재료 분야에서의 빔 이용 ê¸°ìˆ ê°œë°œ 현황 - 양성자가속기연구센터

사업단 보유 빔 이용시설 현황이온빔 수직 조사장치- 제작년도 : 2003년(2005년)- 에너지/전류 : 0.5~30keV(~120keV)/~10mA- Xe, Ar, He 이온 등- 최대 조사면적 : 30cm 직경- 입사각 조절 가능반도체용 이온빔 조사장치- 제작년도 : 1994년- 에너지/전류 : 20~100keV/~10mA-B, BF 2, As, P, H, N, Ar, Metalic, Gaseous 이온 등- 최대 조사면적 : 4” 직경 (>95% 균일도)- 활용분야 : 반도체 웨이퍼, High Dose Exp. 등이용기날 표면 처리장치- 제작년도 : 2003년- 에너지/전류 : 20~70keV/~10mA- N, Ar 이온 등- 최대 조사면적 : 35cm 직경- 산업체로 기술이전 및 대여 중대면적 이온빔 조사장치- 제작년도 : 1999년- 에너지/전류 : 20~50keV/~50mA- Ag, Fe, Mo, Y, Zr, Cr, Metalic, Gaseous 이온 등- 최대 조사면적 : 폭 80cm Roll 형태 가능- 활용분야 : 특수기능 고분자 필름 조사 등대전류 가스 이온빔 조사장치- 제작년도 : 1989년- 에너지/전류 : 20~150keV/~10mA- H, D, He, N, Ar, Xe, Kr 이온 등- 최대 조사면적 : 18cm (>95% 균일도)- 활용분야 : 재료의 내마모성, 내구성향상 대전방지, 친수/소수성 polymer 개발 등금속이온빔 조사장치- 제작년도 : 1994년- 에너지/전류 : 20~50keV/~1mA- Ag, Fe, Mo, Y, Zr, Cr, Metalic,Gaseous 이온 등- 최대 조사면적 : 10cm 직경 (>95% 균일도)- 활용분야 : 반도체 웨이퍼, High Dose Exp. 등- Mass Separation 가능1MV 탄뎀 가속장치- 에너지/전류 : 0.3~1.8MeV/~10mA- 활용분야 : SOI wafer 제작,전력반도체 개발, 고선량 빔조사 실험 등45MeV 저선량 양성자빔시험이용시설- 에너지/전류 : 10~39MeV/~10nA- 활용분야 : 저선량 BT/ST 실험,핵물리 실험 등G/VElectrostaticSteererBPMMotion FeedthroughScanning MagnetsBPMIrradiationChamberG/VTMP(800L/sec)15