19.11.2013 Aufrufe

Untersuchung isolierender Werkstoffe und Teilentladungen

Untersuchung isolierender Werkstoffe und Teilentladungen

Untersuchung isolierender Werkstoffe und Teilentladungen

MEHR ANZEIGEN
WENIGER ANZEIGEN

Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.

YUMPU macht aus Druck-PDFs automatisch weboptimierte ePaper, die Google liebt.

TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Vertiefungslabor Energietechnik<br />

<strong>Untersuchung</strong> <strong>isolierender</strong> <strong>Werkstoffe</strong> <strong>und</strong> <strong>Teilentladungen</strong><br />

Versuch :<br />

0. Vorbemerkungen<br />

1. Einleitung<br />

2. Was sind <strong>Teilentladungen</strong> ?<br />

2.1. Innere Teilentladung:<br />

2.2. Äußere Teilentladung:<br />

3. Modellierung der TE<br />

4. Charakteristische Teilentladungsbilder<br />

5.1 Innere TE - Quellen<br />

5.2 Modellierung Innerer TE<br />

5.3 Äußere TE – Quellen<br />

5.4 Modellierung Äußerer TE<br />

6. Polaritätseffekt bei Äußeren – TE<br />

7. Raumladungsfeld<br />

8. Teilentladungsmessung<br />

9. Dielektrische Verluste<br />

10. Scheringmessbrücke<br />

10.1. Zeigerdiagramm der Scheringbrücke<br />

11.Wirkungsweise eines Oszillographischen Nullindikators<br />

12. Versuchsdurchführung <strong>und</strong> –Protokoll<br />

1


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

0. Vorbemerkungen<br />

Vor der Versuchsdurchführung lesen Sie sich bitte nochmals die bei der<br />

Erstbesprechung herausgegebenen Sicherheitsvorschriften aufmerksam durch. Sichere<br />

Kenntnis, Beachtung <strong>und</strong> Anwendung dieser Regeln ist die Gr<strong>und</strong>voraussetzung für<br />

die Durchführung der Versuche in der Hochspannungstechnik. Ohne diese<br />

Kenntnisse (insbesondere der fünf Sicherheitsregeln) kann eine Durchführung<br />

des Laborversuchs nicht verantwortet werden! Weiterhin ist die Versuchsanleitung<br />

so ausgelegt , dass sie ohne Vorkenntnisse <strong>und</strong> ohne zusätzliche Literatur<br />

nachvollziehbar ist. Sollten Sie schon ausreichende Kenntnisse besitzen um die<br />

Testatfragen zu beantworten ist es nicht Notwendig die Vorbereitung<br />

durchzuarbeiten. Im Testat werden nur die in dem Versuchsprotokoll aufgeführten<br />

Testfragen gestellt.<br />

Die fünf Sicherheitsregeln:<br />

1. Allpolig freischalten!<br />

2. Gegen Wiedereinschalten sichern!<br />

3. Auf Spannungsfreiheit prüfen !<br />

4. Erden <strong>und</strong> Kurzschließen !<br />

5. Benachbarte unter Spannung stehende Teile,<br />

abschranken oder abdecken.<br />

2


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

1. Einleitung<br />

Die Isolation spielt eine entscheidende Rolle in sicheren elektrischen Betriebsmitteln.<br />

Mit Hilfe aufwendiger Kontrollen <strong>und</strong> Überwachung der Isolatoren während der<br />

Produktion <strong>und</strong> sind Unregelmäßigkeiten an den Isolierstoffvolumen während der<br />

Herstellung oder im Betrieb nicht auszuschließen. Die Messgrößen die zur Beurteilung<br />

des Isolators herangezogen werden , werden an den Klemmen des Betriebsmittel<br />

gewonnen. Darüber werden die Vorgänge <strong>und</strong> den Zustand im inneren des Isolators<br />

gewonnen. Diese Ergebnisse werden dann durch eine geeignete Modellierung<br />

ausgewertet.<br />

Um die Qualität einer Isolierung zu Beurteilen ist die Teilentladungsmesstechnik eine<br />

bewährte Methode. Ein entscheidender Vorteil dieses Verfahrens ist die Tatsache dass<br />

gegenüber anderen Messmethoden der Prüfling einer zerstörungsfreien Prüfung<br />

unterzogen wird. Somit ist es möglich die Schwächen in der Isolation kostengünstig<br />

<strong>und</strong> schnell zu ermitteln, teilweise sogar während des laufenden Betriebs.<br />

Bei homogenen oder schwach inhomogenen elektrischen Feldern führt der Einssatz<br />

selbstständiger Entladungen sofort zum Durchschlag. Diese Erkenntnis kann mit Hilfe<br />

des Schwaigerischen Ausnutzungsfaktor gewonnen werden.<br />

Bei einer elektrischen Beanspruchung einer Geometrie wo sich ein stark inhomogener<br />

Feldverlauf ausbreitet kommt es nicht sofort zu einem vollständigen Durchschlag,<br />

obwohl die elektrische Durchschlagsfeldstärke örtlich überschritten ist. Es entstehen<br />

<strong>Teilentladungen</strong> ( TE, engl.: partial discharges = PD ). Dabei wird der Übergang<br />

zwischen Isolation <strong>und</strong> Elektrode nur teilweise überbrückt.<br />

Sehr häufig sind <strong>Teilentladungen</strong> durch Geräusche wahrnehmbar. Bei <strong>Teilentladungen</strong><br />

redet man auch von Korona oder Spratzen. Ein gegenwärtiges Beispiel dafür sind die<br />

Geräusche an der Hochspannungsleitung bei hoher Luftfeuchtigkeit oder im Winter.<br />

3


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Um die Gefahr möglicher Schädigungen an den Isolationen einzuschätzen , die durch<br />

die <strong>Teilentladungen</strong> verursacht werden, ist es nötig die damit verb<strong>und</strong>en<br />

physikalischen <strong>und</strong> chemischen Wirkungen zu kennen. Daraus wird ersichtlich dass es<br />

zwingend notwendig ist , auftretende <strong>Teilentladungen</strong> in Isolatoren messtechnisch zu<br />

ermitteln.<br />

2. Was sind <strong>Teilentladungen</strong> ?<br />

• Lokale elektrische Überbeanspruchung von Isoliermaterialien<br />

• Lokal begrenzte Durchschlagprozesse<br />

• Kurzzeitige Ladungsänderung an externen Anschlüssen<br />

• Teilentladung (TE) ist eine lokale elektrische Entladung, welche in Fehlstellen<br />

oder Inhomogenitäten entsteht. An den Prüflingsanschlüssen wird der<br />

Stromimpuls der TE gemessen.<br />

• Die Maßeinheit für die Teilentladung ist Coloumb [C] (1C enstpricht 1As).<br />

Übliche Messwerte für die <strong>Teilentladungen</strong> liegen zwischen 1 <strong>und</strong> 10000 pC.<br />

• In der Regel geht man davon aus, dass <strong>Teilentladungen</strong> kleiner 10 pC zu keiner<br />

Schädigung des Isolierstoffes führen.<br />

• Bei der Teilentladungsmessung handelt es sich um eine sogenannte<br />

“zerstörungsfreie Prüfung”, d.h. wenn keine hohen TE-Pegel auftreten, so wird<br />

der Prüfling nicht geschädigt. Zudem erhält man mit der<br />

Teilentladungsmessung einen Messwert über die Qualität des Prüflings.<br />

4


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Erscheinungsformen von TE an einfachen Isolieranordnungen<br />

A - TE im festen Isolierstoff (Treeing-Kanäle)<br />

B - Koronaentladung an Spitzen oder Kanten<br />

C - Oberflächen- oder gleitentladung<br />

D - Entladung in einem Schichtmaterial<br />

E - Hohlraumentladung in gasgefüllten Hohlräumen<br />

Unter dem Begriff „Teilentladung“ versteht man eine Vielzahl von<br />

phänomenologischen Entladungserscheinungen, dabei wird unterschieden zwischen<br />

innerer <strong>und</strong> äußerer Teilentladung.<br />

Es wird unterschieden zwischen “äußerer TE” außerhalb <strong>und</strong> “innerer TE” innerhalb<br />

des Prüflings.<br />

5


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

2.1. Innere Teilentladung:<br />

Entladungen in gasgefüllten Hohlräumen in festen oder flüssigen Isolierstoffen. Der<br />

