T - Dies ist unser Püffki, nur Eingeweihte kennen seine hohen ...

XII Inhaltsverzeichnis
3.3. Feldeffekttransistoren .
3.3.1.
3.3.2.
3.3.3.
3.3A.
3.3.5.
3.3.6.
3.3.7.
3.3.R.
3.4.
3.4.1.
3.4.2.
3.4.3.
3.4.4.
3.4.5.
3.4.6.
3.4. 7.
4.
4.1.
4.1.1.
4.1.2.
4.1.3.
4.1.4.
4.2.
4.2.1.
4.2.2.
4.2.3.
4.2.4.
4.2.5.
4.2.6.
4.3.
4.3.1.
4.3.2.
4.3.3.
4.3.4.
4.3.5.
4.3.6.
Sperrschicht-FET
MOSFET •.•• •'
Bändermodell beim MOSFET
Anreicherungs· und Verarmungstyp . . • . . . • . .
Binfluß der Substratspannung und punch-through
Theorie der Ladungssteuerung • . • • . • .
Kleinsignalverhalten und Ersat?.schaltbild .
Potentialtopfmodell • • • • • . • . . •
Bipolartransistoren
Grundmodell • .
Mathematisches Modell •
Die vier Betriebszustände • .
Physikalisches Modell
Effektive Basisweite und punch.through
Kennlinien • • . • • • •
Kleinsignalparameter •
TechnologiegrundJagen
ReinstsiJicium und Einkristalle .
Herstellung des Rohsiliciums
Physikalische Reinigung
Herstellung 'von Einkristallen
Herstellung der Scheiben
Oberflächenschichten
Epitaxie
Diffusion
IsoHerschichten
Metallschichten
Ionenimplantation •
Vergleich der Dotiernngstec hniken .
Strukturierung .
Fotolithografie • •
Standardmethode für Masken
Leicht abgewandelte Technike-n
Elektronenstrahllithografie
Röntgenstrahllithografie
Zu physikalischen Grenzen. •
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