GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH ... - DataSheet

Grenzwerte (T A = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom, τ≤10 μs, D = 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Kennwerte (T A = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 40 mA, tp = 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50 % von I max
Spectral bandwidth at 50 % of I max
I F = 40 m A, t p = 20 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top
Symbol
Symbol
Wert
Value
T op; T stg – 40 ... + 80 °C
T j 80 °C
V R 5 V
I F 40 mA
I FSM 1.6 A
Einheit
Unit
P tot 65 mW
R thJA
R thJL
Symbol
Symbol
SFH 405
Semiconductor Group 2 1997-11-01
950
850
Wert
Value
K/W
K/W
λ peak 950 nm
Δλ 55 nm
Einheit
Unit
ϕ ± 16 Grad
deg.
A 0.25 mm 2
L × B
L × W
0.5 × 0.5 mm
H 1.3 ... 1.9 mm

Kennwerte (T A = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Schaltzeiten, I e von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei I F = 40 mA, R L = 50 Ω
Switching times, I e from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %, I F = 40 mA, R L = 50 Ω
Kapazität
Capacitance
V R = 0 V, f = 1 MHz
Gruppierung der Strahlstärke I e in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping of radiant intensity I e in axial
direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr
t r, t f 1 μs
C o 40 pF
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 40 mA
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
VF 1.25 (≤ 1.4) V
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I F = 40 mA, t p = 20 ms
Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e,
I F = 40 mA
Temperature coefficient of I e or Φ e,
I F = 40 mA
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 40 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 40 mA
Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 40 mA
Temperature coefficient of λpeak, IF = 40 mA
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
I R 0.01 (≤ 1) μA
Φ e 7 mW
TC I – 0.55 %/K
TC V – 1.5 mV/K
TC λ 0.3 nm/K
Symbol Werte
Values
Einheit
Unit
Einheit
Unit
Strahlstärke
Radiant intensity
I F = 40 mA, t p = 20 ms I e 2.5 (≥ 1.6) mW/sr
SFH 405
Semiconductor Group 3 1997-11-01

Relative spectral emission
I rel = f (λ)
Ι rel
100
%
80
60
40
20
OHRD1938
0
880 920 960 1000 nm
λ
1060
Forward current
I F = f (V F ), single pulse, t p = 20 μs
Ι F
1
10
A
0
10
-1
10
10
1
-2
typ.
max.
OHR01042
1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 4.5
V
Radiation characteristics Irel = f (ϕ)
40
30 20 10
50
60
70
80
90
100
1.0
0.8
0.6
F
0.4
ϕ
0
Radiant intensity
Single pulse, t p = 20 μs
2
10
Ι e
Ι e (100 mA)
1
10
10 0
-1
10
-2 -1
10 10
I e
I e 100 mA = f (I F )
0
10 A
Ι
10 1
Permissible pulse handling capability
I F = f (τ), T A = 25 °C,
duty cycle D = parameter
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
Ι F
1
10
A
0
10
-1
10
0,1
0,2
0,5
DC
-2
10 -5
10
D = 0,005
0,01
0,02
0,05
-4 -3
10 10
SFH 405
Semiconductor Group 4 1997-11-01
-2
10
τ
T
-1
10
OHR01039
F
D =
τ
T
OHR02183
0
10
τ
OHR01886
0 20 40 60 80 100 120
Ι F
1
10
Max. permissible forward current
I F = f (T A )
Ι F
50
mA
40
30
20
10
0
0
R thJA = 950 K/W
OHR00672
R thJL = 850 K/W
20 40 60 80 ˚C
T
100
A,
TL