Fehler- und Schadensanalytik an Steckverbindern - Westfalenhallen
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<strong>Fehler</strong>- <strong>und</strong> <strong>Schadens<strong>an</strong>alytik</strong><br />
<strong>an</strong> <strong>Steckverbindern</strong><br />
Dr. Olaf Günnewig<br />
SGS INSTITUT FRESENIUS GmbH<br />
Joseph-von-Fraunhofer-Str. 13<br />
44227 Dortm<strong>und</strong>
Dr. Olaf Günnewig „<strong>Fehler</strong>- <strong>und</strong> <strong>Schadens<strong>an</strong>alytik</strong> <strong>an</strong> <strong>Steckverbindern</strong>“<br />
Die Ausg<strong>an</strong>gssituation<br />
Vor 50 Jahren Heute<br />
Boeing VC-137B (707-120/SAM 970)<br />
“Air Force One”<br />
Airbus A380<br />
VW Käfer VW Phaeton<br />
Quelle: Bertr<strong>an</strong>dt<br />
Quelle: Airbus<br />
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� Kennzahlen VW Phaeton<br />
- 65 vernetzte Steuergeräte<br />
- Elektrikumf<strong>an</strong>g: 11.136 Teile<br />
- 2110 Leitungen<br />
- Gesamtlänge: 3,86 km<br />
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Die Ausg<strong>an</strong>gssituation<br />
- Gewicht des Kabelbaums: 64 kg<br />
- Fahrzeug der Oberklasse mit<br />
typischerweise ~3000 Steckver-<br />
bindern<br />
Anforderungen <strong>an</strong> die Zuverlässigkeit von <strong>Steckverbindern</strong><br />
Quelle: Volkswagen<br />
Quelle: Bertr<strong>an</strong>dt<br />
� Einhaltung <strong>und</strong> Konst<strong>an</strong>z der genauen Höhe<br />
des elektrischen Durchg<strong>an</strong>gswiderst<strong>an</strong>des …<br />
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� Kennzahlen Airbus A380<br />
- >1000 Steuergeräte in Avionik<br />
- 40.300 Steckverbinder<br />
- Gesamtlänge: 530 km<br />
Avionik A380<br />
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Die Ausg<strong>an</strong>gssituation<br />
Anforderungen <strong>an</strong> die Zuverlässigkeit von <strong>Steckverbindern</strong><br />
Avionik A380<br />
Quelle: DIEHL<br />
Quelle: FAZ<br />
DSMS A380<br />
Quelle: DIEHL<br />
Quelle: THALES<br />
� Einhaltung <strong>und</strong> Konst<strong>an</strong>z der genauen Höhe<br />
des elektrischen Durchg<strong>an</strong>gswiderst<strong>an</strong>des …<br />
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� Einhaltung <strong>und</strong> Konst<strong>an</strong>z der genauen Höhe des<br />
Durchg<strong>an</strong>gswiderst<strong>an</strong>des …<br />
… vor dem Hintergr<strong>und</strong>:<br />
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Die Ausg<strong>an</strong>gssituation<br />
Anforderungen <strong>an</strong> die Zuverlässigkeit von <strong>Steckverbindern</strong><br />
- Steckhäufigkeit / L<strong>an</strong>gzeiteinsatz<br />
- geringe Sp<strong>an</strong>nungen (mV) <strong>und</strong> Ströme (µA)<br />
- wechselnde Temperaturen <strong>und</strong> Feuchtigkeiten<br />
- verschiede Schadstoffe <strong>und</strong> Schadstoffkonzentrationen<br />
- Einwirkungen mech<strong>an</strong>ischer Schwingungen<br />
<strong>und</strong> Stöße<br />
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Die Ausg<strong>an</strong>gssituation<br />
Qualifizierung von <strong>Steckverbindern</strong> vor dem Hintergr<strong>und</strong> des gepl<strong>an</strong>ten Einsatzes<br />
z.B. IEC 601076-4-1xx<br />
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� Eine Qualifizierung bezieht sich auf die Komponente vor der Massenproduktion<br />
