Synthese, Einkristallzüchtung und Charakterisierung von binären ...
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Ergebnisse<br />
89<br />
Die Si-Si-Bindungen zwischen den Hantelatomen <strong>und</strong> den Atomen der zu<br />
verknüpfenden Ikosaeder sind mit 1,857 Å (Si1-Si41)<strong>und</strong> 1,882 Å (Si2-Si42) deutlich<br />
kürzer. Der Vergleich mit den Abständen zu den entsprechenden Borpositionen<br />
(2,069 Å für Si1-B41A <strong>und</strong> 2,046 Å für Si2-B42A) bestätigt die Aufspaltung der <strong>von</strong><br />
Bor <strong>und</strong> Silicium gemischt besetzten Lagen <strong>und</strong> die Entfernung der Positionen um<br />
ca. 0,3 Å.<br />
4.2.4 Röntgenmikroanalyse<br />
Durch EDX-Untersuchungen an mehreren Kristallen konnte qualitativ bereits der<br />
Einbau <strong>von</strong> schweren Fremdelementen wie Kupfer, Indium oder Zinn<br />
ausgeschlossen werden. Die Elementgehalte <strong>von</strong> Bor <strong>und</strong> Silicium wurden durch die<br />
wellenlängendispersive Mikrobereichsanalyse (WDX) quantifiziert, wofür mehrere<br />
Kristalle an unterschiedlichen Oberflächenpunkten vermessen wurden.<br />
Abbildung 38: SiB6-Kristall unter dem Rasterelektronenmikroskop
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