5. Modélisation du transistor MOS
5. Modélisation du transistor MOS
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<strong>Modélisation</strong> des sources de bruit<br />
Principalement deux sources de bruit dans un <strong>MOS</strong> :<br />
- le bruit thermique, associé aux porteurs <strong>du</strong> canal,<br />
- le bruit de "flicker", lié aux électrons piégés dans l’interface entre l’oxyde<br />
et le semi-con<strong>du</strong>cteur.<br />
Peuvent être modélisées par des sources de courant (modèles larges et<br />
petits signaux) ou de tension (modèle petits signaux).<br />
D<br />
D<br />
V N+<br />
G<br />
I N<br />
G<br />
S<br />
Ces sources de bruit entraînent des modifications de la<br />
valeur <strong>du</strong> courant de drain<br />
S<br />
Densité spectrale <strong>du</strong> bruit thermique<br />
Le bruit thermique est un bruit blanc (donc constant quelle que soit la<br />
fréquence). Sa densité spectrale (en A 2 /Hz) est donnée par la relation<br />
suivante :<br />
S<br />
IW<br />
⎧4kT<br />
⎪<br />
=<br />
R<br />
⎨<br />
⎪⎪ 8kT.g<br />
⎩ 3<br />
m<br />
Régime ohmique<br />
saturation<br />
k, constante de Boltzman,<br />
T, température en Kelvin,<br />
R, résistance <strong>du</strong> canal en régime ohmique,<br />
g m , transcon<strong>du</strong>ctance <strong>du</strong> <strong>MOS</strong>.
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