Gasraum kann dabei vollkommen vom Isolierstoff umgeben sein oder teilweise an<br />

eine Elektrode grenzen.<br />

Entladungen in festen Isolierstoffen, deren Struktur bereits durch vorhergehende<br />

Teildurchschläge aufgebrochen ist (treeing).<br />

2.2. Äußere Teilentladung:<br />

Oberflächen- oder Gleitentladungen an den Grenzschichten unterschiedlicher<br />

Isolierstoffe, wie z. B. an der Grenzfläche Gas/Feststoff oder Feststoff/Feststoff.<br />

Koronaentladungen an Spitzen, Kanten oder zylindrischen Leitern in Gasen, z. B. in<br />

Luft, gasisolierten Anlagen oder flüssigen Isolierstoffen.<br />

3. Modellierung der TE<br />

Entsprechend der dem Elektroingenieur geläufigen Vorgehensweise zur Erklärung<br />

elektrischer Phänomene möglichst auf Netzwerke mit konzentrierten Elementen<br />

zurückzugreifen, ist schon frühzeitig der Weg beschritten worden, Ersatzschaltbilder<br />

(ESB) für Anordnungen mit <strong>Teilentladungen</strong> zu entwickeln.<br />

Somit ist es möglich in den meisten Fällen auf Ort <strong>und</strong> Art des Fehlers zu schließen.<br />

Für die Messung der Intensität von <strong>Teilentladungen</strong> ist für eine Diagnose wenig<br />

hilfreich, weil an den Ladungsklemmen nur die „scheinbare Ladung“ gemessen wird<br />

<strong>und</strong> nicht die „wirkliche Ladung“ eines Teilentladungsimpuls.<br />

6


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Darum hat man ein Konzept entwickelt um mit aussagekräftigen Kenngrößen die an<br />

den äußeren Messklemmen auftreten <strong>und</strong> mit einem Oszilloskop darstellbar sind, die<br />

<strong>Teilentladungen</strong> zu beurteilen.<br />

• Phasenlage der <strong>Teilentladungen</strong><br />

• Polaritätseffekte<br />

• Impulshäufigkeit <strong>und</strong> –Regelmäßigkeit<br />

• Verhältnis von TE-Einsetzspannung zu TE-Aussetzspannung<br />

4. Charakteristische Teilentladungsbilder<br />

Mit einem empfindlichen Teilentladungsmessgerät werden die in einem<br />

Teilentladungsmesskreis Ströme an den Messklemmen verstärkt <strong>und</strong> am Oszilloskop<br />

dargestellt. Am Oszilloskop sind somit die charakteristischen Teilentladungsbilder mit<br />

ihrem Bezug zur anliegenden Wechselspannung zu erkennen. Die Amplitude der<br />

Impulse am Oszilloskop stellt ein Maß für die Impulsladung dar. Die<br />

charakteristischen Teilentladungsbilder stellen den Zustand kurz nach dem<br />

Teilentladungseinsatz dar. Bei weiterem erhöhen der Spannung , werden die<br />

Entladungsbilder sich erheblich verändern. Zu Beachten ist dass in den<br />

Oszilloskopbilder die positive Halbwelle der Wechselspannung oben <strong>und</strong> die negative<br />

Halbwelle der Wechselspannung unten dargestellt ist. Zwei Darstellungen für die<br />

charakteristische Teilentladungsbilder befinden sich im Anhang.<br />

Um im folgendem einige Begriffe zu Verstehen werden diese wie folgt definiert :<br />

Teilentladungseinsetzspannung (TEES) : Dies ist die niedrigste Spannung , bei der im<br />

Prüfkreis <strong>Teilentladungen</strong> beobachtet werden, wenn die an Prüfling angelegte<br />

Spannung langsam gesteigert wird.<br />

7


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Teilentladungsaussetzspannung (TEAS) : Dies ist die niedrigste Spannung, bei der<br />

noch im Prüfkreis <strong>Teilentladungen</strong> beobachtet werden können, wenn die am Prüfling<br />

angelegte Spannung, bei welcher noch <strong>Teilentladungen</strong> auftreten, abgesenkt wird.<br />

In einem Hystereseversuch, der nicht sehr weit über die Teilentladungseinsatzspannung<br />

hinausgeführt werden muss, wird das Verhältnis von TE - Einsetzspannung<br />

zu TE -Aussetzspannung bestimmt. Dabei kann in der Regel zwischen<br />

Koronaentladungen einerseits <strong>und</strong> Hohlraum- bzw. Oberflächenentladungen<br />

andererseits unterschieden werden.<br />

Scheinbare Ladung q : Die scheinbare Ladung q einer Teilentladung ist die Ladung,<br />

kurzzeitig zwischen den Klemmen des Prüflings eingespeist, die Spannung zwischen<br />

diesen Klemmen vorübergehendem den selben Wert ändert wie die Teilentladung<br />

selbst. Die scheinbare Ladung wird in Picocoulomb ausgedrückt.<br />

Die wahre Ladung ist die Summe der Oberflächenentladungen auf einer<br />

Isolierstoffbarriere. Diese Ladung kann nicht gemessen werden. Allerdings stoßen die<br />

negativen Oberflächenentladungen Elektronen der Elektrode ab. Dann ist es möglich<br />

über einen über einen Kapazitiven Messkreis, diesen Verschiebungsstrom zu messen.<br />

Dann resultiert aus dem Strom – Zeit – Integral die scheinbare Ladung q.<br />

8


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Phasenlage der <strong>Teilentladungen</strong> : Ein weiteres wichtiges Kriterium zur Beurteilung der<br />

Teilentladungsintensität über der Spannung , dabei wird die Intensität der scheinbaren<br />

Ladung logarithmisch über die Spannung aufgetragen. Bei einer gegebenen Geometrie<br />

ist die Phasenlage der Teilentladungsimpulse charakteristisch für den Ort der<br />

Teilentladung. Je nach Anordnung ergeben sich charakteristische Bilder , mit welchen<br />

eine Aussage auf den möglichen Ort der Teilentladung rückgeschlossen werden kann.<br />

5.1. Innere TE - Quellen<br />

Innere Te – Quellen entstehen wenn an Leitern <strong>und</strong> Spitzen kleine Krümmungsradien<br />

vorhanden sind , wodurch die Feldstärke an dem Punkt erhöht wird oder an leitfähige<br />

Partikel wobei die Flüssigkeit als Isolator dient. (Bild1)<br />

Diese erhöhte Feldstärken sind in Flüssigkeiten weniger kritisch als in Gasen weil die<br />

Flüssigkeiten eine erhöhte Festigkeit besitzen. Falls das Gas in den Flüssigkeiten sich<br />

in Form von Gasschichten oder Bläschen ausbreitet , stellt das eine besondere Gefahr<br />

dar. Die Festigkeit des Isolators nimmt somit drastisch ab , wodurch bei kleinerer<br />

Feldstärke <strong>Teilentladungen</strong> auftreten, weil die ohnehin schon elektrisch schwache<br />

Gasblase durch die Feldverdrängung stärker beansprucht wird. (Bild 2)<br />

9


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Insbesondere werden isolierende Flüssigkeiten wie Öl durch die umgebende<br />

Feuchtigkeit sehr stark beeinflusst. Diese Feuchtigkeit führet dazu dass die elektrische<br />

Festigkeit sehr stark abgesenkt wird. Der schlimmste Fall tritt dann ein , wenn sich<br />

tröpfchenförmiges Wasser aus dem Öl ausscheidet. Um diesen Feuchtigkeitseinfluss<br />

zu verhindern müssen ölisolierte Geräte mit entgastem <strong>und</strong> getrocknetem Öl unter<br />

Vakuum gefüllt werden.<br />

Tangentiale Überbeanspruchungen von den Isolierstoffübergängen wie sie an den<br />

Rändern Kondensatordielektrika auftreten , können durchaus zu<br />

Oberflächenentladungen führen.<br />

(Bild 3)<br />

Weiterhin können in Pressspannbarrierensystem bei Transformatoren innere TE<br />

auftreten wenn sich sogenannte Faserbrücken ausbilden.(Bild 4)<br />

Bei festen Isolierstoffen ist wegen der hohen elektrischen Festigkeit der Isolierstoffe<br />

die Verhältnisse anders. Anders als in Flüssigen Isolierstoffen treten dort die<br />

<strong>Teilentladungen</strong> praktisch nur durch innere Fehlstellen im Dielektrikum auf. Es<br />

handelt sich dabei meistens immer um Hohlräume , wobei man davon ausgeht dass<br />

diese Hohlräume mit Luft gefüllt sind. Durch die eingeschlossene Luft wird die<br />

elektrische Festigkeit im Dielektrikum herabgesetzt aufgr<strong>und</strong> der erhöhten<br />

