Скачать статью в формате pdf - Силовая электроника
Скачать статью в формате pdf - Силовая электроника
Скачать статью в формате pdf - Силовая электроника
Erfolgreiche ePaper selbst erstellen
Machen Sie aus Ihren PDF Publikationen ein blätterbares Flipbook mit unserer einzigartigen Google optimierten e-Paper Software.
Сило<strong>в</strong>ая Электроника, № 4’2010<br />
Сило<strong>в</strong>ая элементная база<br />
Базо<strong>в</strong>ые платы драй<strong>в</strong>еро<strong>в</strong> IGBT<br />
от CT-Concept<br />
В статье описы<strong>в</strong>ается но<strong>в</strong>ая концепция ш<strong>в</strong>ейцарской компании CT-Concept<br />
Technologie AG — д<strong>в</strong>е базо<strong>в</strong>ые платы 2BB0108T и 2BB0435T, предназначенные<br />
для ускорения разработки драй<strong>в</strong>еро<strong>в</strong> IGBT-модулей и сило<strong>в</strong>ых MOSFET. Платы<br />
предста<strong>в</strong>ляют собой «конструктор» д<strong>в</strong>ухканального драй<strong>в</strong>ера IGBT, <strong>в</strong>ыполненный<br />
на осно<strong>в</strong>е недорогого ядра но<strong>в</strong>ого поколения SCALE-2. Для подключения такого<br />
драй<strong>в</strong>ера к сило<strong>в</strong>ому модулю достаточно смонтиро<strong>в</strong>ать соот<strong>в</strong>етст<strong>в</strong>ующие резисторы<br />
зат<strong>в</strong>ора и подключить его к источнику питания и упра<strong>в</strong>ляющей электронике.<br />
Базо<strong>в</strong>ые платы укомплекто<strong>в</strong>аны документацией, <strong>в</strong>ключая электрические,<br />
монтажные схемы и упра<strong>в</strong>ляющие файлы для изгото<strong>в</strong>ления печатной платы, что<br />
сущест<strong>в</strong>енно сокращает сроки разработки драй<strong>в</strong>еро<strong>в</strong> с самыми со<strong>в</strong>ременными<br />
техническими характеристиками на рабочие напряжения 600, 1200, 1700 В.<br />
Описаны работа и осно<strong>в</strong>ные характеристики базо<strong>в</strong>ых плат, интерфейсы, методика<br />
подгото<strong>в</strong>ки к работе со<strong>в</strong>местно с сило<strong>в</strong>ыми модулями <strong>в</strong> соста<strong>в</strong>е д<strong>в</strong>ухуро<strong>в</strong>не<strong>в</strong>ых,<br />
трехуро<strong>в</strong>не<strong>в</strong>ых топологий и параллельных соединений модулей.<br />
Анатолий Бербенец<br />
berben@efo.ru<br />
Разработка драй<strong>в</strong>ера «<strong>в</strong>ручную»<br />
Драй<strong>в</strong>ер IGBT/MOSFET полупро<strong>в</strong>однико<strong>в</strong>ого<br />
ключа — одна из гла<strong>в</strong>ных функциональных частей<br />
любого сило<strong>в</strong>ого преобразо<strong>в</strong>ателя, определяющая<br />
качест<strong>в</strong>о и надежность его работы. Как из<strong>в</strong>естно [1],<br />
драй<strong>в</strong>ер <strong>в</strong>ыполняет следующие осно<strong>в</strong>ные функции<br />
<strong>в</strong> схеме мощного преобразо<strong>в</strong>ателя:<br />
• Сопряжение низко<strong>в</strong>ольтных маломощных сигнало<strong>в</strong><br />
упра<strong>в</strong>ляющего контроллера с <strong>в</strong>ысоко<strong>в</strong>ольтной<br />
сило<strong>в</strong>ой схемой (упра<strong>в</strong>ление зат<strong>в</strong>орами IGBT/<br />
MOSFET-ключей).<br />
• Галь<strong>в</strong>аническое разделение низко<strong>в</strong>ольтной упра<strong>в</strong>ляющей<br />
и <strong>в</strong>ысоко<strong>в</strong>ольтной сило<strong>в</strong>ой части схемы<br />
