Physik: DPG Tagungen - Sitzung O 28 - Nano-science.de

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Physik: DPG Tagungen - Sitzung O 28 http://www.dpg-tagungen.de/archive/2004/o_28.html RMS-roughness of Si from nm to mesoscopic scale •Stefan Schröder, Herbert Pfnür und Martin Henzler Institut für Festkörperphysik, Appelstr.2 D-30167 Hannover,Germany The International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) defines a decrease in surface roughness and an increase of the site planarity on a nm scale as two of the requirements for starting materials for industrial fabrication of next generations of silicon based micro- and nanodevices. The rms-roughness on different length scales is the principal property examined to verify the accomplishment of the goals set. We calculate Power Spectral Densities to examine the decay of rms-roughness on the length scales open to STM-measurements (nm to µ m) and light scattering methods (µ m to mm) on standard wafers after annealing in a hydrogen environment. The light scattering method allows the detection and counting of numbers of particles per area, as demanded by the ITRS, to make sure that improved flatness is not accompanied by an increase in defect-density. In further experiments profiles of etched steps are monitored to determine diffusion behaviour. We gratefully acknowledge financial support by Wacker Siltronic GmbH. O 28.27 Poster Mi 16:00 Bereich C Photoelektronenbeugung an der oxidierten 4H-SiC(0001) Oberfläche •M. Schürmann, S. Dreiner, U. Berges, M. Krause und C. Westphal Universität Dortmund, Experimentelle Physik I, 44221 Dortmund SiC ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke. Aufgrund seiner Eigenschaften ist es hervorragend geeignet zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, die bei hohen Temperaturen, mit hohen Strömen und hohen Frequenzen betrieben werden können. In diesem Zusammenhang gewinnt auch die Kenntnis über die Struktur an der SiO 2 /SiC-Grenzfläche an Bedeutung. In einer Photoelektronenbeugungsuntersuchung wurden Beugungsmuster an einer oxidierten 4H-SiC(0001) Oberfläche aufgenommen. Am U41-PGM Meßplatz bei BESSY II stand Synchrotonstrahlung mit hohem Photonenfluß und guter Energieauflösung zur Verfügung. Dadurch war es möglich die einzelnen, chemisch verschobenen Komponenten in den XPS-Spektren aufzulösen und unterschiedliche Beugungsmuster aufgrund der unterschiedlichen lokalen Umgebung der Emitter zu erhalten. Ein Vergleich mit Simulationsrechnungen gibt Aufschluß über ihren Ursprung und die atomare Struktur in der SiO 2 /SiC-Grenzfläche. O 28.28 Poster Mi 16:00 Bereich C Si2p-Photoemissionsspektroskopie an der SiO 2 /Si(100)-Grenzfläche •S. Dreiner, M. Schürmann, M. Krause, U. Berges und C. Westphal Universität Dortmund, Experimentelle Physik I, 44221 Dortmund Die SiO 2 /Si Grenzfläche spielt eine wichtige Rolle in der modernen Halbleiterindustrie. Ein genaues Verständnis der Grenzschichtstruktur kann zur Verbesserung der Qualität von Halbleiterbauelementen beitragen. Die untersuchten SiO 2 /Si(100) Schichten mit einer Dicke von wenigen Ångström wurden durch thermische Oxidation erzeugt. Mit Synchrotronstrahlung (BESSY II, U41 PGM) wurden hochaufgelöste Si2p-Photoemissionsspektren über dem gesamten Halbraum bei einer Photonenenergie von hν = 180 eV aufgenommen. Diese Spektren ermöglichen durch Anpassungsroutinen die Trennung der Si-Oxidationszustände (Si 1+ , Si 2+ , Si 3+ , Si 4+ ) vom Volumensignal (Si B ). Dabei zeigt sich, dass zwei weitere Komponenten (Si α , Si β ) für eine verbesserte Anpassung nötig sind. Um den Ursprung dieser Komponenten zu ermitteln wird die Winkelabhängigkeit dieser Signale analysiert. Dazu werden die gemessenen Photoelektronenbeugungsmuster mit Vielfachstreusimulationen verglichen. O 28.29 Poster Mi 16:00 Bereich C Indium- und Indiumselenid-terminierte Si(111)-Oberflächen als neuartige Pufferschichten in der Heteroepitaxie 10 of 32 07.06.2009 22:14