Feldverdrängung. In diesem Fall spricht man auch von sogenannten Lunker. (Bild 5)<br />

Im Dielektrikum können Spalten entstehen durch Ablösung zwischen Dielektrikum<br />

<strong>und</strong> Elektrode. Mechanische Beanspruchungen <strong>und</strong> Versprödungen führen dazu dass<br />

Risse im Dielektrikum entstehen. (Bild 6)<br />

Ein erheblicher Nachteil nach einer Entladung in festen Isolierstoffen besteht darin ,<br />

dass die festen Dielektrika nicht die Fähigkeit der Regeneration besitzen. Anders als<br />

bei den Flüssigkeiten <strong>und</strong> Gasen. Dadurch kommt es zur fortschreitenden Erosion<br />

wodurch sich extreme Anforderungen an die Fertigungsqualität fester Isolierstoffe<br />

ergeben.<br />

10


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

In Gasen entstehen Koronaentladungen ebenfalls wie in Flüssigkeiten durch eng<br />

verr<strong>und</strong>ete Spitzen oder Kanten, wodurch eine lokale Felderhöhung auftritt. Leiter mit<br />

zu geringem Durchmesser stellen ebenfalls eine Spitze dar , ebenso wie schafkantige<br />

Partikel. Elektroden die sich in Gasisolierstrecken befinden <strong>und</strong> auf denen durch<br />

Herstellungseinflüsse Oberflächenfehler entstehen sowie Kratzer,<br />

Schmutzablagerungen <strong>und</strong> Rauhigkeiten entstehen führen ebenfalls zu<br />

<strong>Teilentladungen</strong>. Leitfähige Partikel in einer Gasisolierstrecke z.B.: in Form von<br />

metallischer Späne sind besonders kritisch für <strong>Teilentladungen</strong>. Deshalb bedürfen<br />

Montage <strong>und</strong> Fertigung von gasisolierten Strecken besonderer Sorgfalt.<br />

11


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

5.2. Modellierung Innerer TE<br />

Durch eine Fehlstelle im Dielektrikum entstehen innere TE. Die <strong>Teilentladungen</strong><br />

werden durch ein geeignetes Model durch ein Ersatzschaltbild dargestellt. Im<br />

kapazitivem Ersatzschaltbild ist der gasförmige Einschluss in einem festen oder<br />

flüssigen Isolierstoff durch C 1 symbolisiert. (Hohlraum, Lunker, Fehlstelle).<br />

Die in Reihe mit dem gasförmigen Einschluss liegende Kapazität des ges<strong>und</strong>en<br />

Dielektrikums stellt C 2 dar. Die parallel liegende Kapazität C 3 zu Reihenschaltung C 1<br />

<strong>und</strong> C 2 symbolisiert das intakte Dielektrikum. C 3 entspricht nahezu der<br />

Gesamtkapazität der Anordnung.<br />

Bei Wechselspannung erfolgt die Nachladung durch den kapazitiven<br />

Verschiebungsstrom der über die Teilkapazität C 2 fließt. Es gilt also dass C 3 >>C 2 .<br />

Außerdem ist auch C 1 >>C 2 <strong>und</strong> meistens kann man auch C 3 >C 1 annehmen.<br />

Der gasförmige Einschluss schlägt beim erreichen einer ausreichend hohen<br />

Zündspannung u z durch. Dies wird durch die Funkenstrecke F parallel zu C 1<br />

veranschaulicht. Der eingezeichnete Wiederstand R in Reihe zu der Funkenstrecke<br />

deutet den Widerstand des Entladungskanal nach Ansprechen der gedachten<br />

Funkenstrecke an .<br />

12


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Wird an die Klemmen der Ersatzschaltung eine sinusförmige Wechselspannung u(t)<br />

angelegt, so erscheint an der Fehlstellenkapazität C 1 für den Fall, dass keine Zündung<br />

der Funkenstrecke erfolgt, die Hohlraumspannung u10(t) = u1 . Entsprechend gilt dann<br />

das kapazitive Teilerverhältnis zwischen C 2 <strong>und</strong> C 3 ohne eine Phasenverschiebung<br />

von u(t) <strong>und</strong> u 1 .<br />

u10 t = C2 / C1 + C2<br />

u t<br />

( ) ( ) ⋅<br />

Überschreitet die Hohlraumspannung die Zündspannung u z der Gasstrecke kommt es<br />

zu einer selbstständigen Entladung im Hohlraum unter der Voraussetzung, dass die<br />

Funkenstrecke F bei einer konstanten <strong>und</strong> polaritätsunabhängigen Zündspannung u z<br />

durchzündet <strong>und</strong> ihre Löschspannung u Null ist, ergibt sich an C der dargestellte<br />

1 1<br />

Spannungsverlauf u 1 (t). Als Folge der Funkenstreckendurchschläge zu den<br />

Zeitpunkten t 1 ,t 2 ,t 3 ,…,t m einsetzenden Ausgleichsvorgänge fließen Impulsartige<br />

Ströme I TE in den Zuleitungen. Diese Impulsströme werden sich dem netzfrequenten<br />

Verschiebungsstrom überlagern <strong>und</strong> somit das Netz zusätzlich belasten.<br />

13


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Beim Absenken der Wechselspannung können <strong>Teilentladungen</strong> weiter existieren, auch<br />

wenn der Scheitelwert der Hohlraumspannung ohne <strong>Teilentladungen</strong> den Wert der<br />

Zündspannung nicht mehr erreicht. Wird die Löschspannung erreicht können keine TE<br />

mehr zünden. Die Teilentladungsaussetzspannung ist erreicht.<br />

Theoretisch kann die TE - Aussetzspannung um 50% unter der TE - Einsetzspannung<br />

liegen. Im Praktischen werden aber tatsächlich Absenkungen von 10%-35%<br />

festgestellt. Geräte müssen folglich demnach so konstruiert werden dass die<br />

Betriebsspannung auf jeden Fall unter de TE - Aussetzspannung liegt. Dadurch wird<br />

sichergestellt, dass vorübergehende Überspannungen die TE zünden werden auch<br />

wieder sicher während des Betriebs bei Betriebsspannung auch wieder löschen.<br />

5.3 Äußere TE – Quellen<br />

Die äußeren <strong>Teilentladungen</strong> beschränken sich auf Teilbereiche der Isolation <strong>und</strong><br />

führen somit nicht zu einem sofortigen Durchschlag oder Überschlag. Wie bei den<br />

Inneren TE ist auch hier die Ursache auf inhomogene Felder zurückzuführen.<br />

14


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Bei einem dünnen Leiter wird sich unmittelbar in seiner näheren äußeren Umgebung<br />

eine hohe Feldstärke einstellen aufgr<strong>und</strong> der Inhomogenität. In der direkten Nähe des<br />

dünnen Leiters werden sich somit selbstständige Gasentladungen z.B. in Luft<br />

ausbreiten. Wegen der starke Abnahme des elektrischen Feldes in Richtung Erdboden<br />

hin , also zur Gegenelektrode.<br />

Diese Anordnung ist typisch für eine Vielzahl von technischen Produkten, die mit<br />

möglichst geringem Aufwand die erforderliche Spannungsfestigkeit erreichen. Äußere<br />

<strong>Teilentladungen</strong> können bei einer Vielzahl von hochspannungstechnischen<br />

Anordnungen auftreten <strong>und</strong> daher nahezu jedes Betriebsmittel oder jede Anlage in der<br />

elektrischen Energietechnik betreffen.<br />

Die zweite wichtigste Klasse von Anwendungen , bei denen äußere <strong>Teilentladungen</strong><br />

entstehen können , sind die Isolierstoffe an deren Oberfläche hohe elektrische<br />

Feldstärke konstruktionsbedingt auftreten.<br />

Diese Form der <strong>Teilentladungen</strong> werden auch Oberflächenentladungen genannt. Eine<br />

besondere Herausforderung bei der Konstruktion ist es ,diese Entladungen zu<br />

Vermeiden.<br />

15


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Die Oberflächenentladungen in Gasen bzw. Luft stellen in der Hochspannungstechnik<br />

somit eine besonderes Gr<strong>und</strong>problem dar. In der Praxis wird versucht mit Hilfe von<br />

kapazitive Potential-Steuerungen sogenannte Durchführungen z.B.: bei<br />

Transformatoren oder durch geometrische Feldsteuerung bei Kabelendverschlüsse die<br />

