstufen (Über R4)<br />
der Scheringmessbrücke einstellen <strong>und</strong> dann den Mittelwert bilden.<br />
R4 [Ω] R3 [Ω] C4 [nF] C X [nF] tan δ x<br />
500<br />
1000<br />
2000<br />
tanδ : _____<br />
C x: _____<br />
C a: _____<br />
Würde sich bei erhöhen der Spannung auf z.B. 10 KV sich das tanδ stark verändern ?<br />
Warum ? Was hätte dies zur Folge ?<br />
_____________________________________________________________________<br />
_____________________________________________________________________<br />
_____________________________________________________________________<br />
_____________________________________________________________________<br />
_____________________________________________________________________<br />
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5. Äußere <strong>Teilentladungen</strong><br />
Die <strong>Teilentladungen</strong> werden an vier unterschiedlichen Geometrien demonstriert. Dazu<br />
sind jeweils die Teilentladungsstärken sowie die Phase der Teilentladungsimpulse<br />
aufzunehmen.<br />
U~ Hochspannungsversorgung Z mi<br />
Eingangsimpedanz des Messsystems<br />
CC Verbindungsleitung C a<br />
Prüfling<br />
C K<br />
Koppelkondensator CD Messimpedanz<br />
MI Messgerät Z Filter<br />
Alle Erläuterungen zum Schaltbild sind in der Vorbereitung erwähnt.<br />
Entfernen sie den Schutzringkondensator von dem Prüfkreis <strong>und</strong> bauen sie die Platte-<br />
Platte Anordnung auf. Entfernen Sie auch den Anschluss der Sheringmeßbrücke.<br />
Wichtig:<br />
Es muss immer Phasengleichheit zwischen der Versorgungsspannung des TE –<br />
Messgeräts <strong>und</strong> der Prüfwechselspannung gewährleistet sein. Dies kann mit einem<br />
Hochspannungsteiler <strong>und</strong> einem Oszilloskop kontrolliert werden. Dabei ist die Polung<br />
( L - N ) der Steckdose zu beachten <strong>und</strong> gegebenenfalls der Stecker umzudrehen.<br />
40
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6. Prüfaufbau<br />
Vor der eigentlichen TE - Messung sollte überprüft werden bis zu welcher Spannung<br />
der Prüfaufbau TE frei ist, um sicherzustellen, dass der Prüfaufbau selbst das<br />
Messergebnis nicht verfälscht. Verwenden Sie anstelle eines Prüflings eine Platte-<br />
Platte-Anordnung mit großem Abstand (min. 5 cm). Steigern Sie die Prüfspannung in<br />
5-kV-Schritten auf max. 50 kV <strong>und</strong> tragen Sie die gemessenen TE - Stärken in pC in<br />
eine Tabelle ein.<br />
U[KV] 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50<br />
pC<br />
Bis zu welcher Prüfspannung kann der Aufbau alleine als „TE frei“ angesehen<br />
werden? ______________________________________________________________<br />
7. Platte – Platte Anordnung<br />
Lassen Sie nun die beiden Platten <strong>und</strong> verändern den Abstand auf 1 cm. Führen Sie<br />
den Spannungssteigerungsversuch durch.<br />
Was stellen Sie fest ? Warum ?<br />
_____________________________________________________________________<br />
_____________________________________________________________________<br />
_____________________________________________________________________<br />
8. Teilentladung an einer Spitze-Platte-Anordnung<br />
Montieren Sie die Spitze-Platte-Anordnung mit einem Abstand von 3 cm. Legen Sie<br />
Spannung an die Platte <strong>und</strong> erden Sie die Spitze. Steigern Sie die Spannung schrittweise von<br />