- Keine Überwachung der Serienproduktion (z.B. „Golden Sample“-Problem, kürzere Taktzeiten,<br />
Werkzeugverschleiß usw.)<br />
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Die Ausg<strong>an</strong>gssituation<br />
Ist die Qualifizierung ausreichend um Schadensfälle vollständig zu vermeiden?<br />
� Im Allgemeinen: Nein<br />
� Die Qualifizierung bezieht sich nur auf eine Komponente eines komplexen Systems<br />
- Komponenten- bzw. Systemeinflüsse werden unzureichend abgebildet<br />
� Im Rahmen der Qualifizierung erfolgt i. d. R. keine detaillierte Bewertung<br />
- Schwachstellen, die nicht unmittelbar zum Ausfall führen, werden nicht entdeckt<br />
� Durch die Qualifizierung werden L<strong>an</strong>gzeiteffekte häufig nicht reproduziert<br />
- z.B. Migrations-/Diffusionsphänomene, Abweichung Simulation � Realität<br />
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Die Ausg<strong>an</strong>gssituation<br />
Ausfallursachen für Steckverbinder<br />
� Ausbildung von widerst<strong>an</strong>dserhöhenden Schichten auf den Kontaktflächen<br />
- Korrosion<br />
- Reiboxidation (Fretting, infolge Vibration / Verschiebung im µm-Bereich, z.B. Zinnoberflächen)<br />
- thermische Oxidation / intermetallische Phasenbildung (beides: erhöhte Umgebungstemperatur)<br />
- Kontamination aus der Umgebung oder aus der Komponente selbst<br />
� Beschichtungsabtrag in den Kontaktzonen<br />
- Schichtdefekte durch mech<strong>an</strong>ischen Verschleiß (Vibration) oder Steckvorgänge (Kontaktgeometrie)<br />
- Schädigung / Veränderung der Beschichtung infolge Temperatur (Diffusion)<br />
� Mech<strong>an</strong>ische / Herstellungsbedingte Eigenschaften des Kontaktsystems<br />
- Abbau der Kontaktnormalkraft durch thermische Sp<strong>an</strong>nungsrelaxation (z.B. Cu-Be-Legierungen)<br />
- „Abheben“ von Kontaktlamellen infolge Vibration<br />
- Geometrie / Qualität der Crimpverbinder<br />
� Bleifreies Löten / RoHS<br />
- Ausbildung von Whiskern bei Verwendung von Reinzinn<br />
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Widerst<strong>an</strong>dserhöhende Fremdschichten<br />
Analytische Verfahren zum Nachweis von Fremdschichten auf Kontakten<br />
� Moderne Automotive- <strong>und</strong> Aerospace-Elektronik � teilweise sehr kleine Sp<strong>an</strong>nungen<br />
- Testsp<strong>an</strong>nungen im Airbag-Pfad: ~30 mV<br />
Sp<strong>an</strong>nungen unterhalb Lichtbogengrenzsp<strong>an</strong>nung<br />
oder Schmelzsp<strong>an</strong>nung<br />
- Ausg<strong>an</strong>gssp<strong>an</strong>nungen Abgassensorik: 0,2 -1,1 V � keine Reinigung der Kontakte über Lichtbögen<br />
- Analoge Eing<strong>an</strong>gssp<strong>an</strong>nungen ELAC: 0 - 5 V<br />
� dünnste Fremdschichten wirken widerst<strong>an</strong>dserhöhend<br />
(> 20 nm)<br />
Oberflächen<strong>an</strong>alytische Verfahren notwendig!<br />
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Widerst<strong>an</strong>dserhöhende Fremdschichten<br />
Analytische Verfahren zum Nachweis von Fremdschichten auf Kontakten<br />
■ Detektor für Elektronen: Topographie / Material<br />
- Hohe laterale Auflösung (< 5 nm)<br />
- Hohe Schärfentiefe<br />
- Präzise Messung von Längen<br />
- SE-Detektor: Topographiekontrast<br />
- BSE-Detektor: Materialkontrast<br />
■ Detektor für Röntgenstrahlung: EDX-Analyse<br />
- Laterale <strong>und</strong> vertikale Auflösung: 0,1...1 µm<br />
- Laterales Element-Mapping, vertikale Element-<br />
profile (letztere nur am Querschliff)<br />