Oberflächenentladung zu unterdrücken. Bei den Hochspannungsisolatoren versucht<br />

man den Kriechweg der Oberflächenentladung zu verlängern indem der Isolator nicht<br />

einen vollen Zylinder darstellt, sondern mit radialen Vertiefungen versehen ist.<br />

5.4. Modellierung äußerer TE<br />

Zur Veranschaulichung der äußeren TE wird oft die Spitze – Platte Anordnung<br />

bevorzugt. Zudem lässt sich dafür ein einfaches „klassisches“ Ersatzschaltbild<br />

darstellen. In der Umgebung der Spitze ist durch das starke inhomogene Feld ein<br />

ausreichend hohes elektrisches Feld. Dieser Feldbereich wird als Kondensator C<br />

modelliert. Nur in diesem Bereich können die für die Gasentladung ionisierende<br />

Prozesse ablaufen. Die Funkenstrecke F simuliert die Entladung des Kondensators ,<br />

somit also die Gasentladung im Bereich der Spitze. Die danach verbleibenden Ionen<br />

im Gasraum fließen dann über die Elektrode ab. Dies wird mit dem Wiederstand R<br />

dargestellt.<br />

Dieses Ersatzschaltbild erklärt die Tatsache, dass äußere <strong>Teilentladungen</strong> weitgehend<br />

abhängig vom Augenblickswert der Hochspannung auftreten, Bereiche mit geringeren<br />

Augenblickswerten der Hochspannung unterhalb der Zündspannung u z dagegen<br />

teilentladungsfrei bleiben. An Spitzenelektroden in Luft können jedoch je nach<br />

Augenblickswert der Feldstärke sehr unterschiedliche Entladungsformen auftreten.<br />

16


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Die sinusförmige Prüfspannung ist die Gesamtspannung der Spitze – Platte<br />

Anordnung. Die Spannung UC am Kondensator folgt dem sinusförmigen Verlauf.<br />

Beim erreichen der Zündspannung wird der Kondensator über die Funkenstrecke<br />

entladen. Nach dem Löschen der Funkenstrecke wird der Kondensator über den<br />

Wiederstand geladen. Dies stellt ein Reihenglied mit einer Zeitkonstante R/C dar.<br />

Diese Zeitkonstante bestimmt die Folgefrequenz der Entladungen. Charakteristisch für<br />

äußere <strong>Teilentladungen</strong> ist das Auftreten der äußeren <strong>Teilentladungen</strong> um die<br />

Scheitelwerte der anliegenden Wechselspannung. Die Höhe der Wechselspannung hat<br />

auch einen Einfluss auf die pro Halbwelle auftretenden Entladungen.<br />

Die Modellierung der äußeren TE <strong>und</strong> der daraus resultierende Verlauf der Spannung<br />

wird zudem auch noch über die Physik der Gasentladungsprozesse ermöglicht. Dies ist<br />

in der Literatur nachzuschlagen. Ein tieferes Verständnis der Mechanismen kann<br />

allerdings erst durch die Betrachtung der physikalischen Vorgänge der<br />

Gasentladungsprozesse gewonnen werden.<br />

6. Polaritätseffekt bei Äußeren – TE<br />

An einer Spitze – Platte Anordnung wird die Wechselspannung kontinuierlich<br />

gesteigert. Die ersten äußeren <strong>Teilentladungen</strong> entstehen bei negativer Polarität der<br />

Spitze im Scheitelwert der Wechselspannungen. Die Elektronenlawinen laufen von der<br />

Spitze in den Gasraum hinein. Mit der räumlich abnehmenden Feldstärke lagern sich<br />

die Elektronen an <strong>und</strong> bilden negative Ionen.<br />

17


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Zusammen mit den vor der Spitze verbleibenden positiven Ionen bildet sich ein<br />

Raumladungsfeld, das den Entladungsprozess beendet. Erst wenn die negativen Ionen<br />

weit genug abgewandert sind, <strong>und</strong> die Zündfeldstärke wieder erreicht wird , kann es<br />

zum nächsten Entladungsimpuls kommen. Die positiven Ionen erhöhen die Feldstärke<br />

der negativen Spitze, dies führt zu der niedrigen Einsatzfeldstärke bei negativer Spitze.<br />

Bei positiver Spitze starten die Elektronen im Gasvolumen vor der Spitze, wo<br />

aufgr<strong>und</strong> der inhomogenen Feldverteilung die Feldstärke noch ausreichend hoch ist.<br />

Bei positiver Spitze erfordert der Einsatz der äußeren <strong>Teilentladungen</strong> je nach<br />

inhomogenität des Feldes eine etwas höhere Feldstärke. Die Elektronenlawinen<br />

können sich mit Hilfe des Raumladungsfeldes der positiven Ionen vor der positiven<br />

Spitze weiter in das Gasvolumen hinein ausbilden. Dadurch werden die gemessenen<br />

Scheinladungen erheblich größer als bei negativer Spitze.<br />

18


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

7. Raumladungsfeld<br />

Das Verhältnis zwischen den influenzierten Oberflächenladungsdichten an der<br />

positiven Spitze (Q1) <strong>und</strong> an der negativen Platte (Q2) an der negativen Platte wird<br />

durch das eindimensionale Raumladungsfeld dargestellt. Die negative <strong>und</strong> positive<br />

Differenzfläche bei den beiden Kurven heben sich bei einem Raumladungsfeld auf. In<br />

einer einfachen Näherung verhält sich die scheinbare Ladung umgekehrt proportional<br />

zu Schlagweite der inhomogenen Anordnung.<br />

8. Teilentladungsmessung<br />

Für TE-Prüfungen sind in der IEC-Norm 60270 zwei Gr<strong>und</strong>schaltungen angegeben.<br />

Für die Position der Messimpedanz (Ankopplungsvierpol) im Prüfkreis gibt es drei<br />

Möglichkeiten, die aus der Schaltung ersichtlich sind. Prinzipiell besteht ein TE-<br />

Prüfkreis aus folgenden Bestandteilen:<br />

• einem Prüfling C a<br />

• einem Koppelkondensator C K<br />

• einem Messsystem MI mit einer Messimpedanz CD<br />

• einer Hochspannungsquelle<br />

• Hochspannungsverbindungen<br />

• einer Impedanz oder einem Filter Z<br />

19


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Um die Teilentladungsstärke bei einer festgelegten Prüfspannung messen zu können,<br />

ist Voraussetzung, dass alle Komponenten des TE - Prüfkreises bis deutlich über der<br />

Prüfspannung teilentladungsfrei sind.<br />

Die hochfrequenten TE - Impulse sind der Prüfspannung überlagert <strong>und</strong> müssen zur<br />

Messung in geeigneter Weise aus dem Prüfkreis ausgekoppelt werden.<br />

Eine sehr häufig verwendete Schaltung ist unten wiedergegeben. Hierin ist der<br />

Prüfling vereinfacht als Kondensator C a dargestellt. Die TE - Impulse gelangen von C a<br />

über einen Koppelkondensator C K zur Messimpedanz CD.<br />

Prinzipiell ist ihre Aufgabe, die niederfrequenten Anteile (50 Hz -Netzkomponente)<br />

des über den Koppelkondensator fließenden Stroms herauszufiltern <strong>und</strong> das<br />

höherfrequente Spektrum möglichst breitbandig an das Messgerät MI zu übertragen.<br />

Die Kapazität des Koppelkondensators C K sollte möglichst groß sein gegenüber der<br />

Kapazität C a des Prüflings. Nur dadurch wird eine hohe TE - Messempfindlichkeit<br />

erzielt. Eine zu kleine Kapazität C K kann die TE - Impulse so abschwächen, dass sie<br />

von äußeren Störungen überdeckt werden.<br />

Für die Empfindlichkeit ε des TE - Messkreises gilt somit folgender Zusammenhang:<br />

ε = C / C + C<br />

k k a<br />

Ein Filter Z zwischen Prüfling <strong>und</strong> Hochspannungsversorgung dient dazu, Störungen<br />

aus dem Bereich der Spannungsquelle abzublocken <strong>und</strong> ein Abfließen der TE -<br />

Impulse über die Spannungsquelle zu verhindern.<br />

20


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Die Abbildung zeigt einen Prüfkreis, in dem der Ankopplungsvierpol CD direkt im<br />