преобразо<strong>в</strong>ателя.<br />
• Предоста<strong>в</strong>ление информации о состоянии сило<strong>в</strong>ых<br />
ключей с диагностикой а<strong>в</strong>арийных ситуаций<br />
с <strong>в</strong>ыработкой сигнало<strong>в</strong>, обеспечи<strong>в</strong>ающих защиту.<br />
Цикл создания IGBT-драй<strong>в</strong>ера состоит из следующих<br />
этапо<strong>в</strong>: разработка функциональной схемы;<br />
расчет ключе<strong>в</strong>ых параметро<strong>в</strong> драй<strong>в</strong>ера; расчет/<br />
моделиро<strong>в</strong>ание элементо<strong>в</strong> электрической схемы;<br />
<strong>в</strong>ыпуск эскизной схемы; разработка топологии печатной<br />
платы; изгото<strong>в</strong>ление макето<strong>в</strong>; про<strong>в</strong>едение<br />
испытаний; корректиро<strong>в</strong>ка схемы и топологии т.д.<br />
Оче<strong>в</strong>идно, что процесс разработки, результатом<br />
которого должна стать рабочая документация<br />
на драй<strong>в</strong>ер, достаточно трудоемкий. А если принять<br />
<strong>в</strong>о <strong>в</strong>нимание, что драй<strong>в</strong>ер необходимо адаптиро<strong>в</strong>ать<br />
к ксило<strong>в</strong>ому модулю с его конкретными<br />
характеристиками и обеспечить при этом его надежную<br />
защиту <strong>в</strong> а<strong>в</strong>арийных режимах, понятно,<br />
что задача разработки усложняется еще больше.<br />
Тем не менее разработчики (<strong>в</strong> частности, отечест<strong>в</strong>енные)<br />
предпочитают изгота<strong>в</strong>ли<strong>в</strong>ать собст<strong>в</strong>енные<br />
IGBT-драй<strong>в</strong>еры — <strong>в</strong> осно<strong>в</strong>ном для сило<strong>в</strong>ых преобразо<strong>в</strong>ателей<br />
на рабочие наряжения 600, 1200, 1700 В,<br />
моти<strong>в</strong>ируя это, прежде <strong>в</strong>сего, тем, что гото<strong>в</strong>ый (покупной)<br />
драй<strong>в</strong>ер стоит дороже.<br />
Использо<strong>в</strong>ание <strong>в</strong> качест<strong>в</strong>е осно<strong>в</strong>ы схемы базо<strong>в</strong>ой<br />
платы драй<strong>в</strong>ера но<strong>в</strong>ейшего фирменного ядра<br />
SCALE-2 [1] поз<strong>в</strong>оляет создать недорогой д<strong>в</strong>ухканальный<br />
драй<strong>в</strong>ер с передо<strong>в</strong>ыми характеристиками<br />
<strong>в</strong> кратчайшие сроки. Важно отметить, что такой<br />
драй<strong>в</strong>ер имеет электрический интерфейс для работы<br />
<strong>в</strong> соста<strong>в</strong>е 2-, 3- и многоуро<strong>в</strong>не<strong>в</strong>ых топологий<br />
ин<strong>в</strong>ерторо<strong>в</strong>, а также для упра<strong>в</strong>ления параллельными<br />
соединениями сило<strong>в</strong>ых модулей.<br />
Базо<strong>в</strong>ая плата — шесть шаго<strong>в</strong> к успеху<br />
Процесс разработки и <strong>в</strong>ключения драй<strong>в</strong>ера<br />
на осно<strong>в</strong>е базо<strong>в</strong>ой платы CT-Concept образно наз<strong>в</strong>ала<br />
«Шесть шаго<strong>в</strong> к успеху» — по количест<strong>в</strong>у<br />
подгото<strong>в</strong>ительных этапо<strong>в</strong> по <strong>в</strong>ключению драй<strong>в</strong>ера.<br />
Вот эти шаги:<br />
1. Выбор одной из д<strong>в</strong>ух базо<strong>в</strong>ых плат 2BB0108T или<br />
2BB0435T [5, 6] <strong>в</strong> за<strong>в</strong>исимости от типа применеяемого<br />
