Die Studienrichtung Mikroelektronik - Fakultät Elektrotechnik und ...
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<strong>Fakultät</strong> <strong>Elektrotechnik</strong> <strong>und</strong> Informationstechnik <strong>Studienrichtung</strong> <strong>Mikroelektronik</strong><br />
Skalierung durch neue Materialien<br />
In der 90nm Generation wurde das aus Leckstromgründen mögliche Minimum der<br />
Gateoxiddicke erreichet (ca. 1,2-1,4 nm ~ ca. 3-4 Moleküllagen). <strong>Die</strong>se Dicke wurde in der<br />
65nm Generation beibehalten. Eine weitere Skalierung erfordert die gr<strong>und</strong>sätzliche<br />
Neugestaltung der MOS-Struktur<br />
MOS-Transistor der 65nm-Generation<br />
Skalierung der Gateoxiddicke <strong>und</strong><br />
des Leckstromes<br />
Oxiddicke in nm
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