Physik: DPG Tagungen - Sitzung O 28 http://www.dpg-tagungen.de/archive/2004/o_28.html •Stefan Andres, Wolfram Calvet, Tilo Plake und Christian Pettenkofer Hahn-Meitner-Institut Berlin, Glienicker Strasse 100, 14109 Berlin Zur Passivierung von Silizium-Substraten für die Heteroepitaxie sind III-VI terminierte Oberflächen von grossem Interesse. Wir präsentieren erste Ergebnisse dünner In- bzw. InSe-Schichten auf Si(111). Die Präparation der Proben erfolgte mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) auf H-Si(111)1x1-, Si(111)7x7- und definiert nasschemisch oxidierten Si(111)-Substraten. Die Schichten wurden in situ mittels Photoelektronenspektroskopie (PES), niederenergetischer Elektronenbeugung (LEED) und Rastertunnelmikroskopie (STM) bezüglich ihrer Morphologie und elektronischen Struktur analysiert. Es wurde zunächst der Einfluss von elementarem Indium auf Si(111) untersucht. Im weiteren Prozess erfolgte durch sukzessives Koverdampfen von In und Se die Herstellung einer InSe-terminierten 1x1-Oberfläche. Es zeigt sich, dass InSe in einer sogenannten Halblage aufwächst, wobei die In-Atome direkt an die Si-Oberfläche gebunden sind. Eine Selenisierung der Si-Oberfläche findet nicht statt. Die Energetik der Grenzfläche wird bezüglich Bandversatz und Grenzflächendipolen bestimmt. O 28.30 Poster Mi 16:00 Bereich C Electrospray Deposition of Sensitive Analytes •Frank Stadler 1 , Sergei Koltsov 2 , Eugenio Lunedei 1 , Giovanni Costantini 1 und Klaus Kern 1 1 Max-Planck-Institut für Festörperforschung, D-70569 Stuttgart 2 Institute for Analytical Instrumentation, Russian Academy of Sciences, 19813 Saint Petersburg Electrospray ionization is well-known as a means to solve the volatilization and ionization problem of sensitive analytes such as large biomolecules [1]. Recently Ouyang et al. [2] reported that electrosprayed protein ions remain intact, after ionization, in vacuo transfer, mass-selection and soft landing. We present a novel electrospray deposition source, whose objective is the non-destructive deposition of large sensitive (e.g. organic and biological) analytes under UHV conditions. Aim of this project is to overcome the limitations of size and mass of the deposited sample material that are intrinsic to the organic molecular beam epitaxy techniques based on sublimation. Besides the explanation of the underlying working principle of this novel experimental setup, the relevant technological aspects will be discussed. In addition, AFM images of electrosprayed metal colloid- and protein-containing analyte solutions (deposited on highly oriented pyrolytic graphite) will be presented. [1] J. B. Fenn et al., Science, 246 (1989), 64-71 [2] Z. Ouyang et al., Science, 301 (2003), 1351-1354 O 28.31 Poster Mi 16:00 Bereich C VUV photon detector with improved resolution for inverse photoemission •R. Stiepel, R. Ostendorf, C. Benesch, H. Merz und H. Zacharias Physikalisches Institut, Universität Münster, D-48149 Münster, Germany We have significantly improved the energy resolution of a VUV isochromat spectrometer for inverse photoemission. The detector used is a Geiger-Müller counter with acetone as filling gas and a CaF 2 entrance window. With this detector we achieve an optical energy resolution of 330 meV (FWHM) at a mean energy of 9.9 eV for the optical bandpass. With an additional gas absorption filter arranged between two CaF 2 windows at the entrance of the counting tube we enhance the resolution to 90 meV (FWHM) at a slightly decreased mean energy of 9.8 eV. The higher resolution decreases the counting rate to approximately 20%, but by filling or evacuating the gas chamber we can switch between the two modes high resolution and high counting rate within seconds. O 28.32 Poster Mi 16:00 Bereich C Konventionelle und positroneninduzierte Auger-Elektronenspektroskopie am System Kupfer-Gold 11 of 32 07.06.2009 22:14
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