Tema 8: Aplicaciones no lineales de los amplificadores operacionales

Tema 8
Aplicaciones no lineales de los Op Amp
Figura 17: Detectores de pico máximo (a) y mínimo (b).
Figura 18: Detectores de pico máximo (a) y mínimo (b) basados en el superdiodo.
resuelven este problema. En principio, las estructuras pueden estar basadas en diodos y transistores
MOS.
El detector de pico avanzado basado en diodo consiste, simplemente, en reemplazar los diodos
de Fig. 17 por superdiodos. Así, se obtendrían las estructuras de Fig. 18. Por supuesto, también
podría utilizarse cualquier recticador de precisión de media onda, como el descrito en el apartado
1.3. Cada estructura heredará las ventajas e inconvenientes de su subcircuito generador.
Sin embargo, una solución alternativa consiste en emplear un transistor MOS como llave. Fijémonos
en Fig. 19a. En caso de que V IN sufra un descenso tras alcanzar el máximo y dado que
V − está jada por el condensador, se producirá un paso a saturación negativa que cierra el NMOS,
dejando la salida a una tensión constante de manera denida. Solo cuando V IN vuelve a rebasar el
valor almacenado, el amplicador puede volver a zona directa, haciendo que V OP AMP ≈ V IN +V T H ,
Para uso de alumnos de la
siendo V OP AMP la tensión de salida del amplicador operacional. En caso de que se desee buscar
un mínimo, se debe utilizar el circuito de Fig. 19b.
Universidad Complutense de Madrid
http://www.ucm.es
Esta estructura tiene el inconveniente de que puede ser algo lenta debido al paso del amplicador
a saturación. Sin embargo, tiene la ventaja de que puede construirse fácilmente en tecnología CMOS.
Más aún, el amplicador operacional podría ser, simplemente, un par diferencial CMOS.
¾Podrían utilizarse transistores BJT en lugar de los MOS La respuesta es sí aunque no tendría
mucho sentido hacerlo. En el fondo, la unión BE de estos transistores estaría funcionando como un
diodo con lo que toda la estructura sería equivalente a las de Fig. 18.
Electrónica Analógica Ingeniería Superior en Electrónica 16