Tema 8: Aplicaciones no lineales de los amplificadores operacionales
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<strong>Tema</strong> 8<br />
<strong>Aplicaciones</strong> <strong>no</strong> <strong>lineales</strong> <strong>de</strong> <strong>los</strong> Op Amp<br />
Figura 7: Amplicador logarítmico para entrada positiva.<br />
<strong>de</strong> entrada <strong>de</strong>l amplicador es innita, toda la corriente que atraviesa la resistencia se <strong>de</strong>riva hacia<br />
el diodo. Por tanto:<br />
I D = V [ ( ) ]<br />
IN − V A<br />
VA − V OUT<br />
= I S· exp<br />
− 1<br />
R<br />
N ·V T<br />
Siendo I S y N parámetros característicos <strong>de</strong>l diodo. Ocurre que el nudo A es una tierra virtual<br />
por lo que V A = 0 y que, en general, el diodo estará polarizado en directa por lo que la anterior<br />
ecuación se transformará en:<br />
V IN<br />
R L<br />
(<br />
= I S· exp − V )<br />
OUT<br />
⇒ V OUT = −N ·V T · ln<br />
N ·V T<br />
Para uso <strong>de</strong> alum<strong>no</strong>s <strong>de</strong> la<br />
(<br />
VIN<br />
R L·I S<br />
)<br />
Así, hemos conseguido que la salida sea proporcional al logaritmo <strong>de</strong> la entrada. El rango <strong>de</strong><br />
valores <strong>de</strong> la entrada está limitado por varios factores. En primer lugar, se supone que el diodo <strong>de</strong>be<br />
estar polarizado en directa. Para ello, es necesario que V IN > 0. Si quisiéramos realizar el logaritmo<br />
neperia<strong>no</strong> <strong>de</strong> valores negativos, <strong>de</strong>beríamos invertir el diodo D1 <strong>de</strong> Fig. 7 consiguiendo así que:<br />
(<br />
V OUT = N ·V T · ln − V )<br />
IN<br />
(8)<br />
R L·I S<br />
Otras limitaciones son más importantes. En realidad, la corriente que atraviesa un diodo en<br />
directa es la suma <strong>de</strong> dos factores exponenciales, u<strong>no</strong> asociado a las corrientes <strong>de</strong> difusión y que ha<br />
sido utilizado en el cálculo anterior, y otro asociado a las corrientes <strong>de</strong> generación-recombinación.<br />
Por ello, para minimizar este efecto hay que recurrir a diversas alternativas. Una <strong>de</strong> ellas consiste en<br />
Universidad Complutense <strong>de</strong> Madrid<br />
http://www.ucm.es<br />
utilizar diodos Schottky o <strong>de</strong> germanio, cuyo comportamiento es prácticamente i<strong>de</strong>al en comparación<br />
con <strong>los</strong> <strong>de</strong> silicio. Sin embargo, esta opción <strong>no</strong> es factible en muchos casos como, por ejemplo, en<br />
el diseño <strong>de</strong> circuitos integrados. En estas circunstancias, la solución que se plantea es utilizar un<br />
transistor en lugar <strong>de</strong> un diodo. Fig. 8 muestra dos posibles conguraciones.<br />
Al polarizar <strong>los</strong> transistores <strong>de</strong> esta manera se comportan como diodos con una ventaja sobre la<br />
unión PN sencilla como podría ser la unión BE. Al intervenir la corriente <strong>de</strong> colector, la componente<br />
<strong>de</strong> difusión <strong>de</strong> la corriente I B se ve amplicada por un factor igual a β F o, lo que es lo mismo,<br />
el diodo equivalente sería similar a la unión BE tras haber disminuido un factor β F las corrientes<br />
<strong>de</strong> generación-recombinación. Así, se construye un falso diodo mucho más cerca<strong>no</strong> a la i<strong>de</strong>alidad.<br />
(6)<br />
(7)<br />
Electrónica Analógica Ingeniería Superior en Electrónica 8