5. Modélisation du transistor MOS
5. Modélisation du transistor MOS
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Application 1 : Amplificateur<br />
vin<br />
R<br />
Vdd<br />
N<br />
i D<br />
Vss<br />
vout<br />
Paramètres<br />
• Technologie : 0.8 µm<br />
• Vdd = 15V<br />
• Vss = 0V<br />
• Kn = 103,6 µA/V²<br />
• Kp = 34,53 µA/V²<br />
• Vthn = 0.8 V<br />
• Vthp =- 0.8 V<br />
•K = µ n<br />
Cox<br />
1) Trouvez le rapport W/L pour avoir :<br />
I D =1mA, pour V GS =3,9V<br />
2) Proposez une valeur<br />
3) Pour cette valeur, calculez R pour avoir<br />
V out =V ds =9V<br />
4) Donnez le gain petits signaux (modèle simplifié)<br />
5) Faire une vérification SPICE<br />
Application 2 : Amplificateur polarisé<br />
vin<br />
R<br />
Vdd<br />
N<br />
i D<br />
Vss<br />
vout<br />
Paramètres<br />
• Technologie : 0.8 µm<br />
• Vdd = 15V<br />
• Vss = 0V<br />
• Kn = 103,6 µA/V²<br />
• Kp = 34,53 µA/V²<br />
• Vthn = 0.8 V<br />
• Vthp =- 0.8 V<br />
•K = µ n<br />
Cox<br />
1) Prendre les résultats de polarisation précédents et<br />
proposer 2 résistances de polarisation de la grille<br />
pour avoir une alimentation possible en petits<br />
signaux par un générateur Vin de résistance de sortie<br />
Rs.<br />
2) Donner le schéma équivalent avec les capacités<br />
(Cdg, Cgs, Cds)<br />
3) Donner la valeur <strong>du</strong> Gain AC en basse fréquence
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