Erdkreis des Prüflings liegt. Dies setzt voraus, dass der Prüfling vom Erdpotential<br />

isoliert aufgestellt werden kann. Der Rückschluss der TE - Impulse erfolgt über den<br />

Koppelkondensator C K . Äußere Störungen bei TE - Messungen können bis zu einem<br />

bestimmten Grad durch eine Brückenschaltung eliminiert werden, deren<br />

Funktionsweise u. a. in [DIN EN 60270 (VDE 0434)] beschrieben wird.<br />

TE-Prüfkreis – Messimpedanz CD in Reihe mit Koppelkondensator C K<br />

TE - Prüfkreis – Messimpedanz CD in Reihe mit dem Prüfling C a<br />

21


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

U~ Hochspannungsversorgung<br />

Z mi<br />

Eingangsimpedanz des Messsystems<br />

CC Verbindungsleitung<br />

OL Lichtwellenleiterstrecke<br />

C a<br />

Prüfling<br />

C K<br />

Koppelkondensator<br />

CD Messimpedanz<br />

MI Messgerät<br />

Z Filter<br />

Innere <strong>Teilentladungen</strong> werden durch Entladung einer Hohlraumkapazität C 1 bei<br />

Überschreiten der Durchschlagspannung U d beschrieben. Der tatsächliche<br />

Ladungsumsatz<br />

ΔQ = C 1 * Δu h = C 1 * Du<br />

kann an den Klemmen des Prüflings nicht erfasst werden. uh = U d wirkt sich jedoch<br />

aufgr<strong>und</strong> der Spannungsaufteilung an C 2 <strong>und</strong> C 3 als Spannungseinbruch aus:<br />

Δu = Δu h * C 2 / (C 2 + C 3 ) = U d * C 2 / C a<br />

22


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Wenn angenommen wird, dass der Prüfling innerhalb mehrerer Nanosek<strong>und</strong>en<br />

induktiv vom übrigen Messkreis entkoppelt ist. Als Maß für diesen nicht direkt<br />

messbaren Spannungseinbruch wird die aus dem Koppelkondensator nachfließende<br />

Ladung erfasst, indem der Ankopplungsvierpol als Strommesswiderstand aufgefasst<br />

<strong>und</strong> das Signal im Teilentladungsmessgerät integriert wird.<br />

Dabei spielt es keine Rolle, ob die Strommessung im Zweig des Koppelkondensators<br />

oder im Zweig des Prüflings erfolgt. Diese messtechnisch erfassbare nachfließende<br />

Ladung wird als "scheinbare Ladung" bezeichnet, wie bereits oben erläutert.<br />

q S = Cp * Δu = Δu h * C 2 = ΔQ * C 2 / C 1<br />

bezeichnet, wobei angenommen wird, daß eine starre Quelle den Spannungseinbruch<br />

u voll-ständig ausgleichen kann. Da aber der Koppelkondensator keine starre<br />

Spannungsquelle bildet, verbleibt ein Spannungseinbruch u*. D.h. es wird nicht die<br />

gesamte scheinbare Ladung ausgeglichen, sondern nur die messbare Ladung<br />

q M = Ck * Δu*<br />

Für den Ladungsausgleich gilt<br />

Δu * (C k + C a ) = q S = C a * Δu.<br />

Aus den beiden letzten Gleichungen ergibt sich der Zusammenhang zwischen<br />

messbarer <strong>und</strong> scheinbarer Ladung:<br />

q M = q S C k / (C k + C a )<br />

Für C k >> C a ist q M gleich q S . Für kleinere Werte von C k nimmt q M ab. Insbesondere<br />

bei großen Prüflingskapazitäten (z.B. bei Kondensatoren, Kabeln oder<br />

Lagenwicklungen von Transformatoren) ist deshalb mit einer erheblich reduzierten<br />

Empfindlichkeit des TE - Messkreises zu rechnen.<br />

23


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

9. Dielektrische Verluste<br />

Als dielektrischer Verlustfaktor tanδ eines Isolierstoffes gilt der Tangens des<br />

Fehlwinkels δ um den die Phasenverschiebung zwischen Strom <strong>und</strong> Spannung im<br />

Kondensator um Π/2 abweicht, wenn das Dielektrikum ausschließlich aus dem<br />

Isolierstoff besteht.<br />

Die Messungen der dielektrischen Verluste bei Wechselspannung erfolgen in der<br />

Hochspannung meistens mit der Brückenschaltung von Schering.<br />

Der Verlustfaktor tanδ ist das Verhältnis von Wirkleistung zu Blindleistung. Der<br />

Kehrwert wird als Güte Q bezeichnet (Nicht mit der Blindleistung Q b zu verwechseln)<br />

.<br />

Wirkleistung Pdiel U ⋅ I ⋅cosϕ<br />

Iw<br />

tanδ<br />

= = = =<br />

Blindleistung Qb U ⋅I ⋅ sinϕ<br />

Ib<br />

24


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Die am Isolator erzeugten Wirkleistungsverluste (Wärmeverluste) berechnen sich zu :<br />

2<br />

Pdiel<br />

= Qb<br />

⋅ tanδ = U ⋅ω⋅tanδ<br />

Aus dieser Gleichung geht hervor, dass die dielektrischen Verluste direkt proportional<br />

dem Verlustfaktor ansteigen. Demnach kann der Verlustfaktor als ein Maß für die im<br />

Betrieb zu erwartenden dielektrischen Verluste <strong>und</strong> die damit verb<strong>und</strong>ene Erwärmung<br />

des Isolierstoffes angesehen werden. Die Höhe des Verlustfaktors <strong>und</strong> seine<br />

Abhängigkeit von Temperatur, Frequenz <strong>und</strong> Feldstärke sind maßgebend für Güte <strong>und</strong><br />

Reinheitsgrad der Isolierung.<br />

Der Strom I durch das Dielektrikum ergibt sich unter Verwendung eines<br />

Parallelersatzschaltbildes aus R <strong>und</strong> C in komplexer Schreibweise zu:<br />

I = U / R+ j ⋅ω<br />

⋅CU<br />

⋅<br />

Durch Trennung von Real- <strong>und</strong> Imaginärteil des komplexen Stromes I erhält man den<br />

Wirkstrom Iw <strong>und</strong> den Blindstrom Ib zu :<br />

<strong>und</strong> den Verlustfaktor zu :<br />

Ib<br />

j ω CU<br />

= ⋅ ⋅ ⋅ Iw = U / R<br />

Iw U / R 1<br />

tanδ<br />

= = =<br />

Ib ω ⋅C⋅U ω ⋅R⋅<br />

C<br />

Der Verlustfaktor lässt sich entsprechenden den auftretenden Verlustarten im<br />

Dielektrikum in drei Komponenten aufspalten.<br />

25


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

tan δ = tan δ L<br />

+ tan δ P<br />

+ tan δ I<br />

tan δ Gesamtverlustfaktor<br />

tan δ L<br />

Verlustfaktor durch Leitungsverluste<br />

tan δ P<br />

Verlustfaktor durch Polarisationsverluste<br />

tan δ I<br />

Verlustfaktor durch Ionisationsverluste (<strong>Teilentladungen</strong>)<br />

In den beiden untenstehenden Bildern ist die Abhängigkeit des Verlustfaktors tan δ<br />

von der Frequenz <strong>und</strong> der Feldstärke bei unterschiedlichen Temperaturen dargestellt.<br />

26


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

10. Scheringmessbrücke<br />

Die Scheringmessbrücke ist eine aus Kapazitäten <strong>und</strong> Wiederständen gebildete<br />

Wechselstrombrücke. Dabei soll die Wellenlänge sehr viel größer sein als die<br />

Ausdehnung der Anordnung sein, sowohl beim Prüfling als auch bei der<br />

Messanordnung .<br />

Die zu bedienenden Abgleichelemente sind in einem geerdetem Gehäuse<br />

untergebracht, während der Prüfling Cx <strong>und</strong> ein möglichst verlustfreier Kondensator<br />

C2=C N an Hochspannung liegen. Das Nullinstrument darf nur für die<br />

Gr<strong>und</strong>schwingung der im allgemeinen von der Sinusform abweichendem<br />

Prüfspannung empfindlich sein. Die Brückeneckpunkte müssen durch<br />

Überspannungsschutzvorrichtungen gesichert werden, um bei einem Durchschlag des<br />

Prüflings Überspannungen im Niederspannungskreis zu verhindern.<br />

Die Kapazität <strong>und</strong> der Verlustfaktor des Prüfkörpers bestimmen sich aus der<br />