модуля и рабочего напряжения. Расчет при<br />
необходимости резисторо<strong>в</strong> зат<strong>в</strong>ора для цепей<br />
<strong>в</strong>ключения и <strong>в</strong>ыключения и их монтаж на базо<strong>в</strong>ую<br />
плату. В печатной плате предусмотрены места для<br />
монтажа резисторо<strong>в</strong> д<strong>в</strong>ух типо<strong>в</strong> — с аксиальными<br />
<strong>в</strong>ы<strong>в</strong>одами и для по<strong>в</strong>ерхностного монтажа.<br />
2. Подключение платы драй<strong>в</strong>ера к сило<strong>в</strong>ому IGBT/<br />
MOSFET-модулю посредст<strong>в</strong>ом разъемо<strong>в</strong> Х1 (канал1),<br />
Х2 (канал2).<br />
3. Подключение платы драй<strong>в</strong>ера к упра<strong>в</strong>ляющей<br />
электронике посредст<strong>в</strong>ом разъема Х3 и к питающему<br />
напряжению +15 В.<br />
4. Выбор режима работы драй<strong>в</strong>ера посредст<strong>в</strong>ом коммутации<br />
<strong>в</strong>ы<strong>в</strong>ода MOD (на землю, либо оста<strong>в</strong>и<strong>в</strong><br />
пла<strong>в</strong>ающим +15 В). В пер<strong>в</strong>ом случае получим<br />
режим «полумост» — упра<strong>в</strong>ление полумосто<strong>в</strong>ой<br />
топологией сило<strong>в</strong>ого модуля, <strong>в</strong>о <strong>в</strong>тором —<br />
«прямой», т. е. неза<strong>в</strong>исимое упра<strong>в</strong>ление каждым<br />
из д<strong>в</strong>ух канало<strong>в</strong>.<br />
5. Диагностика функциониро<strong>в</strong>ания базо<strong>в</strong>ой платы<br />
драй<strong>в</strong>ера: про<strong>в</strong>ерка <strong>в</strong>ыходного напряжения, по-<br />
30 www.power-e.ru
Сило<strong>в</strong>ая Электроника, № 4’2010<br />
Сило<strong>в</strong>ая элементная база<br />
да<strong>в</strong>аемого на зат<strong>в</strong>оры <strong>в</strong> состоянии «<strong>в</strong>ыключено»<br />
(определяется используемым ядром<br />
драй<strong>в</strong>ера — 2SC0108T или 2SC0435T).<br />
Выходное напряжение состояния «<strong>в</strong>ключено»<br />
соста<strong>в</strong>ляет +15 В. Измеряется также ток,<br />
потребляемый платой <strong>в</strong> д<strong>в</strong>ух режимах —<br />
с подачей такто<strong>в</strong>ой частоты и без.<br />
6. До запуска системы <strong>в</strong> работу рекомендуется<br />
также про<strong>в</strong>ерить каждый сило<strong>в</strong>ой модуль<br />
на циклическую нагрузку. Обычно достаточно<br />
использо<strong>в</strong>ать метод одиночного<br />
или сд<strong>в</strong>оенного (double-pulse) импульса.<br />
Рекомендуется удосто<strong>в</strong>ериться, что режимы<br />
работы сило<strong>в</strong>ого модуля находятся <strong>в</strong> пределах<br />
«Области безопасной работы» (т. н.<br />
SOA) для наихудших усло<strong>в</strong>ий применения.<br />
На этом же этапе необходимо про<strong>в</strong>ести тест<br />
каждого сило<strong>в</strong>ого модуля на короткое замыкание.<br />
После этого система может быть<br />
<strong>в</strong>ключена <strong>в</strong> целом.<br />
Осно<strong>в</strong>ные характеристики<br />
базо<strong>в</strong>ых плат драй<strong>в</strong>еро<strong>в</strong><br />
Выпускаются и доступны для заказа 2 типа<br />
базо<strong>в</strong>ых плат драй<strong>в</strong>еро<strong>в</strong> (БПД) — 2BB0108T<br />
и 2BB0435T, <strong>в</strong>нешний <strong>в</strong>ид которых при<strong>в</strong>еден<br />
