Modélisation électrothermique de transistors MESFET SiC et ...

Chapitre I LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A L’ETAT SOLIDE (SSPA)
Ces transistors mis au point par Cree Research ont une longueur de grille est de 0.7μm
et sont destinés à des applications en bande S. Ils présentent une tension seuil en VGD = -10V,
un courant IDSS de 300 mA/mm et une transconductance maximale de 45 mS/mm.
Déterminées à partir de la mesure des paramètres [S], la fréquence de transition est de 9 GHz
et la fréquence maximale est de 20 GHz.
La figure I-18 représente les performances RF en puissance d’un transistor MESFET
SiC présentant un développement de grille de 0.84 mm. Pour un fonctionnement à 800 MHz,
un rendement en puissance ajoutée maximal de 60%, associé à une densité de puissance de 3
W/mm, a été mesuré.
Figure I-18 : Evolution de la puissance de sortie et du rendement à 800 MHz [36]
De plus, des dispositifs de 48 mm de développement de grille ont été mis au point.
Montés sur des circuits hybrides, les lignes d’accès d’entrée et de sortie sont en alumine. Une
puissance maximale de 80 W en CW à la fréquence de 3.1 GHz, associé à un rendement en
puissance ajoutée de 38 % et à un gain de 7.6 dB, a été mesuré comme l’illustre la figure I-19.
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