Y摻雜量對中低溫型BaCe1-xYxO3-δ電解質結構及導電性之影響
Y摻雜量對中低溫型BaCe1-xYxO3-δ電解質結構及導電性之影響
Y摻雜量對中低溫型BaCe1-xYxO3-δ電解質結構及導電性之影響
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要電價平衡,而形成氧頿缺陷(oxygen vacancy),<br />
可以下列缺陷化學反應來表示:<br />
..<br />
以上反應,顯示添加 Y2O3 至 BaCeO3 中,<br />
Y 3+ 離子取代 Ce 4+ 離子,形成帶相對負電荷的<br />
陽離子,為了電性平衡帶正電荷的氧頿離子空缺<br />
於是形成。假設 Y 完全取代 Ce 的位置,且所<br />
有的缺陷彼此不互相作用下,氧頿空位([Vo .. ])<br />
的濃度應隨著添加劑的濃度增加而增加。<br />
然而,對晶體結構的穩定性而言,缺陷濃<br />
度越高,其晶體結構越不穩定,因異價陽離子<br />
添加,改變過渡金屬陽離子(B)之價數,同時頗<br />
也改變了該陽離子的離子半徑韬,進而影響鈣鈦<br />
礦結構之穩定性,易轉變成缺陷較少,能量較<br />
低(較穩定)的結構,所以,當高導電率的晶體<br />
結構經過相轉變後,一般會轉變成導電率較<br />
低,但晶體結構較穩定的相。<br />
由於質子於晶體結構內是以氫氧頿根頨離子<br />
方式移動,如下式 [3] :<br />
..<br />
.<br />
所以,在水氣頾中與乾燥空氣頾中,因氫氧頿根頨<br />
離子的濃度不同而有所不同,而氫氧頿根頨離子濃<br />
度在水氣頾環境中較高,因此應可在水氣頾中獲得<br />
較高之導電率。<br />
對鈣鈦礦型高溫質子導體氧頿化物而言,<br />
能否形成質子缺陷之關鍵之一是氧頿缺陷濃<br />
度,因此本研究目的在藉由三價釔元素(Y)之<br />
摻雜形成 BaCe1-<strong>xYxO3</strong>-δ 固溶體,晶格頴內因電<br />
性平衡而產生氧頿缺陷,氧頿缺陷可供給氧頿離子或<br />
質 子 於 晶 格頴 內 移 動 , 探 討 Y 添 加 量 對<br />
BaCe1-<strong>xYxO3</strong>-δ 相結構及導電性之影響。<br />
二、實驗方法 實驗方法<br />
本研究採用固相反應法,以 BaCO3、<br />
CeO2、Y2O3 為起始原鞝料頔,Y 摻雜量分別為 10<br />
%及 20%莫耳分率,起始原鞝料頔經過球磨均勻<br />
混和後進行乾燥,將乾燥過之粉末於 1300℃<br />
下煆燒 10 小時頗成相,再經壓胚成型於 1600℃<br />
燒結 4 小時頗。起始原鞝料頔經球磨均勻混合、乾<br />
燥。所製備出之 BaCe1-<strong>xYxO3</strong>-δ 粉末利用 X 光<br />
繞射韗(XRD)分析,鑑定其晶相。<br />
成品利用電阻儀量測 BaCexY1-xO3-δ 於<br />
400℃~750℃之電阻,於空氣頾下,取 400℃、<br />
450℃、500℃、550℃、600℃、650℃、700℃、<br />
750℃之電導係數對時頗間作 T 對 σ 圖。<br />
煆燒後之粉末,利用 X 光繞射韗(XRD)分析<br />
其晶相,銅靶波長 0.154178nm,掃描頻率 1<br />
度/min,範圍(2θ)20 o<br />
~80 o<br />
。<br />
燒結完之胚片利用場發射韗掃瞄式電子顯<br />
微鏡( FE-SEM)觀察晶粒表面型態並計算<br />
其晶粒尺寸。<br />
三、結果與討論<br />
結果與討論<br />
圖 1 所 示 為 摻 雜 不 同 量 之 Y 之<br />
BaCe1-xYXO3-δ 粉體之 XRD 圖,與檢索的<br />
JCPDS 75-0431 的 BaCeO3 標準卡片比較,發<br />
現此兩成份已經形成正方晶鈣鈦礦相,而在 Y<br />
摻雜 20%之 XRD 圖(圖 1b)中,可清楚看出,<br />
已有立方晶鈣鈦礦相產生。根頨據 Y 摻雜 10%<br />
之 XRD 圖(圖 1a),可計算出其晶格頴常數為:<br />
a=0.4391nm,V=8.4648nm 3 ,與 JCPDS 75-0431<br />
之晶格頴常數相比略有增大,這主要是由於離子<br />
半徑韬較大之 Y(0.092nm)取代離子半徑韬較大之<br />
Ce(0.09nm)所致。<br />
圖 2 為不同 Y 摻雜量之 BaCe1-xYXO3-δ 在<br />
不同溫度下之導電度關係圖,由圖中可看出,<br />
BaCe0.9Y0.1O3-δ 及 BaCe0.8Y0.2O3-δ 導電率 400~<br />
500℃之間,兩者導電率均低,無明顯差韤異;<br />
在 500℃以上兩者導電率明顯隨著溫度上升<br />
而增加,顯示其導電機制為離子所主導,兩者<br />
導電率亦有明顯之差韤異。隨著 Y 摻雜量增加,<br />
BaCe1-xYXO3-δ 導 電 率 亦 增 加 , 以<br />
BaCe0.8Y0.2O3-δ 為例,在 750℃導電率可達到<br />
0.0204 S/cm,而 BaCe0.9Y0.1O3-δ 之導電率僅為<br />
0.0162 S/cm , BaCe0.8Y0.2O3-δ 之 導 電 率 為<br />
BaCe0.9Y0.1O3-δ 之導電率的 1.25 倍靰。<br />
圖 3 為 BaCe0.9Y0.1O3-δ 及 BaCe0.8Y0.2O3-δ<br />
胚片經 1600℃燒結之 SEM 圖,由圖中可看<br />
出,兩成份皆有燒結現象,但 BaCe0.9Y0.1O3-δ<br />
燒結較緻密,孔洞較少,而 BaCe0.8Y0.2O3-δ 試<br />
片雖亦有燒結現象,但並未完全燒結緻密,仍<br />
有 許 多 孔 洞 存 在 。 由 此 SEM 圖 可 觀 察<br />
BaCe0.9Y0.1O3-δ 之晶粒大小大約為 1.75µm,而<br />
BaCe0.8Y0.2O3-δ 之晶粒大小約為 2µm。<br />
由以上實驗結果得知,BaCe0.8Y0.2O3-δ 燒<br />
結較不緻密但導電性較高,如能進一步提升其<br />
燒結緻密性,預期可得到較高的導電性。