5. Modélisation du transistor MOS
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Exemple de calcul<br />
• Soit un <strong>transistor</strong> <strong>MOS</strong>, canal N, pour lequel on a<br />
les valeurs suivantes :<br />
• t ox =10 nm; L=1 µm; W=10 µm; L OV =0,05 µm;<br />
C sb0 =C db0 =10fF; V 0 =0,6V, V SB =1V; V DS =2V;,<br />
calculez les capacités quand le <strong>transistor</strong> est en<br />
saturation.<br />
<strong>Modélisation</strong> petits signaux :<br />
régime ohmique<br />
r<br />
1<br />
ds<br />
= g = µ C<br />
ds<br />
n<br />
OX<br />
W<br />
( V<br />
L<br />
Le <strong>transistor</strong> est équivalent à une résistance commandée en tension.<br />
GS<br />
− V<br />
tn<br />
Vgs>Vth<br />
Vds
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