- Nachweisgrenze: etwa 0,1 at.-%<br />
- Detektierbare Elemente: B / C bis U<br />
- Semiqu<strong>an</strong>titative Analyse<br />
Rasterelektronenmikroskop<br />
Elektronen<br />
Detektor<br />
Wehnelt-Zylinder<br />
Kondensor<br />
Objektiv<br />
Ablenkspule<br />
Objekt<br />
Detektor für<br />
Röntgenstrahlung<br />
Detektor für<br />
durchgehende<br />
Elektronen<br />
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Widerst<strong>an</strong>dserhöhende Fremdschichten<br />
Analytische Verfahren zum Nachweis von Fremdschichten auf Kontakten<br />
■ TOF-SIMS:<br />
- Desorption charakteristischer „Fragmente“ aus<br />
den obersten Atomlagen der Probe (Elemente,<br />
Ionen, Moleküle, Fragmente von Molekülen)<br />
- Chemischer Aufbau der Oberfläche <strong>und</strong> Bestim-<br />
mung der lateralen Element- <strong>und</strong> Molekülvertei-<br />
lung („chemical mapping“)<br />
- Nachweis aller Elemente <strong>und</strong> Isotope sowie<br />
org<strong>an</strong>ischer Verbindung im Spurenbereich<br />
- Hohe laterale <strong>und</strong> vertikale Auflösung<br />
- Laterale Auflösung: < 1 µm<br />
- Vertikale Auflösung: 0,5 … 2 nm<br />
- Nachweisgrenze: ppb … ppm<br />
primäres Ion: Ar,Ga,Cs, Au-Cluster,<br />
10-30keV<br />
technische Oberfläche<br />
beliebiger Festkörper<br />
Elemente, Moleküle<br />
Fragmente von Molekülen<br />
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■ XPS:<br />
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Widerst<strong>an</strong>dserhöhende Fremdschichten<br />
Analytische Verfahren zum Nachweis von Fremdschichten auf Kontakten<br />
- Elektronenspektrometrisches Verfahren<br />
mit Röntgen<strong>an</strong>regung<br />
- Photoelektronen sind die Informationsträger<br />
- Die XPS-Analyse liefert die qualitative <strong>und</strong><br />
qu<strong>an</strong>titative Materialzusammensetzung sowie<br />
den Nachweis der chemischen Bindung<br />
- Laterale Auflösung: 10 µm ….. 3 mm<br />
- Tiefenauflösung: 0,5…3 nm<br />
- Nachweisgrenze: ca. 0,1 At.-%<br />
- Qu<strong>an</strong>tifizierung: gut (Empfindlichkeitsfaktoren)<br />
- Elementnachweis: Z ≥ 3<br />
- Tiefenprofile: ja<br />
1 µm<br />
Oberfläche<br />
1s<br />
2p<br />
Röntgen<strong>an</strong>regung<br />
2s<br />
(h * n )<br />
3/2<br />
1/2<br />
Probe<br />
Photoelektronen<br />
d = 4…100 Å<br />
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■ AES:<br />
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Widerst<strong>an</strong>dserhöhende Fremdschichten<br />
Analytische Verfahren zum Nachweis von Fremdschichten auf Kontakten<br />
- Anregung mit Elektronen<br />
- Messung der Energieverteilung der aus dem<br />
Festkörper austretenden Augerelektronen<br />
- Laterale Auflösung: ca. 30 nm<br />
- Tiefenauflösung: 0,5 ... 3 nm<br />
- Nachweisgrenze: 0,5... 5 at%<br />
- Qu<strong>an</strong>tifizierung: ja<br />
- Nachweisbare Elemente: Z ≥ 3<br />
- Tiefenprofil: ja<br />
0<br />
Sek<strong>und</strong>ärelektronen<br />
Rückgestreute Elektronen<br />
Probenoberfläche<br />
< 1 - 3 µm<br />
1 µm<br />
Si O<br />
100<br />
500<br />
Kinetische Energie (eV)<br />
Primärelektronen-Strahl<br />
Auger-Elektronen<br />
4 - 50 Å<br />
Z > 3<br />
Charakteristische<br />
Röntgenstrahlen<br />
Anregungsvolumen<br />
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Z 4
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Widerst<strong>an</strong>dserhöhende Fremdschichten<br />
Analytische Verfahren zum Nachweis von Fremdschichten auf Kontakten<br />
