Chapitre 1 - TEL

Chapitre 2 : Étude et conception d’un imageur grande dynamique utilisant l’architecturelogarithmique49lumière infrarouge émise pendant quelques microsecondes plusieurs fois par seconde, a imposé lemode de capture d’image instantanée.Ce mode de capture d’image consiste à acquérir l’image en un temps donné très court (quelquesmicrosecondes) et à stocker cette information au sein du pixel pour permettre une lecture de la matriceen un temps plus long (30 images par seconde). Ce mode impose donc l’implémentation d’uninterrupteur et d’une capacité d’échantillonnage et de stockage au sein même du pixel. Le schéma blocdes pixels à capture instantanée est illustré Figure 24.échantillonnage et stockagenoeud sensibleGSV s_pixelC GSpixelFigure 24 : Diagramme bloc d'un pixel implémentant le mode de capture instantanéeLa performance des pixels implémentant le mode de capture instantanée s’exprime à travers lerendement du nœud sensible, à savoir sa capacité de stocker et de retransmettre l’information sansperte. Le rendement de ce noeud est détérioré par plusieurs phénomènes, notamment la fuite decourant à travers l’interrupteur GS, la collecte de charges via le substrat et l’apparition de chargesphoto générées au sein de la capacité C GS .Pour éviter la photogénération de charges au sein de la capacité CGS, une protection du pixelpar une couche métallique haut niveau (métal 4) permet de réduire l’accès des photons à la capacitéC GS et donc de réduire la photogénération au niveau du nœud sensible.Pour limiter l’effet de collecte de charges sur le nœud sensible via le substrat, l’architecture denotre pixel, en transistors PMOS, est idéale. En effet le caisson N des transistors PMOS représente unebarrière efficace, empêchant les charges photo générées dans la photodiode de se disperser dans lesubstrat des transistors PMOS.Pour limiter l’effet du courant de fuite à travers le transistor GS, nous avons dû ajouter unamplificateur entre la photodiode et l’interrupteur GS (Figure 25).