17KV bis 24 kV <strong>und</strong> messen Sie jeweils die TE - Stärke. Anschließend vermindern Sie die<br />
Spannung wieder schrittweise.<br />
41
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Negative Spitze<br />
U[KV] 17 18 19 20 21 22 23 24<br />
pC<br />
TEE : _______ TEA: _______ TEE/TEA: _______<br />
Legen Sie jetzt die Spannung an die Spitze, erden Sie die Platte <strong>und</strong> führen Sie die Messung<br />
erneut durch. Tragen Sie die Teilentladungsimpulse in das Diagnoseschema ein.<br />
Positive Spitze<br />
U[KV] 17 18 19 20 21 22 23 24<br />
pC<br />
TEE : _______ TEA: _______ TEE/TEA: _______<br />
Stellen Sie die TE -Stärke über der Spannung für beide Messungen dar <strong>und</strong> geben Sie die Ein<strong>und</strong><br />
Aussetzspannung an. Tragen Sie die Teilentladungsimpulse in das Diagnoseschema ein.<br />
TE / TE-MAX<br />
1<br />
0,9<br />
0,8<br />
0,7<br />
0,6<br />
0,5<br />
0,4<br />
0,3<br />
0,2<br />
0,1<br />
0<br />
17 18 19 20 21 22 23 24<br />
Spannung [KV]<br />
Was stellen Sie fest? Stimmt dies mit der Theorie überein ?<br />
_____________________________________________________________________<br />
_____________________________________________________________________<br />
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Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />
9. Gleitentladung<br />
Eine typische Gleitentladung wird durch eine zwischen einer Kugel- <strong>und</strong><br />
Plattenelektrode eingespannte Hartfaserplatte mit den Maßen 150 mm x 150 mm x 5<br />
mm realisiert. Die Kugel hat einen Durchmesser von 50 mm <strong>und</strong> wird auf<br />
Hochspannung gelegt. Durch die Dicke der Hartfaserplatte (PC) wird der<br />
Elektrodenabstand festgelegt. Es ist die Spannung schrittweise von 1 kV bis 5 kV zu<br />
steigern <strong>und</strong> wieder bis 1 kV zu verringern. Die TE - Stärke ist zu notieren <strong>und</strong> die TE<br />
Ein- <strong>und</strong> Aussetzspannung ist zu ermitteln. Zeichnen Sie die Lage der TE -Impulse in<br />
ein Phasen-Diagramm ein. Bestimmen Sie den Bereich der Phasenlage der Spannung<br />
in Grad in dem die TE-Impulse auftreten. Stellen Sie die TE-Stärke über der Spannung<br />
für die Gleitanordnung für d=5 mm dar.<br />
U[KV] 0 1 2 3 4 5 6 7<br />
pC<br />
TE / TE-MAX<br />
1<br />
0,9<br />
0,8<br />
0,7<br />
0,6<br />
0,5<br />
0,4<br />
0,3<br />
0,2<br />
0,1<br />
0<br />
0 1 2 3 4 5 6<br />
Spannung [KV]<br />
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Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />
Stellen Sie die TE - Ein- <strong>und</strong> Aussetzspannung über dem Elektrodenabstand (5, 7, 9<br />
mm) dar.<br />
TEE/TEA 5mm : _____________<br />
TEE/TEA 7mm : _____________<br />
TEE/TEA 9mm : _____________<br />
1<br />
0,95<br />
0,9<br />
TEA / TEE<br />
0,85<br />
0,8<br />
0,75<br />
0,7<br />
0,65<br />
0,6<br />
5 5,5 6 6,5 7 7,5 8 8,5 9<br />
Abstand [mm]<br />
10. Spitze – Kugel – Anordnung<br />
Führen Sie eine Teilentladungsmessung gemäß dem TE - Diagnoseschema an der Spitze-<br />
Kugel- Anordnung durch. Die Dauer des Hystereseversuch ist nach Maßgabe des Betreuers<br />
durchzuführen. Nehmen Sie die Hysterese mit Hilfe des X/Y-Schreibers auf. Tragen Sie im<br />
Diagnoseschema die Teilentladungsimpulse ein.<br />
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