на рис. 1 и 2 соот<strong>в</strong>етст<strong>в</strong>енно.<br />
Платы принципиально различаются типом<br />
использо<strong>в</strong>анного ядра драй<strong>в</strong>ера. В пер<strong>в</strong>ой<br />
БПД используется ядро д<strong>в</strong>ухканального<br />
драй<strong>в</strong>ера на ток зат<strong>в</strong>ора до 8 А и с <strong>в</strong>ыходной<br />
мощностью до 1 Вт на канал типа 2SC0108T.<br />
Вторая плата драй<strong>в</strong>ера использует более мощное<br />
ядро 2SC0435T с максимальным током<br />
<strong>в</strong> каждом канале 35 А и мощностью 4 Вт на<br />
канал. Соот<strong>в</strong>етст<strong>в</strong>енно этим параметрам отличаются<br />
области применения БПД. Плата<br />
2BB0108T предназначена для упра<strong>в</strong>ления<br />
IGBT-модулями 34, 62, 17 мм, сд<strong>в</strong>оенными<br />
(dual) IGBT-модулями и модулями семейст<strong>в</strong>а<br />
EconoPACK+. Базо<strong>в</strong>ая плата 2BB0435T предназначена<br />
для работы со следующими типами<br />
IGBT-модулей:<br />
• 62-мм IGBT-модули;<br />
• 130×140 мм сд<strong>в</strong>оенные IGBT-модули;<br />
• 130×140 мм одинарные IGBT модули;<br />
• 190×140 мм одинарные IGBT модули;<br />
• 17-мм сд<strong>в</strong>оенные IGBT-модули;<br />
• PrimePACK IGBT-модули;<br />
• EconoPACK+ IGBT-модули.<br />
Каждая из базо<strong>в</strong>ых плат имеет 3 модификации,<br />
отличающиеся рабочими напряжениями<br />
IGBT-модулей, для которых они предназначены,<br />
три стандартных промышленных градации<br />
600, 1200, 1700 В:<br />
• 2BB0108T2Ax-06;<br />
• 2BB0108T2Ax-12;<br />
• 2BB0108T2Ax-17;<br />
• 2BB0435T2Ax-06;<br />
• 2BB0435T2Ax-12;<br />
• 2BB0435T2Ax-17.<br />
Габаритные размеры платы 2BB0108T<br />
133×46×29 мм, платы 2BB0435T — 133×70×29 мм.<br />
Пример габаритного чертежа для платы 2BB0108T<br />
при<strong>в</strong>еден на рис. 3.<br />
Функциональная схема БПД<br />
Укрупненная функциональная схема БПД<br />
при<strong>в</strong>едена на рис. 4 на примере 2BB0108T.<br />
Схема построена на осно<strong>в</strong>е но<strong>в</strong>ого драй<strong>в</strong>ерного<br />
ядра CT-Concept, получи<strong>в</strong>шего наз<strong>в</strong>ание<br />
SCALE-2. Но<strong>в</strong>ое ядро я<strong>в</strong>ляется раз<strong>в</strong>итием широко<br />
применяемых <strong>в</strong> промышленности ядра<br />
SCALE и драй<strong>в</strong>еро<strong>в</strong> на его осно<strong>в</strong>е. Подробнее<br />
о характеристиках и особенностях драй<strong>в</strong>еро<strong>в</strong><br />
SCALE-2 можно почитать <strong>в</strong> [1, 3, 4]. Отмечу<br />
только, что но<strong>в</strong>ое ядро драй<strong>в</strong>ера SCALE-2<br />
по сра<strong>в</strong>нению со SCALE имеет сущест<strong>в</strong>енно<br />
меньшее <strong>в</strong>ремя задержки <strong>в</strong>ключения/<strong>в</strong>ыключения<br />
(
Сило<strong>в</strong>ая Электроника, № 4’2010<br />
Сило<strong>в</strong>ая элементная база<br />
соста<strong>в</strong>ляет 90 мс. Подключением резистора<br />
R b между контактами TB и GND это <strong>в</strong>ремя<br />
можно уменьшить до 9 мс (R b = 0) со <strong>в</strong>семи<br />
промежуточными значениями.<br />
Все <strong>в</strong>ходы интерфейса Х3 имеют защиту<br />
от статического электричест<strong>в</strong>а, более того, <strong>в</strong>се<br />
они обладают характеристикой типа триггер<br />
Шмитта.<br />
Специфические характеристики<br />
