Chapitre 1 - TEL

Chapitre 1 : Présentation des capteurs d’image CMOS 17photonsV DNPI phI Dobscuritééclairement faibleV claquageI obscéclairement plus fortI D zone de travailI ph1V DV D I ph2DispositifSymboleCaractéristique I D /V D en fonction de l’éclairementFigure 5 : Dispositif physique, symbole et caractéristiques électriques des photodiodesLes avantages des photodiodes sont une sensibilité linéaire (pour de faibles variations de flux dephotons), des temps de réponse courts et une grande bande passante. Les photodiodes ont denombreuses applications telles que la photométrie et la mesure d’impulsions rapides de lumière.1.1.1.1.3 Les phototransistorsCe sont des transistors bipolaires, de type NPN ou PNP, dont la jonction collecteur-basepolarisée en inverse se comporte comme une photodiode (figure 6). La base du transistor est alors diteflottante puisqu’elle est dépourvue de connexion. Lorsque la base n’est pas éclairée, le transistor estparcouru par le courant de fuite I obsc . L’éclairement de la base conduit à un photo courant I ph . Celui-ciapparaît dans la jonction collecteur-base sous la forme :Équation 3I = β I + IcphobscLe courant d'éclairement I c du phototransistor est donc le photo courant de la photodiodecollecteur-base multiplié par le gain β du transistor. La réaction photosensible est donc nettement plusélevée que celle d’une photodiode (de 100 à 400 fois plus). Toutefois selon l’implémentation duphototransistor (intégration d’un transistor bipolaire ou bien utilisation d’un bipolaire parasite), le gainpeut être moindre.I cobscuritéphotonsV DI obscéclairement faiblePNNI phI c V DβI phV DI c = β.I ph + I obscDispositifSymboleCaractéristique I C / V D d’un phototransistorFigure 6 : physique, symbole et caractéristiques électriques des phototransistors