Einstellung des Widerstandes R3 <strong>und</strong> des Kondensator C4.<br />

Bei der Messung des dielektrischen Verlustfaktors werden Strom <strong>und</strong> Spannung als<br />

sinusförmig vorausgesetzt. Ihre Oberwellengehalt darf 1% nicht überschreiten um<br />

einen Einfluss auf den Prüfling <strong>und</strong> den Abgleichkondensator C4 zu verhindern<br />

andernfalls würden falsche Abgleichwerte ermittelt werden.<br />

Die Abschirmung:<br />

Da Messungen mit Wechselstrombrücken nach Schering sehr empfindlich sind,<br />

machen sich die Einflüsse von Teilkapazitäten gegen Erde, sowie induktive <strong>und</strong><br />

kapazitive Kopplungen zwischen den einzelnen Brückenzweigen stark bemerkbar.<br />

Um diese Einflüsse zu vermeiden werden doppelt geschirmte Messleitungen <strong>und</strong> ein<br />

automatischer Potentialregler verwendet, der das Wechselstrompotential der<br />

Schirmung auf dem Potential der Brückenpunkte „a“ <strong>und</strong> „b“ hält.<br />

27


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Der Abgleich:<br />

Der Abgleich erfolgt mittels R 3 <strong>und</strong> C 4 . Abgleich heißt dabei, dass die Brückenpunkte<br />

„a“ <strong>und</strong> „b“ identisches Potential haben. Dann fließt im Brückenzweig kein Strom. Der<br />

Nullindikator zeigt keinen Ausschlag an.<br />

Bei abgeglichener Brücke gilt für die Admittanzen der Brückenzweige<br />

Die Bedingung für den Abgleich der Brücke lautet:<br />

Zx Z2 Z 2<br />

= ⇔ Zx=<br />

Z 3<br />

Z3 Z4 Z3<br />

mit :<br />

Zx = Rx +<br />

1<br />

jωCx<br />

1<br />

Z 2 =<br />

jωC2<br />

Z3=<br />

R3<br />

R4<br />

Z 4 = 1+<br />

jωR 4 C 4<br />

28


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

erhält man :<br />

1 R 3 ⎛ 1 ⎞ 3 4<br />

Rx + = ⎜ + jωC4⎟= R + R3<br />

C<br />

jωCx jωC2⎝R4 ⎠ jωC2 C2<br />

Vergleich von Real- <strong>und</strong> Imaginärteil liefert :<br />

C4<br />

R4<br />

Rx = R3 Cx = C2 C2<br />

R3<br />

Für den Verlustfaktor ergibt sich damit :<br />

UR<br />

I⋅<br />

Rx<br />

tanδ<br />

= = = ωRxCx<br />

UC<br />

I⋅(1/ ωCx)<br />

Nach Einsetzen von Rx <strong>und</strong> Cx erhält man schließlich :<br />

tanδ = ωR4C4<br />

Eine hochspannungstechnische Besonderheit stellt die Verwirklichung des<br />

Vergleichskondensators C 2 bzw. des Normalkondensators C N dar. Bei der Ableitung<br />

der Abgleichbedingung war vorausgesetzt worden, dass der Verlustfaktor des<br />

Vergleichskondensators gegenüber dem des Prüflings vernachlässigbar klein sein<br />

muss. Man verwendet daher Ausführungen mit Gas als besonders verlustarmem<br />

Dielektrikum. Besonders bewährt hat sich bei hohen Spannungen die 1928 von H.<br />

Schering <strong>und</strong> R. Vieweg angegebene Anordnung mit koaxialen Zylinderelektroden<br />

<strong>und</strong> Druckgasisolierung. Für Messungen der Kapazität C X ist eine genaue Kenntnis der<br />

Kapazität C 2 des Vergleichskondensators erforderlich. C 2 muss daher von<br />

Fremdeinflüssen möglichst unabhängig sein, was durch Schirmelektroden erreicht<br />

wird<br />

29


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

10.1. Zeigerdiagramm der Scheringbrücke<br />

Die Abbildung zeigt für die Scheringbrücke das Strom- <strong>und</strong><br />

Spannungszeigerdiagramm für den abgeglichenen Zustand ( UAB = 0 ), ohne<br />

Berücksichtigung der Störgrößen.<br />

11.Wirkungsweise eines Oszillographischen Nullindikators<br />

Der oszillographische Nullindikator ist ein messempfindliches, selektiv arbeitendes<br />

<strong>und</strong> erschütterungsunempfindliches Nullinstrument zum Abgleich von<br />

Wechselstrombrücken <strong>und</strong> komplexen Kompensationseinrichtungen bei<br />

Niederfrequenz. Der Hauptvorteil des Geräts liegt darin, dass am Schirmbild erkannt<br />

werden kann, welche Abgleichelemente der Messeinrichtung zum Erzielen des<br />

Nullabgleichs zu bedienen sind. Hierdurch wird der Abgleichvorgang wesentlich<br />

vereinfacht <strong>und</strong> beschleunigt.<br />

30


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Die verstärkte <strong>und</strong> durch einen Tiefpass von Oberwellen gereinigte Messspanung wird<br />

den vertikalen Ablenkplatten einer Braun’schen Röhre zugeführt, so dass auf dem<br />

Bildschirm ein senkrechter Strich entsteht. An die horizontalen Ablenkplatten wird<br />

eine Spannung (Bezugsspannung) gleicher Frequenz <strong>und</strong> veränderbarer Phasenlage<br />

angelegt. Dadurch entstehen auf dem Bildschirm Lissajous-Figuren in Form von<br />

Ellipsen oder Strichen. Durch Verändern der Phasenlage von der Bezugsspannung<br />

kann man erreichen, dass bei Verstellen eines Abgleichelements der Messeinrichtung<br />

nur die Fläche der Ellipse, bei Verstellen des anderen nur die Neigung ihrer großen<br />

Halbachse geändert wird.<br />

Um möglichst schnell einen Phasenabgleich zwischen Messspannung <strong>und</strong><br />

Bezugsspannung herzustellen, wird der oszilloskopische Nullanzeiger auf die<br />

geringste Empfindlichkeitsstufe eingestellt. Auf dem Bildschirm erscheint eine<br />

schrägliegende Ellipse. Durch Betätigen der Abgleichelemente ist die Auslenkung in<br />

y-Richtung auf null zu verringern. Der waagrechte Strich ist auf die Bezugsspannung<br />

zurückzuführen. Die Brücke kann also innerhalb dieser Empfindlichkeitsstufe, als<br />

abgeglichen betrachtet werden. Nun wird die Messbrücke mit einer der beiden<br />

Abgleichelemente verstimmt, sodass wieder eine schrägliegende Ellipse erscheint. Mit<br />

dem Phasenregler (Aufschrift PHASE) wird nun die Ellipse so verändert, dass ein<br />

schrägliegender Strich erscheint. Anschließend wird die Messbrücke wieder in den<br />

vorabgeglichenen Zustand gebracht. Durch diesen Phasenabgleich ist eine<br />

Zugehörigkeit der Brückenelemente zu voneinander unabhängigen Figurenänderungen<br />

entstanden: Beim Verstellen eines Abgleichelements (z. B. 3 R ) verschiebt sich die<br />

Lage der großen Halbachse der Ellipse. Beim Verstellen des anderen<br />

Abgleichelements ( 4 C ) verändert sich die von der Ellipse eingeschlossene Fläche.<br />

Nun kann bei erhöhter Empfindlichkeit – mit dem Vorteil getrennter Ablesbarkeit der<br />

Abgleichelemente – der Schlussabgleich durchgeführt werden. Bis zum Erreichen der<br />

größten Empfindlichkeit kann ein weiterer Phasenabgleich notwendig werden.<br />

31


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Anschlussschema der Scheringmessbrücke mit automatischem Potentialregler <strong>und</strong><br />

oszilloskopischem Nullindikator.<br />

13. Literatur<br />

Küchler, A.: Hochspannungstechnik: Gr<strong>und</strong>lagen – Technologie – Anwendung.<br />

Kind, D.: Einführung in die Hochspannungs-Versuchstechnik.<br />

Weis, P.: Script Hochspannungstechnik 1<br />

Weis, P.: Script Hochspannungstechnik 2<br />

Temmen, K.: Gr<strong>und</strong>lagen der physikalischen Vorgängen 1 – Innere <strong>Teilentladungen</strong><br />

Kurrat, M.: Gr<strong>und</strong>lagen der physikalischen Vorgängen 2 – äußere <strong>Teilentladungen</strong><br />