драй<strong>в</strong>еро<strong>в</strong> на осно<strong>в</strong>е БПД SCALE-2<br />
Рис. 4. Функциональная схема базо<strong>в</strong>ой платы 2BB0108T<br />
зистора каждого из канало<strong>в</strong>, причем незадейст<strong>в</strong>о<strong>в</strong>анные<br />
контактные штыри разъема<br />
не устано<strong>в</strong>лены для обеспечения требуемого<br />
безопасного зазора по по<strong>в</strong>ерхности (creepage<br />
distance = 12,9 мм), что определяется максимальным<br />
рабочим напряжением сило<strong>в</strong>ого<br />
транзистора. В документации при<strong>в</strong>еден рекомендуемый<br />
тип разъемо<strong>в</strong> Х1 и Х2. Третий,<br />
X3, я<strong>в</strong>ляется стандартным 20-контактным<br />
разъемом DIC20 и имеет следующие группы<br />
контакто<strong>в</strong> (рис. 5):<br />
• 10 контакто<strong>в</strong> GND (ОБЩ) — <strong>в</strong>се нечетные<br />
контакты соединителя со стороны базо<strong>в</strong>ой<br />
платы электрически соединены.<br />
• Д<strong>в</strong>а контакта V cc для подключения источника<br />
питания +15 В.<br />
• 2 контакта INA и INB <strong>в</strong>ходных сигнало<strong>в</strong><br />
драй<strong>в</strong>ера каждого канала (PWM1<br />
и PWM2).<br />
• Д<strong>в</strong>а контакта Fault1 и Fault2 сигнало<strong>в</strong> статуса<br />
<strong>в</strong>ыходо<strong>в</strong> каждого канала — сигналы<br />
ошибки (а<strong>в</strong>арийного состояния <strong>в</strong>ыходо<strong>в</strong>).<br />
• Один контакт MOD <strong>в</strong>ыбора режима работы<br />
драй<strong>в</strong>ера (режимы «полумост»/«прямой»).<br />
• Один контакт TB регулиро<strong>в</strong>ки <strong>в</strong>ремени<br />
блокиро<strong>в</strong>ания драй<strong>в</strong>ера после поступления<br />
сигнала ошибки (например, <strong>в</strong> случае короткого<br />
замыкания). По умолчанию это <strong>в</strong>ремя<br />
Рис. 5. Рекомендуемая схема интерфейса пользо<strong>в</strong>ателя (подключения к разъему Х3)<br />
базо<strong>в</strong>ой платы 2BB0108T<br />
Рассмотрим подробнее особенности работы<br />
драй<strong>в</strong>ера на осно<strong>в</strong>е базо<strong>в</strong>ой платы с точки<br />
зрения <strong>в</strong>строенных защитных функций, которые<br />
улучшены <strong>в</strong> драй<strong>в</strong>ерном ядре SCALE-2.<br />
Конечно, <strong>в</strong>се драй<strong>в</strong>еры на базе этого семейст<strong>в</strong>а<br />
обладают и стандартными защитными функциями<br />
драй<strong>в</strong>еро<strong>в</strong> IGBT, такими как: контроль<br />
напряжения коллектор-эмиттер сило<strong>в</strong>ого транзистора<br />
для защиты от короткого замыкания;<br />
блокиро<strong>в</strong>ка канала драй<strong>в</strong>ера <strong>в</strong> случае а<strong>в</strong>арийной<br />
ситуации с последующим <strong>в</strong>осстано<strong>в</strong>лением<br />
(Operation inhibit after fault); блокиро<strong>в</strong>ка<br />
<strong>в</strong> случае понижения питающего напряжения;<br />
обеспечение сигнала состояния (статуса) драй<strong>в</strong>ерного<br />
канала(о<strong>в</strong>). Но<strong>в</strong>ой защитной функцией<br />
драй<strong>в</strong>еро<strong>в</strong> SCALE-2 я<strong>в</strong>ляется так назы<strong>в</strong>аемое<br />
улучшенное акти<strong>в</strong>ное ограничение (active<br />
clamping) напряжения коллектор-эмиттер<br />
IGBT-транзистора <strong>в</strong> режиме <strong>в</strong>ыключения, что<br />
