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<strong>경상대학교</strong> 물리학과 김현수9-4JJsTsT∗= A T∗= A T22ee−eφ−eφBnB 0/ kT( 영상력 저하효과 : φ/ kT: 역포화전류밀도eBn−eΔφ/ kT= φB0− Δφ)9.1.5 쇼트키장벽다이오드와pn접합 다이오드의 비교역포화 전류밀고의 크기쇼트키다이오드:Jpn 다이오드 : JJsT>> Jss=sTeD n∗= A Tp0( 생성전류밀도)nLn2e−eφBneDpn+Lp/ kTn0( 열전자 방출)( 확산)스위칭 특성
EF<strong>경상대학교</strong> 물리학과 김현수9.2 금속-반도체 저항성 접촉 φ < 인 경우eφ meχeφ smφ sECE FE FiE V금속-n반도체에 대한 이상적인 에너지 밴드 그림 (접촉 전후)E FeφmeφnE CE FE FiE V9-5접촉비저항E FE CE VE FE CRc=⎛⎜⎝∂J∂V⎞⎟⎠−1V = 0[ Ω − cm]E VJ∗= ( A T2e−eφBn/ kT)( eeV / kTa−1)금속에 양전압을 가한 경우금속 - n + 반도체접합의 터널링 장벽반도체에 양전압을 가한 경우Rc=( kT/ e)e∗A T+ eφ2Bn/ kTE Feφ Bn−e−eE CE FE VJt( E∝ eoo−eφBn/ Eoo∗eh Nd⎜ 2 ε smnh ⎟⎞⋅( φBnNd)= )⎝⎠∗R2 ε mc∝ esn금속 − n⎛ + +반도체접합
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