Transistor-Kennlinien

Die gestrichelte Linie gibt den Verlauf uDS = uDS(sat) an. Links davon (uDS < uDS(sat)) befindet
sich der sog. ohmsche Bereich, rechts davon (uDS > uDS(sat)) der Sättigungsbereich.
Hier ist iD fast unabhängig von uDS und nur noch eine Funktion von uGS. Diese
Abhängigkeit wird durch die sog. Steuerkennlinie von Bild 5b beschrieben. Der im
Sättigungsgebiet bei uGS = 0 fließende maximale Drainstrom wird als Drainsättigungsstrom
IDSS bezeichnet.
1.3.4 Kennliniengleichung des Sperrschicht-FET im Sättigungsbereich
Im Sättigungsbereich kann für den Drainstrom näherungsweise
1
i −
2
2
p = K⋅(
u GS U p ) für DS U DS(
sat)
U > (2)
geschrieben werden. Der Parameter K kann entweder durch IDSS und Up oder durch
die technologischen Daten des Transistors ausgedrückt werden:
2⋅I
µ ⋅C
G
K = = , (3)
2
U L
DSS
2
p
wobei µ die Elektronenbeweglichkeit, L die Kanallänge und CG die Gatekapazität
sind.
1.3.5 Temperaturverhalten des FET
Die Steuerkennlinie ist temperaturabhängig. Bild 6 zeigt ihren Verlauf für verschiedene
Temperaturen. Man erkennt, dass es einen Arbeitspunkt gibt, in dem der
Drainstrom temperaturunabhängig ist. Ferner ändern sich mit der Temperatur die
Parameter IDSS und Up. Bei den Messungen muss deshalb vermieden werden, dass
sich der Transistor erwärmt, damit sich alle Werte auf dieselbe Temperatur, d.h. auf
die jeweilige Umgebungstemperatur beziehen.
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