Modélisation électrothermique de transistors MESFET SiC et ...

TABLES DES MATIÈRES
INTRODUCTION GÉNÉRALE 1
CHAPITRE I
LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE À L’ETAT SOLIDE (SSPA) 5
I – Caractéristiques Fondamentales des Amplificateurs de Puissances 8
I.1 – Evaluation des performances en puissance 8
I.1.1 - Bilan des Puissances mises en Jeu 8
I.1.2 - Les Grandeurs Fondamentales 9
I.1.3 - OutputBackOff (OBO) et InputBackOff (IBO) 11
I.2 – Contraintes en Terme de Linéarité 12
I.2.1 - Conversion d’amplitude (AM/AM) et de phase (AM/PM) 12
I.2.2 - Intermodulation d’ordre 3 (C/I3) 13
I.2.3 - Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) 15
I.2.4 - Noise Power Ratio 16
II – Le Transistor MESFET en Carbure de Silicium 18
II.1 – Propriétés Physiques du Carbure de Silicium 18
II.2 – Le Transistor MESFET SiC 21
II.2.1 - Historique et Généralités 21
II.2.2 - Principe de Fonctionnement du Transistor à Effet de Champ 22
II.2.3 - Les Effets Parasites du MESFET SiC 25
II.3 – Etat de l’Art des Transistors en Carbure de Silicium 30
III – Conclusion 37
Bibliographie 38