Modélisation électrothermique de transistors MESFET SiC et ...

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CHAPITRE IV TABLES DES MATIÈRES LA TECHNIQUE DOHERTY : AMPLIFICATEUR A HAUT RENDEMENT 101 I – Théorie 104 I.1 – Doherty à Deux Etages 104 I.1.1 - Principe de Fonctionnement 104 I.1.2 - Détermination des Impédances vues par les deux Amplificateurs 105 I.1.3 - Evolution des Impédances de Charge des deux Amplificateurs 107 I.1.4 - Détermination de l’Impédance Caractéristique de la Ligne λ/4 109 I.1.5 - Calcul du Rendement Total 110 I.1.6 - Evolution du Rendement Total 112 I.2 – Doherty à Trois Etages 115 I.2.1 - Principe 115 I.2.2 - Calcul du Rendement Total 117 I.2.3 - Evolution du Rendement Total 121 II – Etat de l’Art des Amplificateurs Doherty 124 II.1 – Les Principales Publications avant 2003 124 II.2 – Les Différentes Publications Récentes 128 II.3 – Bilan sur l’Amplificateur Doherty 132 III – Conception et Réalisation d’un Amplificateur Doherty 133 III.1 – Analyse Fort Signal 133 III.1.1 - Présentation du Transistor 133 III.1.2 - Influence de l’Impédance de Charge 134 III.1.3 - Simulation d’un Amplificateur Doherty 135 III.2 – Méthodologie de Conception 140 III.2.1 - Réseau d’Adaptation de Sortie 140 III.2.2 - Polarisation de Drain 141 III.2.3 - Adaptation et Polarisation d’Entrée 141 III.3 – Résultats de Mesures 142
TABLES DES MATIÈRES III.4 – Amplificateur Doherty utilisant un Glissement de Polarisation 146 III.4.1 - Principe 146 III.4.2 - Circuit de Commande 148 III.4.3 - Résultats de Mesures en Puissance 150 III.4.4 - Bilan 151 IV – Conclusion 152 Bibliographie 153 CONCLUSION GÉNÉRALE ET PERSPECTIVES 155 LISTE DES PUBLICATIONS 161 ANNEXE 165
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