22 Tabelle 1.1.6. International genormte Widerstandsreihen 1. Elektrotechnische Grundlagen Heihe Reihe Reihe Reihe Heihe Reihe Heihe Heihe Heihe lteihe E6 E 12 E 24 E 48 E 96 E6 E 12 .E24 E 48 E 96 ·±20% + 10% ±5% ±1% ±1% +20% + 10% +5% ±2% +I% 'l'ol. 'l'ol. 'l'ol. 'l'ol. 'l'ol. '.rol. 'l'ol. 'l'ol. '.rol. 'l'ol. 1,0 wo 1,0 1,00 1,00 3,1ü 3,1ü 1,02 3,24 1,05 1,05 3,3 3,3 3,3 3,32 3,32 1,07 3,40 1,1 1,10 1,10 3,4S 3,48 1,13 3,57 .1,15 1,15 3,6 3,ü5 3,ü5 1,18 3,74 1,2 1,2 1,21 1,21 3,S3 3,83 1,24 3,9 3,9 3,92 1,27 1,27 4,02 4,02 1,3 1,30 4,12 1,33 1,33 4,22 4,22 1,37 4,3 4,32 1,40 1,40 4,42 4,42 1,43 4,53 1,47 1,47 4,64 4,{)4 1,5 1,5 1,5 1,50 4,7 4,7 4,7 4, 75 1,54 1,54 4,87 4,S7 1,58 4,99 1,6 l,ti2 l,(i2 5,1 5,11 5,11 1,{)5 5,23 l,ü9 1,{)9 5,3{) 5,3{) 1,74 5,49 1,7S 1,7S 5,6 5,ü 5,{)2 5,()2 l,S l,S 1,82 5, 7{) 1,87 1,87 5,90 5,90 1,91 6,04 1,96 1,96 6,2 6,19 6,19 2,0 2,00 6,34 2,05 2,05 6,49 {),49 2,10 6,G5 2,15 2,15 ü,8 G,S 6,8 6,81 6,81 2,2 2,2 2,2 2,21 6,98 2,26 2,26 7,15 7,15 2,32 7,32 2,37 2,37 7,5 7,50 7,50 2,4 2,43 7,68 2,49 2,49 7,87 7,87 2,55 8,0{) 2,ül 2,61 8,2 S,2 S,25 8,25 2,67 8,45 2,7 2,7 2,74 2,74 S,ü{) 8,{)6 2,80 S,87 2,S7 2,87 9,1 9,09 9,09 2,94 9,31 3,0 3.01 3,01 9,53 9,53 3,09 9, 7{) I --
1.1. Stationäre Ströme 23 leitende Glasurschicht, die auch Cermet genannt wird. Als Metallteilchen werden u. a. Tantal, Tantalkarbid, Titan. 'ritannitrid oder Ruthenium verwendet. Nicht auf einen IsoHerkörper aufgebracht sind die vor allem in England und früher stark gebräuchlichen Kohlemasse widerstände. Sie werden aus Ruß bzw. Graphitpulver und Quarzmehl in Verbindung mit einem härtbaren Kunstharz hergestellt. Für hohe Anforderungen sind in der letzten Zeit Kompaktmetallwiderstände entwickelt worden. Sie werden in Dünnschichttechnik (vgl. 9.4.5.) auf ein ebenes Glassubstrat aufgedampft oder gesputtert. Mittels Photolithografie oder anderer 'l'echniken werden mäanderförmige Bahnen erzeugt. Die beiden Anschlüsse werden einseitig im Hastermaß ·der Leiterplatten herausgeführt. Der Widerstand wird dann quaderförmig eingegossen. Seine Abmessungen betragen etwa 6,4 X 5,8 mm 2 • Ebenfalls in der letzten Zeit werden immer häufiger Widerstandsnetzwerke eingesetzt. Sie enthalten in einem Gehäuse (me<strong>ist</strong> auch auf einem Substrat) gleichzeitig mehrere Widerstände. Es gibt Ausführungen mit Anschlüssen in einer Reihe, aber auch in DIL-Gehäuse (vgl. 4.5.2.). Schichtwiderstände sind
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1.5. Grundbauelemente 87 Tabelle 1.
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146 3. Grundlagen der Halbleiterbau
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3.3. Feldeffekttransistoren 165 Ins
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4. Technologiegrundlagen Silici-um
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4.2. Oberflächenschichten 199 prob
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202 4. Technologiegrundlagen 4.3. S
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228 5. Bauelemente- Eigenschaften u
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5.5. Feldeffekttransistoren 253 a)
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{).6. Bipolartransistor 275 erschwe
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5. 7. Grenzdaten 293 .. scheiden hi
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5. 7. Grenzdaten Tabelle 5.7.8. Ana
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6.0. Überblick 313 Tabelle 6.1.0.
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6.2. Vakuumelektronik JLAIL Glimmei
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7 .1. Rückkopplung 473 imaginär a
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7 .3. Einfache Analogschaltungen 48
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7.3. Einfache Analogschaltungen t E
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7.4. Ausgangsstufen und Leistungsve
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7. 5. Operationsverstärker 561 Vo/
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7. 5. Operationsverstärker c) a) b
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7.7. Ausgewählte Gebiete zur Meßt
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8.5. Einfache sequentielle Schaltun
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SI2 8. Digitale Schaltungen Vielfac
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9.3. Digitalfilter 955 arbeitbaren
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9.4. Sondertechnologien inff'griert
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1018 [S 39] [S 40j lS 4IJ [S 42J [S
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1 0.2. Abkürzungsverzeichnis dB 61
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10.4. Bachwortverzeichnis Sekundär
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10.4. Bachwortverzeichnis WHEATSTON