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Tesi di MASTER in - surfacetreatments.it

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) Cresc<strong>it</strong>a a strati ed isole: corrisponde ad una comb<strong>in</strong>azione delle due tipologie viste <strong>in</strong>precedenza <strong>in</strong> cui viene sfavor<strong>it</strong>a la cresc<strong>it</strong>a del film sui primi strati formatisi portando allaformazione <strong>di</strong> isole tri<strong>di</strong>mensionali <strong>di</strong> <strong>di</strong>versa forma geometrica.La microstruttura del film <strong>di</strong>pende, comunque, fortemente dalla natura del materiale depos<strong>it</strong>ato:materiali <strong>di</strong>elettrici e ceramici, per esempio, risultano spesso amorfi mentre materiali metallici sonocaratterizzati da un maggior grado <strong>di</strong> cristall<strong>in</strong><strong>it</strong>à.Operando opportunamente sulle variabili temperatura e pressione è possibile, vista la <strong>di</strong>pendenzadella microstruttura del film depos<strong>it</strong>ato dalla <strong>di</strong>ffusione e dai processi <strong>di</strong> nucleazione alla superficie,controllare la natura del film stesso: i) a basse temperature ed elevate veloc<strong>it</strong>à <strong>di</strong> cresc<strong>it</strong>a siottengono, generalmente per film amorfi, ii) ad alte temperature e basse veloc<strong>it</strong>à <strong>di</strong> cresc<strong>it</strong>a, <strong>in</strong>vece,si favorisce la <strong>di</strong>ffusione e l’aggregazione dei grani ottenendo materiali con un maggior grado <strong>di</strong>cristall<strong>in</strong><strong>it</strong>à4.10. I composti precursoriLo sta<strong>di</strong>o fondamentale nella tecnica CVD è dato dalla reazione chimica che si verifica, questoimplica che la scelta del precursore adatto è determ<strong>in</strong>ante nel successo del processo.I requis<strong>it</strong>i che un buon precursore deve avere per dare orig<strong>in</strong>e ad un buon film sono riassunti nellaseguente lista[H<strong>it</strong>chman(1993)]:elevata volatil<strong>it</strong>à: la volatil<strong>it</strong>à <strong>di</strong> un liquido è rappresentativa della facil<strong>it</strong>à <strong>di</strong> evaporazionedello stesso; nel caso specifico del CVD, questa caratteristica è richiesta dal momento che ilprecursore viene trasfer<strong>it</strong>o al substrato <strong>in</strong> fase gassosa. Una misura della volatil<strong>it</strong>à <strong>di</strong> un liquidoè la tensione <strong>di</strong> vapore.Se la tensione <strong>di</strong> vapore a temperature relativamente basse non presenta valori apprezzabili,bisogna riscaldare i recipienti contenenti il precursore , con ovvi svantaggi legati a per<strong>di</strong>te <strong>di</strong>tempo e a maggiori costi. La composizione chimica del precursore è determ<strong>in</strong>ante per lavolatil<strong>it</strong>à: è <strong>in</strong> tal modo possibile agire sul precursore al f<strong>in</strong>e <strong>di</strong> conferirgli un’adeguatavolatil<strong>it</strong>à;stabil<strong>it</strong>à termica nelle con<strong>di</strong>zioni <strong>di</strong> vaporizzazione e <strong>in</strong> fase vapore: questo è un prerequis<strong>it</strong>ofondamentale per la realizzazione programmata delle con<strong>di</strong>zioni sperimentali e per la lororiproducibil<strong>it</strong>à. Se questa con<strong>di</strong>zione non è sod<strong>di</strong>sfatta, si possono avere non solo per<strong>di</strong>te

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