AES XPS TOF-SIMS<br />
Anregung Elektronen Röntgenstrahlen Ionen<br />
Messprinzip<br />
Nachweistiefe /<br />
Tiefenauflösung<br />
Energieverteilung der<br />
Augerelektronen<br />
Energieverteilung der<br />
Photoelektronen<br />
0,5 nm - 5 nm 0,5 bis max. 10 nm 0,5 nm<br />
Masse <strong>und</strong> Ladung der<br />
Sek<strong>und</strong>ärionen<br />
Nachweisempfindlichkeit ca. 0,5 – 5 A% ca. 0,1- 2 A% 10 9 - 10 12 at/cm 2<br />
Laterale Auflösung 10 nm 10 bis 30 µm 0,5 µm<br />
Aussagen zur chemischen<br />
Beschaffenheit<br />
Qu<strong>an</strong>tifizierbarkeit<br />
Tiefenprofile Ja<br />
Nur bedingt Gut (chemical shift)<br />
Empfindlichkeitsfaktoren<br />
(eingeschränkte Genauigkeit)<br />
Nachweis Z � 3<br />
Empfindlichkeitsfaktoren<br />
(relativ genau -> f.p.m)<br />
Nachweis Z � 3<br />
Ja, bis ca. 10 nm auch<br />
winkelaufgelöst<br />
Sehr gut (l<strong>an</strong>ge<br />
Molekülketten)<br />
St<strong>an</strong>dards, für bek<strong>an</strong>nte<br />
Materialien Empfindlichkeitsfaktoren<br />
Ja für flache Profile,<br />
chemische Information geht<br />
verloren<br />
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Widerst<strong>an</strong>dserhöhende Fremdschichten<br />
Charakterisierung von Verunreinigungen auf Kontaktflächen<br />
Lichtmikroskopie Rasterelektronenmikroskopie<br />
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Widerst<strong>an</strong>dserhöhende Fremdschichten<br />
Charakterisierung von Verunreinigungen auf Kontaktflächen<br />
Silikonquelle:<br />
Einzelleiterabdichtung<br />
Rasterelektronenmikroskopie:<br />
Element - Maps<br />
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Widerst<strong>an</strong>dserhöhende Fremdschichten<br />
Charakterisierung von Verunreinigungen auf Kontaktflächen<br />
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Widerst<strong>an</strong>dserhöhende Fremdschichten<br />
Ausfall elektrischer Kontakte durch SiOx-Bildung über Silikon-Degradation<br />
REM Kohlenstoff Sauerstoff Silicium<br />
Zeitaufgelöste Sek<strong>und</strong>ärionen-Massenspektroskopie (TOF-SIMS)<br />
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Widerst<strong>an</strong>dserhöhende Fremdschichten<br />
Ausfall von Airbag-Kontakten durch Polymerisation org<strong>an</strong>ischer Schichten<br />
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Widerst<strong>an</strong>dserhöhende Fremdschichten<br />
Migration einer Vergussmasse bewirkt erhöhten elektrischen Überg<strong>an</strong>gswiderst<strong>an</strong>d<br />
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Migrationsversuch:<br />
Auf ein hochreines Silberblech werden<br />
Crimpöl <strong>und</strong> Vergussmasse in einem<br />
Abst<strong>an</strong>d von ca. 15 mm aufgebracht.<br />
Nach Aushärten der Vergussmasse<br />
werden elektrische Messungen des<br />
kraftabhängigen Überg<strong>an</strong>gswider-<br />
st<strong>an</strong>des (dry circuit) durchgeführt.<br />
Es zeigen sich deutlich erhöhte<br />
Überg<strong>an</strong>gswiderstände in der Ver-<br />
mischungszone<br />
� Ursache für den Ausfall der<br />
Steckverbinder<br />
Dr. Olaf Günnewig „<strong>Fehler</strong>- <strong>und</strong> <strong>Schadens<strong>an</strong>alytik</strong> <strong>an</strong> <strong>Steckverbindern</strong>“<br />
Widerst<strong>an</strong>dserhöhende Fremdschichten<br />
Chemische Reaktion einer Vergussmasse mit einem Crimpöl<br />
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Beschichtungsabtrag in den Kontaktzonen<br />
