Modélisation électrothermique de transistors MESFET SiC et ...

More documents

Recommendations

Info

CHAPITRE II TABLES DES MATIÈRES MODÉLISATION PHYSIQUE DU MESFET EN CARBURE DE SILICIUM 41 I – Description du Modèle Physique 44 I.1 – Equations Fondamentales 44 I.2 – Les Paramètres d’Entrée du Modèle 46 I.3 – Algorithme de Résolution 48 I.4 – Implémentation sur HP-ADS 50 II – Modélisation Non-linéaire des Effets Thermiques 52 II.1 – Généralités 52 II.2 – Détermination du Circuit Thermique 54 II.2.1 - Principe 55 II.2.2 - Description du Transistor 55 II.2.3 - Extraction de la Résistance Thermique 59 II.3 – Circuit Thermique 59 III – Modélisation du Boîtier Egide 61 III.1 – Présentation du Boîtier 61 III.2 – Mesures et Validation du Modèle 61 IV – Validation du Modèle Physique 64 IV.1 – Principe 64 IV.2 – Rappel des Paramètres d’Entrée du Modèle 65 IV.3 – Modèle utilisé pour la Simulation en Puissance 67 IV.4 – Comparaison Mesures / Modèle 69 IV.4.1 - Validation du Réseau I(V) DC 69 IV.4.2 - Validation en Petit Signal 70 IV.4.3 - Validation Fort Signal 71 V – Conclusion 76 Bibliographie 77
CHAPITRE III TABLES DES MATIÈRES EVALUATION DES TECHNIQUES A HAUT RENDEMENT ELECTRIQUE POUR L’AMPLIFICATION DES SIGNAUX A ENVELOPPE VARIABLE 79 I – Commande de Polarisation 82 I.1 – Généralités 82 I.2 – Polarisation Dynamique de Grille 84 I.3 – Polarisation Dynamique de Drain 85 I.4 – Bilan sur la Polarisation Dynamique 86 II – Elimination d’Enveloppe et Restitution (EER) 87 II.1 – Principe de Fonctionnement 87 II.2 – Inconvénients 88 II.3 – Amplificateur EER utilisant le Feedback d’Enveloppe 89 II.4 – L’EER en Bande de Base 91 II.5 – Bilan sur l’EER 93 III – La Technique de Chireix 94 IV – Conclusion sur les Techniques à Fort Rendement 98 Bibliographie 99
Page 1: UNIVERSITE DE LIMOGES ECOLE DOCTORA
Page 5 and 6: REMERCIEMENTS Ce travail a été ef
Page 7: TABLES DES MATIÈRES
Page 12 and 13: CHAPITRE IV TABLES DES MATIÈRES LA
Page 15: INTRODUCTION GÉNÉRALE - 1 -
Page 18 and 19: INTRODUCTION GÉNÉRALE Dans le pre
Page 21 and 22: Chapitre I LES AMPLIFICATEURS DE PU
Page 55: CHAPITRE II MODÉLISATION PHYSIQUE
Page 58 and 59: Chapitre II LE MESFET EN CARBURE DE
Page 60 and 61:
Chapitre II LE MESFET EN CARBURE DE
Page 62 and 63:
Page 64 and 65:
Page 66 and 67:
Page 68 and 69:
Page 70 and 71:
Page 72 and 73:
Page 74 and 75:
Page 76 and 77:
Page 78 and 79:
Page 80 and 81:
Page 82 and 83:
Page 84 and 85:
Page 86 and 87:
Page 88 and 89:
Page 90 and 91:
Page 93:
CHAPITRE III EVALUATION DES TECHNIQ
Page 96 and 97:
Chapitre III EVALUATION DES TECHNIQ
Page 98 and 99:
Page 100 and 101:
Page 102 and 103:
Page 104 and 105:
Page 106 and 107:
Page 108 and 109:
Page 110 and 111:
Page 112 and 113:
Page 114 and 115:
Page 117 and 118:
Chapitre IV La TECHNIQUE DOHERTY :
Page 119 and 120:
Page 121 and 122:
Page 123 and 124:
Page 125 and 126:
Page 127 and 128:
Page 129 and 130:
Page 131 and 132:
Page 133 and 134:
Page 135 and 136:
Page 137 and 138:
Page 139 and 140:
Page 141 and 142:
Page 143 and 144:
Page 145 and 146:
Page 147 and 148:
Page 149 and 150:
Page 151 and 152:
Page 153 and 154:
Page 155 and 156:
Page 157 and 158:
Page 159 and 160:
Page 161 and 162:
Page 163 and 164:
Page 165 and 166:
Page 167 and 168:
Page 169:
CONCLUSION GÉNÉRALE ET PERSPECTIV
Page 172 and 173:
CONCLUSION GÉNÉRALE ET PERSPECTIV
Page 175:
LISTE DES PUBLICATIONS - 161 -
Page 179:
ANNEXE - 165 -
Page 182 and 183:
et ( , a ) ANNEXE Ψ L = V (A.9) 0
Page 184:
ANNEXE La continuité des équation
show all

Modélisation électrothermique de transistors MESFET SiC et ...

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?