Patsch, R.: Teilentladungsauswirkungen auf elektrische Isolierstoffe<br />

Welsch, A.: Hochspannungstechnik<br />

Schwab, A. Hochspannungsmesstechnik<br />

32


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Versuchsdurchführung <strong>und</strong> –Protokoll<br />

0. Fragen zum Themenkreis<br />

1. Was ändert sich gr<strong>und</strong>sätzlich am Teilentladungsbild für innere <strong>Teilentladungen</strong>,<br />

wenn u(t) gesteigert wird?<br />

2. Warum liegen die inneren <strong>Teilentladungen</strong> i.d.R. nicht symmetrisch um den<br />

Spannungsnulldurchgang?<br />

3. Nennen Sie wesentliche Kenngrößen zur Beschreibung von TE - Vorgängen!<br />

4. Welche Gesichtspunkte müssen beim Aufbau eines Versuchsstandes für TE -<br />

Messungen besonders berücksichtigt werden?<br />

5. Erläutern Sie anhand des vereinfachten Ersatzschaltbildes die Entstehung von<br />

<strong>Teilentladungen</strong> in Hohlräumen im Dielektrikum!<br />

6. Erklären Sie qualitativ die Entstehung von Entladungsimpulsen in Luft vor einer<br />

positiven <strong>und</strong> negativen Spitze!<br />

7.Geben Sie den Spannungsverlauf <strong>und</strong> das Ersatzschaltbild für äußere<br />

<strong>Teilentladungen</strong> an <strong>und</strong> erklären Sie ihre Entstehung!<br />

8.Was sind Gleitentladungen <strong>und</strong> wo treten sie auf!<br />

9. Durch welche physikalischen Vorgänge wird die Polarisation verursacht ? Welche<br />

Polarisationsarten kennen Sie ?<br />

10. Wie ist der tanδ eines Isolierstoffs definiert ? Zeichen Sie Ersatzschaltbild <strong>und</strong><br />

Zeigerdiagramm.<br />

11. Leiten sie aus den Abgleichbedingungen der klassischen Verlustfaktormessbrücke<br />

(Shering-Brücke) <strong>und</strong> die Beziehungen zur Berechnungen der Verlustleistung her.<br />

12. Erläutern sie am Ersatzschaltbild die Frequenzabhängigkeit des Verlustfaktors <strong>und</strong><br />

der Dielektrizitätszahl für einen Isolierstoff.<br />

13. Wie wirken sich Lufteinschlüsse (Hohlräume) im Isolierstoff auf den Verlustfaktor<br />

aus?<br />

14. Erklären Sie die entstehen von Entladungsimpulsen in Luft vor einer positiven <strong>und</strong><br />

negativen Spitze.<br />

15. Wie lassen sich innere <strong>Teilentladungen</strong> erklären <strong>und</strong> wo treten sie auf ? Wodurch<br />

unterscheiden sie sich von äußeren <strong>Teilentladungen</strong> ?<br />

16. Erklären Sie die Funktionsweise der Scheringmessbrücke<br />

33


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

1. Spannungsabhängigkeit des Verlustfaktors<br />

Die Spannungsabhängigkeit des Verlustfaktors wird an 2 Prüflingen <strong>und</strong> an einem<br />

Radialfeldkabel bestimmt, die mögliche Modelle der Isolierung einer<br />

Hochspannungsisolierung darstellen. Dazu wird der Messaufbau wie in folgender<br />

Abbildung aufgebaut. C X ist der zu untersuchende Prüfling , wobei dieser in ein<br />

Schutzringkondensator eingebracht wird , um die Messung mit dem rein homogenen<br />

elektrischen Feld durchzuführen. Der Hochspannungs- bzw. Versorgungstransformator<br />

wird mit einem Stelltransformator (0V-220V) angesteuert .<br />

Bestimmen sie das Übersetzungsverhältnis des Versorgungstransformator : Ü = _____<br />

Bestimmen sie die Kapazität des Normal- bzw. Vergleichskondensators : C N = ______<br />

34


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Die gewünschte Spannung wird mit Hilfe eines DSO an der Hochspannungselektrode<br />

gemessen <strong>und</strong> eingestellt. Dazu muss die Spannung heruntergeteilt werden. Zur<br />

Verfügung steht ein kapazitiver Teiler mit einem Übersetzungsverhältnis Ü= 1/10.000.<br />

Stellen sie das Teilerverhältnis am DSO so ein , dass die Anzeige in KV/Div<br />

dargestellt wird. Teilerverhältnis DSO = _______<br />

Zur Messung der Leerlaufkapazität <strong>und</strong> des tanδ verbinden Sie die Messbrücke mit<br />

dem Normalkondensator <strong>und</strong> stellen sie am Plattenkondensator einen Abstand von<br />

5mm ein. Vor Anlegen der Hochspannung muss der Empfindlichkeitsregler des<br />

Oszilloskopischem Nullanzeigers bis zum linken Anschlag zurückgedreht sein<br />

(unempfindlichste Einstellung). Zur Bestimmung der gesuchten Kapazität C X ist es<br />

vorteilhaft, R4 möglichst groß, bei der Bestimmung des tanδ dagegen R4 möglichst<br />

klein zu wählen.<br />

Sollten während der Messung innere <strong>Teilentladungen</strong> auftreten , erkennbar am<br />

gezappel des Nullindikators , ist dies entsprechen in den Kästchen mit TE zu<br />

kennzeichnen.<br />

2. Leerlaufmessung<br />

Messen Sie den tanδ ohne Prüfling. Dazu wird die Brücke mit R3 <strong>und</strong> C4 abgeglichen.<br />

Nach jeder abgeglichener Stufe wird die Spannung auf den vorgegebenen Wert<br />

eingestellt <strong>und</strong> neu abgeglichen.<br />

U DSO<br />

[KV] R3 [Ω] R4 [Ω] C4 [nF] C 0 [nF] tan δ 0<br />

1,3<br />

5<br />

7<br />

35


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Benötigte Formeln : tanδ 0 = R4 * ω * C4<br />

C 0 = C N * R4/R3<br />

Was können sie bei der Messung feststellen?<br />

_____________________________________________________________________<br />

_____________________________________________________________________<br />

_____________________________________________________________________<br />

3. Probenmessung<br />

Befestigen Sie die 150 X 150 X 5 mm PVDF - Platte am Schutzringkondensator.<br />

Führen sie die gleiche Messung wie unter Punkt 2 durch.<br />

U_oszi<br />

[KV] R3 [Ω] R4 [Ω] C4 [nF] CX [nF] tan δ x<br />

1,3<br />

5<br />

7<br />

10<br />

13<br />

Weshalb ist diese Messung etwas umständlicher ? Wie wird dieses Problem in der<br />

Praxis gelöst ?<br />

_____________________________________________________________________<br />

_____________________________________________________________________<br />

_____________________________________________________________________<br />

Befestigen Sie die 150 X 150 X 5 mm 2. – Platte am Schutzringkondensator.<br />

Führen sie die gleiche Messung wie unter Punkt 2,3 durch.<br />

36


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

U_oszi<br />

[KV] R3 [Ω] R4 [Ω] C4 [nF] CX [nF] tan δ x<br />

1,3<br />

5<br />

7<br />

10<br />

13<br />

Bestimmen sie den Verlustfaktor tanδ r der Probekörper sowie die relative<br />

Permittivitätszahl ε r der Prüflinge.<br />

PVDF<br />

U DSO 1,3 5 7 10 13<br />

tan δr<br />

ε r<br />

2.<br />

U DSO 1,3 5 7 10 13<br />

tan δr<br />

ε r<br />

Benötigte Formeln : tan δr = tan δx - tan δ 0<br />

ε r = C X / C 0<br />

Was können Sie über tan δr in Folge steigender Spannung aussagen ?<br />

_____________________________________________________________________<br />

_____________________________________________________________________<br />

_____________________________________________________________________<br />

_____________________________________________________________________<br />

_____________________________________________________________________<br />

37


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

4. Radialfeldkabel<br />

Ersetzen Sie den Prüfling <strong>und</strong> schließen sie das Radialfeldkabel der Länge 1,55m an<br />

die Schering-Brücke.<br />

Bei Radialfeldkabeln bilden die Leiter nur Teilkapazitäten gegen Erde, da sie<br />

gegenseitig durch einen Metallmantel abgeschirmt sind. Im Folgendem wird für eine<br />

symmetrische Drehstromleitung die Betriebskapazität CB = C10 in [μF/Km] einer<br />