Mech<strong>an</strong>ischer Durchrieb eines Silberkontaktes<br />
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Beschichtungsabtrag in den Kontaktzonen<br />
Mech<strong>an</strong>ischer Durchrieb eines Silberkontaktes<br />
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Dr. Olaf Günnewig „<strong>Fehler</strong>- <strong>und</strong> <strong>Schadens<strong>an</strong>alytik</strong> <strong>an</strong> <strong>Steckverbindern</strong>“<br />
Beschichtungsabtrag in den Kontaktzonen<br />
Mech<strong>an</strong>ischer Durchrieb eines Goldkontaktes<br />
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Kurzschlüsse infolge von Elektromigration<br />
Ursache für den Abbr<strong>an</strong>d einer Baugruppe im Steckerbereich<br />
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Dr. Olaf Günnewig „<strong>Fehler</strong>- <strong>und</strong> <strong>Schadens<strong>an</strong>alytik</strong> <strong>an</strong> <strong>Steckverbindern</strong>“<br />
Kurzschlüsse infolge von Elektromigration<br />
Ursache für die Bildung leitfähiger Beläge auf einem St<strong>an</strong>zgitter<br />
Schritt 1: Schadens<strong>an</strong>alyse Schritt 2: Chemische Analytik der Beläge<br />
Schritt 4: Auslagerung in Klimakammer<br />
Cu 2S: S aus ABS Additiv<br />
Schritt 3: Cu 2S Bildungstheorie<br />
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Whisker-Bildung<br />
Bildung <strong>und</strong> Wachstum von Whiskern (Sn- <strong>und</strong> Ag-beschichtete Oberflächen)<br />
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Whisker-Bildung<br />
Whisker-Bildung <strong>an</strong> Kontakten eines Stecksockels<br />
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Crimpverbinder<br />
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Crimpverbinder<br />
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Dr. Olaf Günnewig „<strong>Fehler</strong>- <strong>und</strong> <strong>Schadens<strong>an</strong>alytik</strong> <strong>an</strong> <strong>Steckverbindern</strong>“<br />
Zusammenfassung<br />
■ Technischer Fortschritt <strong>und</strong> wachsende K<strong>und</strong>en<strong>an</strong>forderungen<br />
führen zu hoch-komplexen Lösungen in vielen<br />
Industriebereichen.<br />
■ In Verbindung mit Zeit-, Kosten- <strong>und</strong> Marktdruck wachsen die<br />
Risiken für technische Probleme.<br />
■ In einigen Fällen, insbesondere wenn sicherheitsrelev<strong>an</strong>te<br />
Systeme betroffen sind, müssen Rückrufaktionen ausgelöst<br />
werden, die hohe Kosten <strong>und</strong> Imageverluste nach sich ziehen.<br />
■ SGS, als Ihr kompetenter, diskreter <strong>und</strong> unabhängiger Partner<br />
in der <strong>Schadens<strong>an</strong>alytik</strong> <strong>und</strong> Prävention testet Ihre Produkte<br />
auf Herz <strong>und</strong> Nieren, bevor Ausfälle im Feldeinsatz auftreten<br />
können.<br />
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Dr. Olaf Günnewig „<strong>Fehler</strong>- <strong>und</strong> <strong>Schadens<strong>an</strong>alytik</strong> <strong>an</strong> <strong>Steckverbindern</strong>“<br />
KONTAKT<br />
Dr. Olaf Günnewig<br />
CTS Automotive<br />
SGS INSTITUT FRESENIUS GmbH<br />
Joseph-von-Fraunhofer-Str. 13<br />
44227 Dortm<strong>und</strong><br />
Telefon +49 (0)231 9742-7303<br />
Fax +49 (0)231 9742-7349<br />
E-Mail olaf.guennewig@sgs.com<br />
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WWW.SGS.COM<br />
WWW.SGSGROUP.DE