X-Encontro-Nacional-de-Fisica-da-Materia-Condensada

DEFEITOS SUPERFICIAIS DE ORIGEN EXTRINSECA OBSERVADOS EM FILMES FINDS
DE GaAs CRESCIDOS PELA TiCNICA DE EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR.
Marcus Viniclus Beets Moruilra e Alfredo Gontijo de Oliveira
Depto. de Fisica - VFW
Defettos superficiala de origem extrinseca em condole de GaAs creacidas
vela tecntca do epltaela por fetes molecular foram observados utiltaen-
do um microscopic Otico de contrate de fuse e microscopie eletranica de
varredura (SEM). Foram identificados uma eerie de defeitoe tale coma
"whiskera","hillocka m , ellimmildea (20 a ISO pm . de semi-eixo motor e 15
a 65 pm de semi-also manor) e defeitos ovals (tree tipoa . de variedades;
tom nucleo macroaCapico. com buraco a nem buraco). Urns aminee semiquantitative
pot, Otero-sonde revelou qua enquanto as "Mhialtera m . ellpmoldem
a defeltos ovals com nucleo orlairom-ae de particulaa contmainentea.
oe defeltoe ovals tom e sem buraco a "hillocks" parecem originar-se
dee condicaes de crescimento e/ou particulas microecOpicas.
9WS:20/4A.F 17CRESCIMMTO DE SETEMESTIDTGIAS DE GaIn xiie/GaInvAs PEXA 112CNICA
MVPS A BAIXA PRESSAO. - Marco A.Sacilotti a Aldionso M.Machado (010.-TELIERA0),
Ramo A.Masut (NRC-CANADA).
HOPPE (Metal-organic vapour-phase epitaxy) 8 uma ticnIca de crescimento muito
importante, atualmente, pars o crescimento de camadas epitasiale cam interfaces
bastante abruptas quo sejan da ordemde 2-3 monocamadae atemicae. Reteroestruturas
tensioned's de GeAs/GaInyAs sabre substrate, de GaAs e GaInzAelGaInvAs sabre
substrates de InP foram crescidos palw.ticnica MOVP11 i balsa pressao (40 tort). .
Apresentamos nests trabalho as detalhas dente tecnica de crescimento, assim cono
alguns resultadoe de catacterizaciO em andapiento qua englobam Auger, fotalumiinumencia,
deebaete em ingulo,.etc.
DEF/13:40/4A F r:1711E1-0EDES 08 DOPACENS Ex SENICONDOTORES PREPARADAS POE mai — Ivan Frederiee
Lu lamp Dias Alfredo Gentile dm Oliveira - 0olvermidede Federal de Mess GamicDepartment°
e Y ace
Super -redem por domes' elm materials aselemadutorso III-4 sae' secretes., obtidas polo legato
periodics dA samosas mita floss (10 - 300 1) de elm lige (GaAs) cam alters:Male dm deposes
tip* .(Sin tipo pale). As realise dcergil eepacisl resultants' pravocas mea modmiscio doe Ma-
dge de emerald deed° arises ■ ite "asp de miergia Indira.) no @space real" s ma coosequiecia ea por
cedars. dm cares Hose - lerrons b sio empecielmente separedom sesta& mu distribuicio
em nio equilibria mete " 1. loco tem laplicaciies diverse mobrs as propriedadem eletricas s it4
rue do qmentidmdso come ■ concentracio de portaderes. o gap de emergi. a condutividade
etc. cornea-se pintos's:mete por spliced:a de elm voltages external ou par mmitetio 61105. Semmes
ream' am evidipcias experiments's dm ■ intoniaabllidede de alemmas carts* quantidadee.