6 01.02.2005 - 31.03.2007 01.02.2005 - 31.03.2007 Villingen, 17.07 ...
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Abschlussbericht Forschungsvorhaben 14237 N<br />
5.2 Entwicklung einer Antriebsbewegung in z-Richtung<br />
Der Vortrieb der Antriebsbewegung entsteht im elektrostatischen Feld durch die<br />
nichtlinearen Randfelder, die eine anziehende Kraft in eine Richtung erzielen. Bei einem<br />
Antrieb in z-Richtung müssen dafür Strukturen unterschiedlicher Höhe realisiert werden.<br />
Werden hierfür jedoch nur beispielsweise die beweglichen Antriebskammelektroden<br />
abgedünnt wird ein einseitiger Kammantrieb mit einer „pumpenden“ Bewegung realisiert.<br />
Durch diese einseitige Ausführung des Kammantriebs variiert die aktive Elektrodenfläche<br />
über die vertikale Auslenkung, was einen nichtlinearen Kraftverlauf zur Folge hat.<br />
Um einen konstanten Kraftverlauf mit möglichst großen Anregungsamplituden zu<br />
gewährleisten muss ein differentieller Antrieb, wie in den aus der Ebene heraus sensitiven<br />
Gyroskopen, realisiert werden. Da das Technologiekonzept aus Gründen der<br />
Wirtschaftlichkeit nur einseitige Abdünnung der Strukturen vorsieht wurde ein Quasidifferentieller<br />
Antrieb realisiert, indem bewegliche, aber auch feststehende<br />
Kammelektroden abgedünnt wurden (Abbildung 9). Simulationen dieser<br />
Elektrodenanordnung zeigen eine gute Linearität der Kapazität (Abbildung 10) was in einer<br />
nahezu konstanten Kraft innerhalb einer ausreichend großen Anregungsamplitude von ± 4<br />
μm resultiert (Abbildung 11).<br />
Abbildung 9: Differentielles Prinzip der aus der Ebene heraus oszillierenden Kammelektroden<br />
Abbildung 10: Änderung der Kapazität über die<br />
vertikale Auslenkung<br />
Abbildung 11: Resultierender elektrostatischer<br />
Kraftverlauf des Quasi-differentiellen Antriebs<br />
Die Realisierung der abgedünnten Bereiche der Antriebskammelektroden erfolgt mittels<br />
zeitgesteuertem DRIE – Verfahren. Dies hat zur Folge dass die Höhe der abgesenkten<br />
Finger mit der Homogenität des Ätzprozesses, der Ätzratenvariation sowie dem TTV (engl.:<br />
Total Thickness Variation) des SOI-Wafers variiert und somit diese Toleranz näher<br />
untersucht werden musste. Simulationen zeigen, dass die technologiebedingten<br />
Hahn-Schickard-Gesellschaft 9