D - Sibdi

Les premiers transistors NMOS
sur substrat 200 mm germanium
sur isolant (GeOI) ont vu le jour.
Ces résultats au meilleur niveau
mondial démontrent le potentiel
d’amélioration amené par
l’introduction de nouveaux
matériaux dans les filières CMOS
sub 32-22 nm et placent le Leti
parmi les centres d’excellence
de premier plan mondial dans le
domaine des matériaux pour la
nanoélectronique. Cette réalisation
est issue de la collaboration avec
la société Soitec, leader mondial
dans les substrats avancés silicium
sur isolant.
Le Leti a également conçu les
premiers transistors à matrice 3D
de nanofils sur substrats SOI.
Plusieurs canaux de conduction
contrôlés par une grille enrobante
fonctionnent en parallèle, ce qui
autorise des densités de courant
accrues par unité de surface. Cette
architecture originale permettra
aussi d’augmenter la densité
d’intégration des circuits et le
courant débité d’un facteur 5.
Cette réalisation a été sélectionnée
lors de la conférence internationale
d
IEDM qui promeut les initiatives
les plus innovantes en nanoélectronique.
Les nanotechnologies
Un grand nombre de recherches
s’intéresse aux possibilités
d’innovation offertes par les
nanotechnologies dans les
secteurs de l’information et de
la communication, de l’énergie,
de la sécurité ou de la santé.
Les programmes au sein du
CEA recouvrent à la fois les
nanosciences (au sein de la
Direction des sciences de la
matière), et les nanotechnologies
(au sein de la Direction de la
recherche technologique)
assurant le lien indispensable
entre la recherche fondamentale
et la recherche appliquée.
L’année 2006 a été marquée
par la réalisation de réseaux de
lignes de 32 nm - espacées de
32 nm en lithographie optique UV
à 193 nm en mode immersion
obtenus sur un interféromètre
à double étage de réseaux de
diffraction développé au Leti.
En faveur de l’innovation
industrielle, le CEA
dispose d’une recherche
technologique de haut
niveau dans le domaine des
micro et nanotechnologies,
des télécoms et des objets
communicants
Ces résultats à l’état de l’art
témoignent de l’expertise apportée
par le Leti à ST Microelectronics
et ses partenaires de l’Alliance
pour le développement de la
lithographie par immersion pour
les nœuds technologiques
45 nm et en dessous.
c
Le Leti a également lancé, en
collaboration avec la société
Soitec, NanoSmart, centre
d’excellence pour les matériaux
avancés, pour développer de
nouvelles générations de substrats
silicium sur isolant à fort contenu
innovant ; les substrats devenant
un enjeu croissant pour les
nouvelles générations de circuits
intégrés, à la fois pour accroître
les performances des circuits
et diminuer leur consommation,
mais aussi pour ajouter des
fonctions au-dessus des circuits.
a. Vue d’une
plaquette avec un
nouveau matériau,
le GeOI.
b. Électronique de
pilotage et baie de
caractérisation des
imageurs infrarouge.
c. Observation
d’un masque pour la
lithographie optique.
d. Imagerie de nanomatériaux.
RAPPORT ANNUEL CEA 2006
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