5. Modélisation du transistor MOS

Effet de substrat du transistor : g s g mb g mbs
Permet de répercuter les variations de la
tension V BS sur la valeur de la tension de seuil
g
∂I
D D tn
D
mb
= =
= −µ
nCOX
( VGS
−Vtn
) = −gm
∂VSB
∂Vtn
∂V
∂V
SB
tn
L
g
g
mb
m
∂I
∂V
⋅
g
mb
=
∂I
∂ I
DS
∂ V
BS
W
=
2
V
SB
γ g
m
+
2 Φ
= χ (≈0.1 à 0.3). g mb est souvent négligé devant g m
À prendre en compte si Vsb AC est non nulle
F
∂V
∂V
tn
SB
=
2
V
SB
γ
+ 2Φ
F
Résistance de sortie du transistor : r ds
représente la résistance de sortie du transistor et
modélise l’effet de modulation de la longueur du canal
1
r
ds
=
g
ds
=
∂ I
DS
∂ V
DS
≅
λ I
D
µ
nCOX
W
2
I
D
= ( VGS
−Vtn
) (1 + λVDS
)
2 L
Effet de modulation de canal court
nCOX
W
I
D
= µ ( VGS
−Vtn
)
2 L
Courant de saturation
2
La résistance de sortie dépend du paramètre technologique
λ dont la valeur est mal contrôlée (mesurée pratiquement)
VA=1/ λ est la tension Early (d’après l’appellation BJT)