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Tema 8: Aplicaciones no lineales de los amplificadores operacionales

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<strong>Tema</strong> 8<br />

<strong>Aplicaciones</strong> <strong>no</strong> <strong>lineales</strong> <strong>de</strong> <strong>los</strong> Op Amp<br />

Figura 7: Amplicador logarítmico para entrada positiva.<br />

<strong>de</strong> entrada <strong>de</strong>l amplicador es innita, toda la corriente que atraviesa la resistencia se <strong>de</strong>riva hacia<br />

el diodo. Por tanto:<br />

I D = V [ ( ) ]<br />

IN − V A<br />

VA − V OUT<br />

= I S· exp<br />

− 1<br />

R<br />

N ·V T<br />

Siendo I S y N parámetros característicos <strong>de</strong>l diodo. Ocurre que el nudo A es una tierra virtual<br />

por lo que V A = 0 y que, en general, el diodo estará polarizado en directa por lo que la anterior<br />

ecuación se transformará en:<br />

V IN<br />

R L<br />

(<br />

= I S· exp − V )<br />

OUT<br />

⇒ V OUT = −N ·V T · ln<br />

N ·V T<br />

Para uso <strong>de</strong> alum<strong>no</strong>s <strong>de</strong> la<br />

(<br />

VIN<br />

R L·I S<br />

)<br />

Así, hemos conseguido que la salida sea proporcional al logaritmo <strong>de</strong> la entrada. El rango <strong>de</strong><br />

valores <strong>de</strong> la entrada está limitado por varios factores. En primer lugar, se supone que el diodo <strong>de</strong>be<br />

estar polarizado en directa. Para ello, es necesario que V IN > 0. Si quisiéramos realizar el logaritmo<br />

neperia<strong>no</strong> <strong>de</strong> valores negativos, <strong>de</strong>beríamos invertir el diodo D1 <strong>de</strong> Fig. 7 consiguiendo así que:<br />

(<br />

V OUT = N ·V T · ln − V )<br />

IN<br />

(8)<br />

R L·I S<br />

Otras limitaciones son más importantes. En realidad, la corriente que atraviesa un diodo en<br />

directa es la suma <strong>de</strong> dos factores exponenciales, u<strong>no</strong> asociado a las corrientes <strong>de</strong> difusión y que ha<br />

sido utilizado en el cálculo anterior, y otro asociado a las corrientes <strong>de</strong> generación-recombinación.<br />

Por ello, para minimizar este efecto hay que recurrir a diversas alternativas. Una <strong>de</strong> ellas consiste en<br />

Universidad Complutense <strong>de</strong> Madrid<br />

http://www.ucm.es<br />

utilizar diodos Schottky o <strong>de</strong> germanio, cuyo comportamiento es prácticamente i<strong>de</strong>al en comparación<br />

con <strong>los</strong> <strong>de</strong> silicio. Sin embargo, esta opción <strong>no</strong> es factible en muchos casos como, por ejemplo, en<br />

el diseño <strong>de</strong> circuitos integrados. En estas circunstancias, la solución que se plantea es utilizar un<br />

transistor en lugar <strong>de</strong> un diodo. Fig. 8 muestra dos posibles conguraciones.<br />

Al polarizar <strong>los</strong> transistores <strong>de</strong> esta manera se comportan como diodos con una ventaja sobre la<br />

unión PN sencilla como podría ser la unión BE. Al intervenir la corriente <strong>de</strong> colector, la componente<br />

<strong>de</strong> difusión <strong>de</strong> la corriente I B se ve amplicada por un factor igual a β F o, lo que es lo mismo,<br />

el diodo equivalente sería similar a la unión BE tras haber disminuido un factor β F las corrientes<br />

<strong>de</strong> generación-recombinación. Así, se construye un falso diodo mucho más cerca<strong>no</strong> a la i<strong>de</strong>alidad.<br />

(6)<br />

(7)<br />

Electrónica Analógica Ingeniería Superior en Electrónica 8

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