TỔNG HỢP VÀ NGHIÊN CỨU ỨNG DỤNG CỦA Cu2O NANO

https://twitter.com/daykemquynhon
plus.google.com/+DạyKèmQuyNhơn
www.facebook.com/daykem.quynhon
https://daykemquynhon.blogspot.com
http://daykemquynhon.ucoz.com
Nơi bồi dưỡng kiến thức Toán - Lý - Hóa cho học sinh cấp 2+3 /
Diễn Đàn Toán - Lý - Hóa Quy Nhơn 1000B Trần Hưng Đạo Tp.Quy Nhơn Tỉnh Bình Định
1.3.2. Chế tạo màng mỏng bằng phương pháp lắng đọng hóa học pha hơi
(CVD) .
Sự lắng đọng màng mỏng là quá trình lắng đọng của các loại vật liệu lên một lớp
nền bởi sự bám dính của vật liệu phủ bằng cách sử dụng điện, nhiệt, các phản ứng
hoá học và các kỹ thuật khác. Bề dày của màng trong khoảng micromet. Các màng
được ứng dụng trong y học, các ngành công nghiệp luyện kim, viễn thông, vi điện
tử, phủ quang, công nghệ nano, bán dẫn và tráng lớp bảo vệ. Các quá trình lắng
đọng màng mỏng có thể hoàn toàn là quá trình vật lý như là phương pháp bay hơi,
hoặc hoàn toàn là quá trình hoá học như các quá trình hoá học pha khí hoặc pha
lỏng [21].
Trong phương pháp PVD (Physical Vapor Deposition), các pha khí của nguồn vật
liệu hoặc tiền chất được tạo ra bằng các phương pháp vật lý được vận chuyển qua
một vùng áp suất thấp tới lớp nền để hình thành màng mỏng. Cách thức được sử
dụng rộng rãi nhất trong phương pháp PVD tạo màng mỏng là làm bay hơi, phun
và epitaxy chùm phân tử (Molecular Beam Epitaxy - MBE).
Phương pháp bay hơi là pha khí được tạo thành nhờ nhiệt độ cao từ vật liệu
nguồn, sau đó được vận chuyển tới đế và ngưng tụ để hình thành nên màng mỏng.
Phương pháp phun có sử dụng một điện cực mà được đun nóng tới nhiệt độ đủ cao
để gây ra sự phụt ra của các nguyên tử nóng và cuối cùng lắng đọng lên trên đế để
tạo nên màng bám dính mỏng. Phương pháp epitaxy chùm phân tử được sử dụng để
tạo các màng mọc ghép đơn tinh thể ở chân không cao hoặc siêu chân không (áp
suất nhỏ hơn 10 -7 pascal). Đặc điểm quan trọng nhất của MBE là tốc độ lắng đọng
chậm (nhỏ hơn 1000 nm/giờ). Điều này cho phép các màng phát triển sự mọc ghép.
Phương pháp CVD (Chemical Vapor Deposition) là một quá trình hóa học để
lắng đọng các màng mỏng của nhiều loại vật liệu khác nhau. Nó được phân loại
theo các quá trình hóa học ở pha khí. Trong phương pháp CVD chuẩn, đế được đặt
hướng về phía pha hơi của các tiền chất, phản ứng phân hủy xảy ra trên bề mặt của
đế để tạo ra các màng mỏng mong muốn. Đế được đặt trong một buồng phản ứng
[21].
Ngoài phương pháp CVD, các màng mỏng còn được chế tạo bằng các phản ứng
hóa học trong pha lỏng như các quá trình điện hóa (anốt hóa và mạ điện) hoặc các
quá trình phân huỷ hóa học như phương pháp sol-gel. Phương pháp sol-gel gồm có
quá trình tạo sol tiền chất (dung dịch keo). Sol tiền chất được phủ lên đế để tạo một
lớp màng bằng cách phủ nhúng hoặc phủ quay, sau đó màng được xử lý nhiệt. Nói
chung, quá trình sol-gel gồm có sự chuyển pha hệ thống từ pha sol lỏng sang pha
gel rắn có chứa các trung tâm kim loại với các kiểu liên kết oxo (M−O−M) hoặc
hydroxy (M−OH−M). Trong quá trình xử lý nhiệt, các liên kết này bị phá vỡ để tạo
ra các màng oxit kim loại .
Lắng đọng hóa học pha hơi (Chemical Vapour Deposition: CVD) là một quá
trình ngưng tụ một vật liệu rắn từ pha khí. Đây là phương pháp được sử dụng rộng
DIỄN ĐÀN TOÁN - LÝ - HÓA 1000B TRẦN HƯNG ĐẠO TP.QUY NHƠN
MỌI YÊU CẦU GỬI VỀ HỘP MAIL DAYKEMQUYNHONBUSINESS@GMAIL.COM
HOTLINE : +84905779594 (MOBILE/ZALO)
https://daykemquynhonofficial.wordpress.com/blog/
DẠY KÈM QUY NHƠN OFFICIAL ST&GT : Đ/C 1000B TRẦN HƯNG ĐẠO TP.QUY NHƠN
Đóng góp PDF bởi GV. Nguyễn Thanh Tú
www.facebook.com/daykemquynhonofficial
www.facebook.com/boiduonghoahocquynhonofficial