особенно <strong>в</strong>ажно <strong>в</strong> случае защиты транзистора<br />
от короткого замыкания или при коммутации<br />
больших токо<strong>в</strong> и постоянных напряжений<br />
<strong>в</strong> ин<strong>в</strong>ерторных схемах. Суть функции<br />
акти<strong>в</strong>ного ограничения состоит <strong>в</strong> частичном<br />
<strong>в</strong>ключении сило<strong>в</strong>ого ключа на <strong>в</strong>ремя, когда напряжение<br />
на его коллекторе пре<strong>в</strong>ышает предустано<strong>в</strong>ленное<br />
значение. Транзистор на <strong>в</strong>ремя<br />
<strong>в</strong>ключения переходит <strong>в</strong> линейный режим работы<br />
с сущест<strong>в</strong>енно меньшей рассеи<strong>в</strong>аемой мощностью.<br />
Подробнее эта функция рассмотрена<br />
<strong>в</strong> [7]. Базо<strong>в</strong>ая плата 2BB0108T имеет функцию<br />
акти<strong>в</strong>ного ограничения. Оснащение драй<strong>в</strong>ера<br />
этой функцией поз<strong>в</strong>оляет более эффекти<strong>в</strong>но<br />
использо<strong>в</strong>ать IGBT-модули путем по<strong>в</strong>ышения<br />
частоты переключения с соот<strong>в</strong>етст<strong>в</strong>ующим<br />
снижением коммутационных потерь.<br />
Функциональная схема контроля напряжения<br />
коллектор-эмиттер (V ce Monitoring), <strong>в</strong>строенная<br />
<strong>в</strong> базо<strong>в</strong>ые платы 2BB0108T и 2BB0435T, при<strong>в</strong>едена<br />
на рис. 4. Напряжение коллектор-эмиттер<br />
обоих канало<strong>в</strong> измеряется с помощью резисти<strong>в</strong>ных<br />
цепей. Отсчет V ce начинается по истечении<br />
некоторого <strong>в</strong>ремени задержки (response time)<br />
с момента подачи на зат<strong>в</strong>ор сило<strong>в</strong>ых транзисторо<strong>в</strong><br />
<strong>в</strong>ключающего напряжения драй<strong>в</strong>ера<br />
(рис. 6). Если <strong>в</strong>еличина измеренного напряжения<br />
V ce больше предустано<strong>в</strong>ленного порого<strong>в</strong>ого<br />
значения V th , драй<strong>в</strong>ер определяет это как<br />
состояние короткого замыкания и <strong>в</strong>ыста<strong>в</strong>ляет<br />
сигнал на <strong>в</strong>ы<strong>в</strong>оде Sox. Соот<strong>в</strong>етст<strong>в</strong>ующий сило<strong>в</strong>ой<br />
транзистор немедленно запирается. IGBTтранзистор<br />
остается <strong>в</strong> <strong>в</strong>ыключенном состоянии<br />
<strong>в</strong>се <strong>в</strong>ремя, пока на <strong>в</strong>ыходе Sox присутст<strong>в</strong>ует<br />
сигнал блокиро<strong>в</strong>ки, который, <strong>в</strong> с<strong>в</strong>ою очередь,<br />
определяется наличием соотношения V ce >V th .<br />
Схемы контроля V ce дейст<strong>в</strong>уют неза<strong>в</strong>исимо<br />
по каждому каналу.<br />
32 www.power-e.ru
Сило<strong>в</strong>ая Электроника, № 4’2010<br />
Сило<strong>в</strong>ая элементная база<br />
Рис. 6. Временные характеристики IGBT<br />
при <strong>в</strong>ключении<br />
Необходимо отметить, что <strong>в</strong>ремя задержки,<br />
по истечении которого измеряется V ce , у<strong>в</strong>еличи<strong>в</strong>ается<br />
с уменьшением постоянного напряжения<br />
питания ин<strong>в</strong>ертора: ниже 500 В (для<br />
<strong>в</strong>ерсий 1200 и 1700 В) и ниже 400 В (для 600-В<br />
<strong>в</strong>ерсии). Функция контроля напряжения<br />
коллектор-эмиттер предназначена только<br />
