X-Encontro-Nacional-de-Fisica-da-Materia-Condensada

DEF/10:15/4A F I CARACTERIZACAO DE NONOCRISTAIS DE slam UTILIZANDO NICROSCOPIA
DE INFRAVERNELHO E TOPOGRAFIA DE RAIOS X. Victor Huo Etgens Linstituto de Fisica
e Quimica de Sio Carlos - USP) a Ireno Denicolo (CPO- Telebras).
No momenta. o silicio i um material amplamente utilizado ne - indistria microeletriinica
a nio a provivel que seta em breve substitufdo. A observacio de de
faitos cristalinos tome-se "Isis diffcil a Redid& em que se produzem cristais 'Lyres
de macrodefeitos ("free deslocetion"). No caso dos microdefettos, spesar de
serem ■mplamente estudados nos iltimos anos. ainda nio se tem uma teoria amplamen
to 'melts sobre sues origens a consequincias. As tecnicas que usamos pars a ob=
servncio de microdefeitos foram a topografia de roles x e o microscopic de infraverselho.
A visualitogio dos microdefeitos torna-se passive' atraves da deem, -
gin do silicio cos cobra ou litio. A decoragio consists na difusio de cobre ou
litio no silicio em altas temperatures; promove-se entio um ripido abaixamento de
temperature da amostra, fazendo coon que o cobre ou title cheguem a supersaturecio
e precipitem. A precipitacio destes metals se di preferencialmente nas rogiies
de defeitos. Isto germ contraste eletranico necessario pars a observagoo dos
microdefeLtos na topografia a na microscopia de infrovermelho. Sio analisados os
resultados ohtidos pars amostras de silicio de varies procedincies, variando-se
temperature de difusao, quantidade de material difundido e tipos de defeitos revelados.
Paz-se uma comparagio entre as ticnicas de topografia de raios x e microscopia
de Infravermelbo pora o caso estudado. ( CNPq - FINEP - TELEBRAS ).
DEF/10:35/4A.F
ECARACT ERTZKI0 os mums EICIENSOS D3 szacro ATRAV cc DIFIUGCNEIRIA
GNIA.am-calves, O.D. CIPAE147), Schr,ider, J. UNI-Fierlini, Graaf, H.
(I011-earlin).
UtiLL o difratanotro do radial* gams do Institute+ Halm-Ileitner de Berlin, e ra-
disci° de 0.0392 X proueniente de um, font° de Indio de inteneidade de 200 Ci, anallsco-se u
ma side de menocrletais de Si 11 as de eapassura, 10 co, de dikretzo) cm divers= ewer:tee
do voila*. Poi medida a pater' 'eta de relearn integrals variando-se a Fosigio e a incline*
do orbital au mimeo i diregeo da rediacio incidente. Foram =him obtides "rocking curves"
Pura diferentes reflesiies aceseivete, eendo poesivel urns calparegio entre digerentm pro:0es=
de crescirento dos cristais Icedldos pals Nicker Chalitratite
Awshrente estudezros a poseibt.lidade de ixplantagio de us state= de difrabsootria germ
senelhante no Institute de Fisica da
DEF/10:55/64.F1 VARIACAO DA FIGURA DE MERIT° (1) EM LIGAS NONOCRISTALINAS
SINTERIZADAS 110Si-ZOGe - Odillo B.G. Assis, Luis V.A Scaly'
e Bernhard J. Nokross - Inst. de Fisica a Quimica dt Sao Carlos
-
As ligas SI-Ge azio caracterizedas per sue balsa resistincia elitrlca, balsa
condutividnde tirmica e alto estabilidade quImic ■ e meanies. Estes carocte-
✓(sticas associedas a elevada figura de mirito (1) pars geragio de potincia termoeletrica.
fazes dessas liana os materiais indicados i confecgio dg diapositives
geradores de termaeletracidsde a temperatures superiores a 1000 C.
Os cristais usualmente utilizados na conferee° dos midutos sao ligas monocristelinas
altamente dopadas (Fisforo-n. Boro-p) em composigoes ZOGe-8051..Em-
bora atuatmente tem-se optado par materials sinterizados (de mesma composicao)
coma process° Influente its melhore de Z (relagio quo envolve as caracterfsticos
termoeletricas do material).
E apresentado a variacio das propriedades relacionadas am Z com relagio
nos monocristais a ligas sinterizadaS. (FAPESP).