Pressemitteilung (PDF 223 kB) - IHP Microelectronics

Pressemitteilung
Miniaturisierter 120 GHz Radar-Sensor auf
ISSCC in San Francisco präsentiert
Silizium-basierter Chip ist Schlüssel-Schaltkreis für kostengünstiges
Miniatur-Radar bei 120 GHz
Frankfurt (Oder), 18. Februar 2013. Auf der 60. International Solid-State
Circuits Conference (ISSCC) vom 17. bis 21. Februar in San Francisco stellt
Dr. Yaoming Sun vom IHP – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
neueste Schaltkreis-Forschungsergebnisse für Anwendungen in der
Millimeterwellen-Technik vor. Die ISSCC ist die bedeutendste internationale
Konferenz auf dem Gebiet der Entwicklung integrierter Schaltkreise, so
genannter ICs.
Den IHP-Wissenschaftlern ist es erstmalig gelungen, gemeinsam mit der Firma
Silicon Radar aus Frankfurt (Oder), der Universität Karlsruhe und der Firma
Bosch einen anwendungsbereiten Radar-Sensor mit integrierter Antenne zu
demonstrieren, welcher Radarsignale sowohl sendet als auch empfängt. Damit
können zum Beispiel kurze Entfernungen berührungslos genau vermessen
werden. Die Entwicklung erfolgte im Rahmen des EU-Projektes mit dem
erfolgversprechenden Namen SUCCESS.
Die Schaltkreisentwickler am IHP arbeiten eng mit den Technologen des
Forschungsinstitutes zusammen. Dabei werden die Vorteile der Silizium-
Germanium BiCMOS-Technologie in den entwickelten komplexen Schaltkreisen
gezielt ausgenutzt. Der Hauptvorteil dieser Technologie liegt in der Kombination
von extrem schnellen Bipolartransistoren mit Grenzfrequenzen von über 300
GHz und MOS (Metall-Oxid-Semiconductor)-Transistoren auf einem Chip. Dies
ermöglicht Radarsysteme, die Abmessungen von nur wenigen Millimetern
haben.
Die Anwendungsgebiete dieser revolutionären „System im IC-Gehäuse“
Technologie (Abk.: SiP) sind vielfältig. Die kostengünstigen miniaturisierten
Sensorsysteme können in industriellen Anlagen, Sicherheitssystemen und in
der Automobilindustrie eingesetzt werden. Beispiele sind Abstandsmessung,
Bewegungsmelder, Vermessung der Stoßdämpfer im Auto und Sensoren zur
Materialcharakterisierung. Die kostengünstige silizium-basierte SiP-Lösung wird
somit zur Reduzierung der Unfallzahlen auf unseren Straßen beitragen.
122-GHz Radar-Chip (links) und SiP (rechts) (IHP)
IHP GmbH Im Technologiepark 25 15236 Frankfurt (Oder) Germany

Weitere Informationen:
Dr. Wolfgang Kissinger
Marketing
IHP – Innovations for High Performance Microelectronics/Leibniz-Institut für
innovative Mikroelektronik
Im Technologiepark 25
15236 Frankfurt (Oder)
Tel: +49 335 5625 410
Fax: +49 335 5625 222
Email: kissinger@ihp-microelectronics.com
Web Links:
www.success-project.eu
www.isscc.org
www.ihp-microelectronics.com
www.siliconradar.com
www.kit.edu
www.bosch.com
IHP GmbH Im Technologiepark 25 15236 Frankfurt (Oder) Germany