для защиты IGBT-транзистора от короткого<br />
замыкания и не предназначена для защиты<br />
от перегрузки по току, которая имеет более<br />
низкий приоритет и может быть легко реализо<strong>в</strong>ана<br />
<strong>в</strong> контроллере преобразо<strong>в</strong>ателя.<br />
Заключение<br />
• Д<strong>в</strong>е базо<strong>в</strong>ые платы 2BB0108T и 2BB0435T,<br />
предста<strong>в</strong>ляющие собой «конструктор»<br />
д<strong>в</strong>ухканального драй<strong>в</strong>ера IGBT, поз<strong>в</strong>оляют<br />
сократить <strong>в</strong>ремя разработки драй<strong>в</strong>еро<strong>в</strong> сило<strong>в</strong>ых<br />
ключей и ускорить <strong>в</strong>ыход продукции<br />
на рынок.<br />
• Для <strong>в</strong>ключения базо<strong>в</strong>ой платы <strong>в</strong> работу необходимо<br />
смонтиро<strong>в</strong>ать резисторы зат<strong>в</strong>ора<br />
и устано<strong>в</strong>ить ядро драй<strong>в</strong>ера. Резисторы<br />
и ядро драй<strong>в</strong>ера не <strong>в</strong>ходят <strong>в</strong> комплект поста<strong>в</strong>ки.<br />
• Базо<strong>в</strong>ые платы 2BB0108T и 2BB0435T <strong>в</strong>ыпускаются<br />
для упра<strong>в</strong>ления IGBT на рабочие напряжения<br />
600, 1200, 1700 В. Выходная мощность<br />
драй<strong>в</strong>еро<strong>в</strong> базо<strong>в</strong>ой платы соста<strong>в</strong>ляет<br />
1 и 4 Вт на канал при токах 8 и 35 А на канал<br />
соот<strong>в</strong>етст<strong>в</strong>енно.<br />
• Драй<strong>в</strong>ер базо<strong>в</strong>ой платы построен на осно<strong>в</strong>е<br />
но<strong>в</strong>ейшего ядра SCALE-2 и обладает <strong>в</strong>семи<br />
его техническими характеристиками, такими<br />
как малое <strong>в</strong>ремя задержки <strong>в</strong>кл/<strong>в</strong>ыкл (до<br />
80 нс) и низкий джиттер (до единиц наносекунд),<br />
<strong>в</strong>ключая мониторинг напряжения<br />
коллектор-эмиттер и улучшенное акти<strong>в</strong>ное<br />
ограничение напряжения коллекторэмиттер<br />
при <strong>в</strong>ыключении и <strong>в</strong> стационарных<br />
режимах работы.<br />
• Платы драй<strong>в</strong>еро<strong>в</strong> 2BB0108T и 2BB0435T<br />
поддержи<strong>в</strong>ают 2-, 3-, многоуро<strong>в</strong>не<strong>в</strong>ые и параллельные<br />
топологии соединения сило<strong>в</strong>ых<br />
ключей.<br />
• Платы укомплекто<strong>в</strong>аны документацией,<br />
<strong>в</strong>ключая электрические схемы, перечень<br />
элементо<strong>в</strong>, габаритные чертежи, послойные<br />
чертежи топологии, упра<strong>в</strong>ляющие файлы<br />
для изгото<strong>в</strong>ления печатной платы.<br />
Литература<br />
1. Бербенец А. Драй<strong>в</strong>еры CT-Concept для сило<strong>в</strong>ых<br />
IGBT- и MOSFET-модулей на базе<br />
но<strong>в</strong>ого ядра SCALE-2 // Сило<strong>в</strong>ая <strong>электроника</strong>.<br />
2009. № 5.<br />
2. www.Igbt-Driver.com.<br />
3. Description and Application Manual for<br />
SCALE Drivers, CONCEPT.<br />
4. Data sheets SCALE-2 driver core 2SC0108T,<br />
CONCEPT.<br />
5. 2BB0108T Description and Application Manual,<br />
CONCEPT.<br />
6. 2BB0435T Description and Application Manual,<br />
CONCEPT.<br />
7. Advantages of Advanced Active Clamping //<br />
Power Electronics Europe. 2009. November/<br />
December.<br />
www.power-e.ru<br />
33
Change language