Phase bestimmt.<br />

38


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Bestimmen sie zuerst wie das Kabel an die Brücke angeschlossen werden muss.<br />

Ermitteln Sie dann das C X , C B <strong>und</strong> tanδ bei einer fester Spannung von 5 KV. Messen<br />

sie den Verlustfaktor indem sie unterschiedliche Empfindlichkeitsstufen (Über R4)<br />

der Scheringmessbrücke einstellen <strong>und</strong> dann den Mittelwert bilden.<br />

R4 [Ω] R3 [Ω] C4 [nF] C X [nF] tan δ x<br />

500<br />

1000<br />

2000<br />

tanδ : _____<br />

C x: _____<br />

C a: _____<br />

Würde sich bei erhöhen der Spannung auf z.B. 10 KV sich das tanδ stark verändern ?<br />

Warum ? Was hätte dies zur Folge ?<br />

_____________________________________________________________________<br />

_____________________________________________________________________<br />

_____________________________________________________________________<br />

_____________________________________________________________________<br />

_____________________________________________________________________<br />

39


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

5. Äußere <strong>Teilentladungen</strong><br />

Die <strong>Teilentladungen</strong> werden an vier unterschiedlichen Geometrien demonstriert. Dazu<br />

sind jeweils die Teilentladungsstärken sowie die Phase der Teilentladungsimpulse<br />

aufzunehmen.<br />

U~ Hochspannungsversorgung Z mi<br />

Eingangsimpedanz des Messsystems<br />

CC Verbindungsleitung C a<br />

Prüfling<br />

C K<br />

Koppelkondensator CD Messimpedanz<br />

MI Messgerät Z Filter<br />

Alle Erläuterungen zum Schaltbild sind in der Vorbereitung erwähnt.<br />

Entfernen sie den Schutzringkondensator von dem Prüfkreis <strong>und</strong> bauen sie die Platte-<br />

Platte Anordnung auf. Entfernen Sie auch den Anschluss der Sheringmeßbrücke.<br />

Wichtig:<br />

Es muss immer Phasengleichheit zwischen der Versorgungsspannung des TE –<br />

Messgeräts <strong>und</strong> der Prüfwechselspannung gewährleistet sein. Dies kann mit einem<br />

Hochspannungsteiler <strong>und</strong> einem Oszilloskop kontrolliert werden. Dabei ist die Polung<br />

( L - N ) der Steckdose zu beachten <strong>und</strong> gegebenenfalls der Stecker umzudrehen.<br />

40


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

6. Prüfaufbau<br />

Vor der eigentlichen TE - Messung sollte überprüft werden bis zu welcher Spannung<br />

der Prüfaufbau TE frei ist, um sicherzustellen, dass der Prüfaufbau selbst das<br />

Messergebnis nicht verfälscht. Verwenden Sie anstelle eines Prüflings eine Platte-<br />

Platte-Anordnung mit großem Abstand (min. 5 cm). Steigern Sie die Prüfspannung in<br />

5-kV-Schritten auf max. 50 kV <strong>und</strong> tragen Sie die gemessenen TE - Stärken in pC in<br />

eine Tabelle ein.<br />

U[KV] 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50<br />

pC<br />

Bis zu welcher Prüfspannung kann der Aufbau alleine als „TE frei“ angesehen<br />

werden? ______________________________________________________________<br />

7. Platte – Platte Anordnung<br />

Lassen Sie nun die beiden Platten <strong>und</strong> verändern den Abstand auf 1 cm. Führen Sie<br />

den Spannungssteigerungsversuch durch.<br />

Was stellen Sie fest ? Warum ?<br />

_____________________________________________________________________<br />

_____________________________________________________________________<br />

_____________________________________________________________________<br />

8. Teilentladung an einer Spitze-Platte-Anordnung<br />

Montieren Sie die Spitze-Platte-Anordnung mit einem Abstand von 3 cm. Legen Sie<br />

Spannung an die Platte <strong>und</strong> erden Sie die Spitze. Steigern Sie die Spannung schrittweise von<br />

17KV bis 24 kV <strong>und</strong> messen Sie jeweils die TE - Stärke. Anschließend vermindern Sie die<br />

Spannung wieder schrittweise.<br />

41


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Negative Spitze<br />

U[KV] 17 18 19 20 21 22 23 24<br />

pC<br />

TEE : _______ TEA: _______ TEE/TEA: _______<br />

Legen Sie jetzt die Spannung an die Spitze, erden Sie die Platte <strong>und</strong> führen Sie die Messung<br />

erneut durch. Tragen Sie die Teilentladungsimpulse in das Diagnoseschema ein.<br />

Positive Spitze<br />

U[KV] 17 18 19 20 21 22 23 24<br />

pC<br />

TEE : _______ TEA: _______ TEE/TEA: _______<br />

Stellen Sie die TE -Stärke über der Spannung für beide Messungen dar <strong>und</strong> geben Sie die Ein<strong>und</strong><br />

Aussetzspannung an. Tragen Sie die Teilentladungsimpulse in das Diagnoseschema ein.<br />

TE / TE-MAX<br />

1<br />

0,9<br />

0,8<br />

0,7<br />

0,6<br />

0,5<br />

0,4<br />

0,3<br />

0,2<br />

0,1<br />

0<br />

17 18 19 20 21 22 23 24<br />

Spannung [KV]<br />

Was stellen Sie fest? Stimmt dies mit der Theorie überein ?<br />

_____________________________________________________________________<br />

_____________________________________________________________________<br />

42


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

9. Gleitentladung<br />

Eine typische Gleitentladung wird durch eine zwischen einer Kugel- <strong>und</strong><br />

Plattenelektrode eingespannte Hartfaserplatte mit den Maßen 150 mm x 150 mm x 5<br />

mm realisiert. Die Kugel hat einen Durchmesser von 50 mm <strong>und</strong> wird auf<br />

Hochspannung gelegt. Durch die Dicke der Hartfaserplatte (PC) wird der<br />

Elektrodenabstand festgelegt. Es ist die Spannung schrittweise von 1 kV bis 5 kV zu<br />

steigern <strong>und</strong> wieder bis 1 kV zu verringern. Die TE - Stärke ist zu notieren <strong>und</strong> die TE<br />

Ein- <strong>und</strong> Aussetzspannung ist zu ermitteln. Zeichnen Sie die Lage der TE -Impulse in<br />

ein Phasen-Diagramm ein. Bestimmen Sie den Bereich der Phasenlage der Spannung<br />

in Grad in dem die TE-Impulse auftreten. Stellen Sie die TE-Stärke über der Spannung<br />

für die Gleitanordnung für d=5 mm dar.<br />

U[KV] 0 1 2 3 4 5 6 7<br />

pC<br />

TE / TE-MAX<br />

1<br />

0,9<br />

0,8<br />

0,7<br />

0,6<br />

0,5<br />

0,4<br />

0,3<br />

0,2<br />

0,1<br />

0<br />

0 1 2 3 4 5 6<br />

Spannung [KV]<br />

43


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

Stellen Sie die TE - Ein- <strong>und</strong> Aussetzspannung über dem Elektrodenabstand (5, 7, 9<br />

mm) dar.<br />

TEE/TEA 5mm : _____________<br />

TEE/TEA 7mm : _____________<br />

TEE/TEA 9mm : _____________<br />

1<br />

0,95<br />

0,9<br />

TEA / TEE<br />

0,85<br />

0,8<br />

0,75<br />

0,7<br />

0,65<br />

0,6<br />

5 5,5 6 6,5 7 7,5 8 8,5 9<br />

Abstand [mm]<br />

10. Spitze – Kugel – Anordnung<br />

Führen Sie eine Teilentladungsmessung gemäß dem TE - Diagnoseschema an der Spitze-<br />

Kugel- Anordnung durch. Die Dauer des Hystereseversuch ist nach Maßgabe des Betreuers<br />

durchzuführen. Nehmen Sie die Hysterese mit Hilfe des X/Y-Schreibers auf. Tragen Sie im<br />

Diagnoseschema die Teilentladungsimpulse ein.<br />

44


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

45


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

46


TU Kaiserslautern<br />

Lehrstuhl Hochspannungstechnik <strong>und</strong> EMV<br />

47

Hurra! Ihre Datei wurde hochgeladen und ist bereit für die Veröffentlichung.

Erfolgreich gespeichert!

Leider ist etwas schief gelaufen!