<strong>Tema</strong> 5Amplicadores <strong>de</strong> Entrada DiferencialFigura 9: Equivalente en pequeña señal <strong>de</strong> un par <strong>diferencial</strong> FET con resistencias <strong>de</strong> carga. Seentien<strong>de</strong> que la excitación en pequeña señal es la componente <strong>diferencial</strong>, v D .Para uso <strong>de</strong> alumnos <strong>de</strong> lav gsA = v D − v sv gsB = −v D − v sv bsA = v bsB = −v sv O = R· (i dsA − i dsB )i dsA = g m·v gsA − g mb·v bsAi dsB = g m·v gsB − g mb·v bsBAl combinar estas ecuaciones, se llega a la conclusión <strong>de</strong> que:v O = 2·R·g m·v D (17)El efecto sustrato, si existiera, <strong>de</strong>saparece al ser la conguración <strong>de</strong> los√transistores similar. Estaecuación es similar a la obtenida por Eq. 16 porque g m = 2·√β·I D = 2· β· IQ= √ 2·β·I2 Q .2.2. No i<strong>de</strong>alida<strong>de</strong>s en un par <strong>diferencial</strong>Aprovechando que ya se ha explicado el comportamiento <strong>de</strong> un par <strong>diferencial</strong> con carga resistiva,es un buen momento para conocer las no i<strong>de</strong>alida<strong>de</strong>s asociadas pues pue<strong>de</strong>n exten<strong>de</strong>rse con facilidada cualquier otro amplicador <strong>diferencial</strong>, como los amplicadores operacionales.2.2.1. Corriente <strong>de</strong> polarización <strong>de</strong> la <strong>entrada</strong><strong>Universidad</strong> Complutense <strong>de</strong> Madridhttp://www.ucm.esEste es un parámetro DC. En otras palabras, interviene en el cálculo <strong>de</strong>l punto <strong>de</strong> operación.Cualquier fuente <strong>de</strong> tensión aplicada a la <strong>entrada</strong> <strong>de</strong>be ser capaz <strong>de</strong> proporcionar esta corriente <strong>de</strong><strong>entrada</strong>. Si hubiera una resistencia en serie con esta <strong>entrada</strong>, se producirá una caída <strong>de</strong> tensión entresus extremos.En el caso <strong>de</strong>l par bipolar, la corriente que atraviesa el emisor <strong>de</strong> cada amplicador es I E = 2·I 1 Q<strong>de</strong> lo que se <strong>de</strong>duce que la corriente <strong>de</strong> base <strong>de</strong> cada transistor es I B =I E= 1 I Qβ F +1 2·β F. Así, si+1el par estuviese polarizado por una fuente <strong>de</strong> 0.1 mA y con transistores NPN <strong>de</strong> ganancia 100, lacorriente <strong>de</strong> base, que coinci<strong>de</strong> con la corriente <strong>de</strong> polarización en la <strong>entrada</strong>, sería <strong>de</strong> 1 µA. EnElectrónica Analógica Ingeniería Superior en Electrónica 12
<strong>Tema</strong> 5Amplicadores <strong>de</strong> Entrada Diferencialgeneral, se suele tomar como positiva si entra en el amplicador <strong>diferencial</strong> y negativa si sale. Así,si el par fuera PNP, la corriente sería negativa pues sale <strong>de</strong> las bases <strong>de</strong>l transistor.Si el transistor fuera <strong>de</strong> efecto campo, la corriente <strong>de</strong> polarización sería prácticamente nula yaque se está atacando la puerta <strong>de</strong> un transistor.Por otra parte, pequeños <strong>de</strong>sapareamientos entre parámetros conducen a dos valores distintos<strong>de</strong> I B en cada una <strong>de</strong> las <strong>entrada</strong>s.Para disminuir la corriente <strong>de</strong> polarización <strong>de</strong> la <strong>entrada</strong>, pue<strong>de</strong> optarse por distintas estrategias.En algunos casos, se utiliza un par Darlington o CC-CE reemplazando al transistor <strong>de</strong>l par <strong>diferencial</strong>.Al comportarse como transistores con una ganancia <strong>de</strong>l or<strong>de</strong>n <strong>de</strong> h 2 F E, ese parámetro disminuyeaunque, lamentablemente, se introduce una penalización en frecuencia. Otra opción, más habitual,consiste en crear una fuente <strong>de</strong> corriente que inyecte en el terminal <strong>de</strong> <strong>entrada</strong> la corriente que necesitela base <strong>de</strong>l transistor. Esta estrategia, que requiere <strong>de</strong>l uso <strong>de</strong> varios transistores perfectamentecalibrados, tiene la ventaja <strong>de</strong> que no actúa sobre la velocidad <strong>de</strong> respuesta <strong>de</strong>l dispositivo.2.2.2. Tensión <strong>de</strong> osetComo el anterior, es un parámetro DC. I<strong>de</strong>almente, si se aplica la misma tensión a las <strong>entrada</strong>s<strong>de</strong> un par <strong>diferencial</strong>, la salida <strong>de</strong>bería ser nula pero, en la práctica, dista <strong>de</strong> ser así. El origen <strong>de</strong> estoradica en la existencia <strong>de</strong> asimetrías <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong>l par <strong>diferencial</strong>. Así, por ejemplo, si las resistenciasque aparecen en Eq. 10 fuesen distintas, y no iguales como se supuso, la tensión <strong>de</strong> salida seríadistinta <strong>de</strong> 0 si las corrientes fueran iguales.Se <strong>de</strong>ne tensión <strong>de</strong> oset <strong>de</strong> la salida, V OS,O como el valor <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida con <strong>entrada</strong>nula. Obviamente, también pue<strong>de</strong> realizarse una <strong>de</strong>nición análoga cuando la salida es en modocorriente, como veremos en el caso <strong>de</strong>l par <strong>diferencial</strong> con carga activa.Si el par <strong>diferencial</strong> tiene una ganancia A D , se <strong>de</strong>ne Tensión <strong>de</strong> oset <strong>de</strong> la <strong>entrada</strong>, V OS,Icomo V OS,OA D. En pares <strong>diferencial</strong>es, da lo mismo con qué tipo <strong>de</strong> oset estemos trabajando pero, endispositivos más complejos, como son los amplicadores operacionales, se utiliza preferentemente latensión <strong>de</strong> oset <strong>de</strong> la <strong>entrada</strong>, que es in<strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> la ganancia DC <strong>de</strong>l sistema completo, cuyaganancia pue<strong>de</strong> jarse por realimentación.Por otra parte, las asimetrías en la construcción no solo conducen a la aparición <strong>de</strong> una tensión<strong>de</strong> oset. Así, también son las responsables <strong>de</strong> la aparición <strong>de</strong> una ganancia <strong>de</strong>l modo común noPara uso <strong>de</strong> alumnos <strong>de</strong> la<strong>Universidad</strong> Complutense <strong>de</strong> Madridhttp://www.ucm.esnula, que lleva a un <strong>de</strong>scenso en el valor <strong>de</strong> CMRR.2.2.3. Corriente máxima <strong>de</strong> salidaEs la máxima corriente que pue<strong>de</strong> proporcionar una par <strong>diferencial</strong>. Obviamente, está limitada porla corriente <strong>de</strong> polarización <strong>de</strong>l circuito, I Q , aunque, en la práctica, es menor ya que los transistores<strong>de</strong>l par <strong>diferencial</strong> habrían abandonado la zona activa directa.Electrónica Analógica Ingeniería Superior en Electrónica 13