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Abschlussbericht Forschungsvorhaben 14237 N<br />

5.2 Entwicklung einer Antriebsbewegung in z-Richtung<br />

Der Vortrieb der Antriebsbewegung entsteht im elektrostatischen Feld durch die<br />

nichtlinearen Randfelder, die eine anziehende Kraft in eine Richtung erzielen. Bei einem<br />

Antrieb in z-Richtung müssen dafür Strukturen unterschiedlicher Höhe realisiert werden.<br />

Werden hierfür jedoch nur beispielsweise die beweglichen Antriebskammelektroden<br />

abgedünnt wird ein einseitiger Kammantrieb mit einer „pumpenden“ Bewegung realisiert.<br />

Durch diese einseitige Ausführung des Kammantriebs variiert die aktive Elektrodenfläche<br />

über die vertikale Auslenkung, was einen nichtlinearen Kraftverlauf zur Folge hat.<br />

Um einen konstanten Kraftverlauf mit möglichst großen Anregungsamplituden zu<br />

gewährleisten muss ein differentieller Antrieb, wie in den aus der Ebene heraus sensitiven<br />

Gyroskopen, realisiert werden. Da das Technologiekonzept aus Gründen der<br />

Wirtschaftlichkeit nur einseitige Abdünnung der Strukturen vorsieht wurde ein Quasidifferentieller<br />

Antrieb realisiert, indem bewegliche, aber auch feststehende<br />

Kammelektroden abgedünnt wurden (Abbildung 9). Simulationen dieser<br />

Elektrodenanordnung zeigen eine gute Linearität der Kapazität (Abbildung 10) was in einer<br />

nahezu konstanten Kraft innerhalb einer ausreichend großen Anregungsamplitude von ± 4<br />

μm resultiert (Abbildung 11).<br />

Abbildung 9: Differentielles Prinzip der aus der Ebene heraus oszillierenden Kammelektroden<br />

Abbildung 10: Änderung der Kapazität über die<br />

vertikale Auslenkung<br />

Abbildung 11: Resultierender elektrostatischer<br />

Kraftverlauf des Quasi-differentiellen Antriebs<br />

Die Realisierung der abgedünnten Bereiche der Antriebskammelektroden erfolgt mittels<br />

zeitgesteuertem DRIE – Verfahren. Dies hat zur Folge dass die Höhe der abgesenkten<br />

Finger mit der Homogenität des Ätzprozesses, der Ätzratenvariation sowie dem TTV (engl.:<br />

Total Thickness Variation) des SOI-Wafers variiert und somit diese Toleranz näher<br />

untersucht werden musste. Simulationen zeigen, dass die technologiebedingten<br />

Hahn-Schickard-Gesellschaft 9

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